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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STP95N4F3	1.1556	RFQ	4754	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP95			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						40 V	80A（TC）	10V	6.2MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	110W（TC）
STGB6M65DF2	1.5900	RFQ	9189	Stmicroelectronics	m	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB6	标准			88 w		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000				400V，6A，22OHM，15V															140 ns	沟渠场停止	650 v	12 a	24 a	2V @ 15V，6A	36µJ（在）（200µJ）上（OFF）	21.2 NC	15NS/90NS
STGP30NC60S	-	RFQ	4929	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STGP30	标准			175 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				480V，20A，10欧姆，15V																-	600 v	55 a	150 a	1.9V @ 15V，20A	（300µJ）（在1.28mj）上	96 NC	21.5NS/180NS
A1C15S12M3	52.8000	RFQ	3537	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	模块	A1C15				142.8 w	三相桥梁整流器	Acepack™1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17736	Ear99	8541.29.0095	36	三期逆变器																			沟渠场停止	1200 v	15 a		2.45V @ 15V，15a					100 µA	是的	985 PF @ 25 V
STF6NK70Z	-	RFQ	9953	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STF6N			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						700 v	5A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2.5a，10v	4.5V @ 100µA	47 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	30W（TC）
STF3LN80K5	1.6000	RFQ	2459	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STF3LN80			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	2A（TC）	10V	3.25OHM @ 1A，10V	5V @ 100µA	2.63 NC @ 10 V	±30V	102 PF @ 100 V	-	20W（TC）
STP5NK60ZFP	-	RFQ	9331	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STP5NK60			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						600 v	5A（TC）	10V	1.6OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 50µA	34 NC @ 10 V	±30V	690 pf @ 25 V	-	25W（TC）
STF7N65M6	0.8659	RFQ	3535	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STF7			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	5A（TC）	10V	990MOHM @ 2.5A，10V	3.75V @ 250µA	6.9 NC @ 10 V	±25V	220 pf @ 100 V	-	20W（TC）
STGW25H120F2	7.7800	RFQ	5933	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STGW25	标准			375 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，25a，10ohm，15V																沟渠场停止	1200 v	50 a	100 a	2.6V @ 15V，25a	600µJ（在）上，700µJ（700µJ）	100 NC	29NS/130NS
IRF840	-	RFQ	7276	Stmicroelectronics	PowerMesh™II	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	IRF8			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2731-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	832 PF @ 25 V	-	125W（TC）
STFU16N65M2	-	RFQ	1818年	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STFU16			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	11A（TC）	10V	360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	19.5 NC @ 10 V	±25V	718 PF @ 100 V	-	25W（TC）
STW25NM60N	-	RFQ	5408	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STW25N			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±25V	2400 pf @ 50 V	-	160W（TC）
STC04IE170HP	-	RFQ	4163	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	1700V（（1.7kV）		门驱动器	通过洞	TO-247-4	STC04						TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			4a																													npn-发射器切换双极
STD70N2LH5	-	RFQ	6306	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD70N			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						25 v	48A（TC）	5V，10V	7.1MOHM @ 24A，10V	1V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±22V	1300 pf @ 25 V	-	60W（TC）
STW45N60DM2AG	6.6000	RFQ	5001	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STW45			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16132-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	34A（TC）	10V	93mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STD170N4F7AG	-	RFQ	7319	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD17			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	80A（TC）	10V	2.8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	4350 pf @ 25 V	-	172W（TC）
STB25NM50N	-	RFQ	1722年	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB25N			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						500 v	22a（TC）	10V	140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±25V	2565 PF @ 25 V	-	160W（TC）
BD139-16	0.5400	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD139				1.25 w		SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					80 V	1.5 a							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
STB80N20M5	6.9600	RFQ	9248	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB80			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						200 v	61A（TC）	10V	23mohm @ 30.5a，10v	5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±25V	4329 PF @ 50 V	-	190w（TC）
STL140N4LLF5	2.9500	RFQ	9019	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	STL140			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10879-2	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	140a（TC）	4.5V，10V	2.75mohm @ 16a，10v	1V @ 250µA	45 NC @ 4.5 V	±22V	5900 PF @ 25 V	-	80W（TC）
STGD20N40LZ	1.2089	RFQ	9717	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD20	逻辑			125 w		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				300V，10a，1KOHM，5V																-	390 v	25 a	40 a	1.6V @ 4V，6A	-	24 NC	700NS/4.3µS
STP80NF06	3.2000	RFQ	715	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP80			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
PD85006-E	-	RFQ	6587	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	40 V				Powerso-10裸露的底部垫	PD85006		870MHz	ldmos			10-Powerso	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			2a		200 ma	6W	17dB											-										13.6 v
STW36NM60N	-	RFQ	8285	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	stw36n			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	497-12369	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	29A（TC）	10V	105MOHM @ 14.5A，10V	4V @ 250µA	83.6 NC @ 10 V	±25V	2722 PF @ 100 V	-	210W（TC）
IRF640	-	RFQ	7329	Stmicroelectronics	网格覆盖™	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	IRF6			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1560 pf @ 25 V	-	125W（TC）
STB22NM60N	-	RFQ	4343	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB22			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	16A（TC）	10V	220MOHM @ 8A，10V	4V @ 100µA	44 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 50 V	-	125W（TC）
STD12NF06-1	-	RFQ	7970	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD12			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						60 V	12A（TC）	10V	100mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	315 pf @ 25 V	-	30W（TC）
STW22N95K5	7.8400	RFQ	9036	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STW22			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						950 v	17.5A（TC）	10V	330mohm @ 9a，10v	5V @ 100µA	48 NC @ 10 V	±30V	1550 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SCT10N120AG	12.0100	RFQ	7324	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C 200°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	SCT10			sicfet （碳化硅）			HIP247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-SCT10N120AG	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						1200 v	12A（TC）	20V	690MOHM @ 6A，20V	3.5V @ 250µA	22 NC @ 20 V	+25V，-10V	290 pf @ 400 V	-	150W（TC）
SCTWA90N65G2V	37.5200	RFQ	9611	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C 200°C（TJ）		通过洞	TO-247-3				sicfet （碳化硅）			TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-SCTWA90N65G2V	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	119a（TC）	18V	24mohm @ 50a，18v	5V @ 1mA	157 NC @ 18 V	+22V，-10V	3380 pf @ 400 V	-	565W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²