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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
STP46NF30	3.7100	RFQ	5655	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP46		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13442	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	42A（TC）	10V	75mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STGW30H60DF	-	RFQ	9421	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW30	标准		260 w		TO-247	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											110 ns	沟渠场停止	600 v	60 a	120 a	2.4V @ 15V，30a	350µJ（在）上，400µJ（400µJ）	105 NC	50NS/160NS
STGWT20V60DF	3.1300	RFQ	235	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT20	标准		167 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，20A，15V											40 ns	沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2.2V @ 15V，20A	200µJ（在）上，130µJ（OFF）	116 NC	38NS/149NS
STF100N10F7	2.7800	RFQ	7	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF100		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	45A（TC）	10V	8mohm @ 22.5a，10v	4.5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4369 PF @ 50 V	-	30W（TC）
STFI15NM65N	2.5100	RFQ	347	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI15N		MOSFET （金属 o化物）			I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	33.3 NC @ 10 V	±25V	983 PF @ 50 V	-	30W（TC）
STH265N6F6-2AG	-	RFQ	5012	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH265		MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	180a（TC）	10V	2.1MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	183 NC @ 10 V	±20V	11800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
stt4p3llh6	0.6100	RFQ	1	Stmicroelectronics	DeepGate™，脱衣Fet™H6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	stt4p3		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	4A（ta）	4.5V，10V	56mohm @ 2a，10v	2.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±20V	639 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
STGF30V60DF	-	RFQ	2704	Stmicroelectronics	-	管子	积极的				STGF30						-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50
STGB10M65DF2	2.2700	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB10	标准		115 w		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			400V，10a，22ohm，15V											96 ns	沟渠场停止	650 v	20 a	40 a	2V @ 15V，10a	（120µJ）（在）中，270µJ（OFF）	28 NC	19NS/91NS
STL140N6F7	2.7900	RFQ	7730	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL140		MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	145a（TC）	10V	2.5MOHM @ 16A，10V	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	4.8W（ta），125W（tc）
STP25N60M2-EP	2.8900	RFQ	23	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP25		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15892-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	18A（TC）	10V	188MOHM @ 9A，10V	4.75V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1090 pf @ 100 V	-	150W（TC）
STD46N6F7	-	RFQ	1954年	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD46		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	15A（TC）	10V	14mohm @ 7.5a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	1065 pf @ 30 V	-	60W（TC）
STL8DN6LF6AG	1.6400	RFQ	18	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL8		-			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）				32A（TC）		27mohm @ 9.6a，10v	2.5V @ 250µA				-
STD5N80K5	1.7800	RFQ	3167	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD5N80		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		800 v	4A（TC）	10V	1.75OHM @ 2A，10V	5V @ 100µA	5 NC @ 10 V	±30V	177 PF @ 100 V	-	60W（TC）
STF13N60DM2	2.0000	RFQ	305	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF13		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16961	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	11A（TC）	10V	365MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	730 PF @ 100 V	-	25W（TC）
STGWA40H65FB	5.0600	RFQ	2	Stmicroelectronics	HB	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA40	标准		283 w		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，5ohm，15V												沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	（498µJ）（在363µJ上）	210 NC	40NS/142NS
STGWT20HP65FB	-	RFQ	6146	Stmicroelectronics	HB	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT20	标准		168 w		to-3p	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	300			400V，20a，10ohm，15V											140 ns	沟渠场停止	650 v	40 a	80 a	2V @ 15V，20A	170µJ（离）	120 NC	- /139ns
STP80N70F4	-	RFQ	8049	Stmicroelectronics	DeepGate™，diveFet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP80N		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		68 v	85A（TC）	10V	9.8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	150W（TC）
STH47N60DM6-2AG	7.2900	RFQ	6574	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH47		MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	36a（TC）	10V	80MOHM @ 18A，10V	4.75V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±25V	2350 pf @ 100 V	-	250W（TC）
STB25NF06LAG	1.2500	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB25N		MOSFET （金属 o化物）			D²Pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	20A（TC）	5V，10V	-	-	14 NC @ 10 V	-		-	-
STFU13N80K5	4.3000	RFQ	3282	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFU13		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17144	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		800 v	12A（TC）	10V	450MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	29 NC @ 10 V	±30V	870 pf @ 100 V	-	35W（TC）
STP80NF55-08AG	3.0300	RFQ	2391	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP80		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17149	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±20V	3740 pf @ 15 V	-	300W（TC）
STW70N65M2	8.6953	RFQ	2833	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW70		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道		650 v	63A（TC）	10V	46mohm @ 31.5a，10v	4V @ 250µA	117 NC @ 10 V	±25V	5140 pf @ 100 V	-	446W（TC）
STGB20M65DF2	2.3800	RFQ	530	Stmicroelectronics	m	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB20	标准		166 w		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			400V，20A，12OHM，15V											166 ns	沟渠场停止	650 v	40 a	80 a	2V @ 15V，20A	（140µJ）（在560µJ上）	63 NC	26NS/108NS
STGB25N40LZAG	2.6200	RFQ	2745	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB25	逻辑		150 w		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			300V，10a，1KOHM，5V												-	435 v	25 a	50 a	1.25V @ 4V，6A	-	26 NC	1.1µs/4.6µs
A1P35S12M3-F	53.3300	RFQ	5	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	A1p35			250 w	标准	Acepack™1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	三相逆变器														沟渠场停止	1200 v	35 a		2.45V @ 15V，35a				100 µA	是的	2.154 NF @ 25 V
A2C25S12M3-F	68.5700	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	A2C25			197 w	三相桥梁整流器	Acepack™2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	18	三期逆变器														沟渠场停止	1200 v	25 a		2.45V @ 15V，25a				100 µA	是的	1.55 nf @ 25 V
STB15N65M5	-	RFQ	3740	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB15N		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		650 v	11A（TC）	10V	340MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±25V	810 PF @ 100 V	-	85W（TC）
STB36NM60N	6.8900	RFQ	7203	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB36		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	29A（TC）	10V	105MOHM @ 14.5A，10V	4V @ 250µA	83.6 NC @ 10 V	±25V	2722 PF @ 100 V	-	210W（TC）
STD96N3LLH6	1.3200	RFQ	2983	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD96		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	80A（TC）	5.5V，10V	4.2MOHM @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	70W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²