RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
STH250N55F3-6	5.5100	RFQ	980	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH250			MOSFET （金属 o化物）		h²pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						55 v	180a（TC）	10V	2.6mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STS17NF3LL	-	RFQ	4316	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS17			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	17a（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 8.5A，10V	1V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±18V	2160 pf @ 25 V	-	3.2W（TC）
STF26N65DM2	2.1186	RFQ	8103	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF26			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	20A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	35.5 NC @ 10 V	±25V	1480 pf @ 100 V	-	30W（TC）
STP40NF10	2.5000	RFQ	4849	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP40			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						100 v	50A（TC）	10V	28mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	2180 pf @ 25 V	-	150W（TC）
STD105N10F7AG	2.6000	RFQ	2	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD105			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4369 PF @ 50 V	-	120W（TC）
STD5NK52ZD-1	-	RFQ	1375	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5965-5	Ear99	8541.29.0095	75		n通道						520 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	16.9 NC @ 10 V	±30V	529 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STP60N043DM9	6.8111	RFQ	1060	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP60N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STP60N043DM9	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	56A（TC）	10V	43mohm @ 28a，10v	4.5V @ 250µA	78.6 NC @ 10 V	±30V	4675 PF @ 400 V	-	245W（TC）
2STC2510	-	RFQ	6325	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2stc				125 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																					100 v	25 a							10µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 1.2a，12a	40 @ 12a，4V	20MHz
STP14NK60ZFP	4.6700	RFQ	8255	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP14			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	13.5A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	4.5V @ 100µA	75 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	40W（TC）
STF45N65M5	7.7700	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF45			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12939-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	35A（TC）	10V	78mohm @ 19.5a，10v	5V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±25V	3375 PF @ 100 V	-	40W（TC）
STP80NE06-10	-	RFQ	1346	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP80N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2778-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	80A（TC）	10V	10mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SD1275	-	RFQ	3567	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的		200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	M135	SD1275				70W	M135	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40							9DB														16V	8a								NPN		20 @ 250mA，5V	-	-
STB60NF10T4	-	RFQ	7224	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB60N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	80A（TC）	10V	23mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	4270 pf @ 25 V	-	300W（TC）
STP10LN80K5	3.3400	RFQ	9732	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP10			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16500-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	8A（TC）	10V	630MOHM @ 4A，10V	5V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±30V	427 PF @ 100 V	-	110W（TC）
STP8NM60D	-	RFQ	3672	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP8N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-6194-5	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	8A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	380 pf @ 25 V	-	100W（TC）
SD56120M	-	RFQ	1415	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	65 v			M252	SD56120		860MHz	ldmos		M252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15			14a		400 MA	120W	16dB											-										32 v
STP8N80K5	2.5600	RFQ	123	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP8N80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	6A（TC）	10V	950MOHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STBV45G-AP	0.5100	RFQ	5	Stmicroelectronics	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	STBV45				950兆	TO-92AP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																					400 v	750 MA							250µA	NPN	1.5V @ 135mA，400mA	5 @ 400mA，5V	-
STL24N60M6	1.7879	RFQ	3917	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL24			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						600 v	15A（TC）	10V	209MOHM @ 8.5A，10V	4.75V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±25V	960 pf @ 100 V	-	109W（TC）
STS7C4F30L	-	RFQ	9714	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS7C4			MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道							30V	7a，4a		22mohm @ 3.5a，10v	2.5V @ 250µA	23nc @ 5V		1050pf @ 25V	逻辑级别门
STW3N170	5.6200	RFQ	8648	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW3N170			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16332-5	Ear99	8541.21.0095	30		n通道						1700 v	2.6A（TC）	10V	13ohm @ 1.3a，10v	5V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 100 V	-	160MW
STL110N10F7	2.5800	RFQ	2	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL110			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						100 v	107a（TC）	10V	6mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	5117 PF @ 50 V	-	136W（TC）
STN3NF06L	1.0300	RFQ	25	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						60 V	4A（TC）	5V，10V	100mohm @ 1.5A，10V	2.8V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±16V	340 pf @ 25 V	-	3.3W（TC）
STP8NM60ND	-	RFQ	9228	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP8N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	7A（TC）	10V	700MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	560 pf @ 50 V	-	70W（TC）
MJB44H11T4	-	RFQ	5443	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	MJB44				50 W	D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																					80 V	10 a							10µA	NPN	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	-
Stu95n3llh6	-	RFQ	2982	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu95			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						30 V	80A（TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 40a，10V	2.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±25V	2200 PF @ 25 V	-	70W（TC）
PD57002	-	RFQ	6237	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	65 v			Powerso-10裸露的底部垫	PD57002		960MHz	ldmos		10-Powerso	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			250mA		10 MA	2W	15DB											-										28 V
BU941ZPFI	5.9400	RFQ	2	Stmicroelectronics	汽车	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	to-3pf	BU941				65 w	to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																					350 v	15 a							100µA	npn-达灵顿	2V @ 300mA，12a	300 @ 5A，10V	-
STGWA60V60DF	5.6200	RFQ	2949	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA60	标准			375 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，60a，4.7Ohm，15V															74 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	240 a	2.3V @ 15V，60a	（750µJ）（在550µJ上）	334 NC	60NS/208NS
2STW100	2.8800	RFQ	260	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	2STW100				130 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-11084-5	Ear99	8541.29.0095	30																					80 V	25 a							500µA	npn-达灵顿	3.5V @ 80mA，20a	500 @ 10a，3v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²