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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STF4N90K5	2.1200	RFQ	922	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STF4N90			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17071	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						900 v	4A（TC）	10V	2.1OHM @ 1A，10V	5V @ 100µA	5.3 NC @ 10 V	±30V	173 PF @ 100 V	-	20W（TC）
SCTH90N65G2V-7	35.0600	RFQ	87	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	SCTH90			sicfet （碳化硅）		H2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	90A（TC）	18V	26mohm @ 50a，18v	5V @ 1mA	157 NC @ 18 V	+22V，-10V	3300 PF @ 400 V	-	330W（TC）
STGWT60H60DLFB	-	RFQ	6845	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT60	标准			375 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，60a，5ohm，15V																沟渠场停止	600 v	80 a	240 a	2V @ 15V，60a	626µJ（OFF）	306 NC	- /160NS
SD2903	-	RFQ	5164	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	65 v			M229	SD2903		400MHz	MOSFET		M229	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		5a		100 ma	30W	15DB											-										28 V
STAC3932B	117.9750	RFQ	8680	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	250 v			STAC244B	STAC3932		123MHz	MOSFET		STAC244B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道		20a		250 MA	580W	-											-										100 v
STGP10NC60HD	1.7400	RFQ	6488	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP10	标准			65 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5118-5	Ear99	8541.29.0095	50				390V，5A，10欧姆，15V															22 ns	-	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，5A	31.8µJ（在）上，95µJ（（）	19.2 NC	14.2NS/72NS
STD85N10F7AG	2.3200	RFQ	2	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD85			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	70A（TC）	10V	10mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 50 V	-	85W（TC）
STGB10NC60HDT4	1.8000	RFQ	888	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB10	标准			65 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				390V，5A，10欧姆，15V															22 ns	-	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，5A	31.8µJ（在）上，95µJ（（）	19.2 NC	14.2NS/72NS
STH275N8F7-6AG	6.8300	RFQ	8406	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH275			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15474-2	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						80 V	180a（TC）	10V	2.1MOHM @ 90A，10V	4.5V @ 250µA	193 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 50 V	-	315W（TC）
Ste26NA90	-	RFQ	3660	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	底盘安装	同位素	Ste26			MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-3168-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						900 v	26a（TC）	10V	300MOHM @ 13A，10V	3.75V @ 1mA	660 NC @ 10 V	±30V	1770 pf @ 25 V	-	450W（TC）
RF5L15030CB2	54.4500	RFQ	5253	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v		底盘安装	GXB	RF5L15030		1.5GHz	ldmos		GXB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L15030CB2			180	-		1µA		200 ma	30W	23.5db											-										50 V
2STA1962	-	RFQ	7318	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2STA				150 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	30																					230 v	15 a							5µA（ICBO）	PNP	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz
STB30N80K5	7.9600	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB30			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						800 v	24A（TC）	10V	180mohm @ 12a，10v	5V @ 100µA	43 NC @ 10 V	±30V	1530 pf @ 100 V	-	250W（TC）
BD678	1.0600	RFQ	1032	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD678				40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					60 V	4 a							500µA	pnp-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
STS3DNE60L	-	RFQ	3030	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS3D			MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							60V	3a		80MOHM @ 1.5A，10V	1V @ 250µA	13.5nc @ 4.5V		815pf @ 25V	逻辑级别门
RF5L051K5CB4	187.5000	RFQ	8349	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v		底盘安装	D4E	RF5L051K5		500MHz	ldmos		D4E	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L051K5CB4			100	-		1µA		200 ma	1500W	22DB											-										50 V
STF6N65M2	1.6900	RFQ	300	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF6			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	4A（TC）	10V	1.35ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	9.8 NC @ 10 V	±25V	226 pf @ 100 V	-	20W（TC）
STF2N95K5	1.6800	RFQ	727	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF2N95			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						950 v	2A（TC）	10V	5ohm @ 1A，10V	5V @ 100µA	10 NC @ 10 V	30V	105 pf @ 100 V	-	20W（TC）
STB70NFS03LT4	-	RFQ	6147	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB70N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1026-STB70NFS03LT4	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						30 V	70A（TC）	5V，10V	9.5MOHM @ 35A，10V	1V @ 250µA	30 NC @ 5 V	±18V	1440 pf @ 25 V	-	100W（TC）
STL19N65M5	2.5800	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL19			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						650 v	2.3a（ta），12.5a tc）	10V	240MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1240 pf @ 100 V	-	2.8W（ta），90W（90W）TC）
stl4p3llh6	0.6200	RFQ	4	Stmicroelectronics	DeepGate™，脱衣Fet™H6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6 PowerWDFN	stl4p3			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15510-2	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						30 V	4A（ta）	4.5V，10V	56mohm @ 2a，10v	2.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±20V	639 pf @ 25 V	-	2.4W（TA）
STGWA75M65DF2	7.2800	RFQ	82	Stmicroelectronics	m	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA75	标准			468 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16975	Ear99	8541.29.0095	30				400V，75A，3.3OHM，15V															165 ns	沟渠场停止	650 v	120 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	（690µJ）（在），2.54mj coft）	225 NC	47NS/125NS
STD7NM60N	2.1700	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7NM60			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	5A（TC）	10V	900mohm @ 2.5a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	363 PF @ 50 V	-	45W（TC）
STN1NF10	0.7600	RFQ	156	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN1N			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14747-6	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						100 v	1A（TC）	10V	800mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±20V	105 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
STL160N4F7	1.5700	RFQ	7628	Stmicroelectronics	StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL160			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	120A（TC）	10V	2.5MOHM @ 16A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 25 V	-	111W（TC）
STP12N120K5	11.3400	RFQ	7545	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP12			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						1200 v	12A（TC）	10V	690MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	44.2 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 100 V	-	250W（TC）
STW19NM65N	-	RFQ	4369	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW19N			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	15.5A（TC）	10V	270MOHM @ 7.75a，10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±25V	1900 pf @ 50 V	-	150W（TC）
STP21N90K5	6.6600	RFQ	8586	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP21			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12864-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						900 v	18.5A（TC）	10V	299MOHM @ 9A，10V	5V @ 100µA	43 NC @ 10 V	±30V	1645 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STD11N60M2-EP	-	RFQ	8305	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD11			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	7.5A（TC）	10V	595MOHM @ 3.75A，10V	4.75V @ 250µA	12.4 NC @ 10 V	±25V	390 pf @ 100 V	-	85W（TC）
STGF8NC60KD	1.4800	RFQ	49	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF8	标准			24 W	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				390V，3A，10欧姆，15V															23.5 ns	-	600 v	7 a	30 a	2.75V @ 15V，3A	（55µJ）（在），85µJ（85µJ）中	19 nc	17ns/72ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²