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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	晶体管类型
STD9N40M2	1.1500	RFQ	9238	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD9			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						400 v	6A（TC）	10V	800MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	8.8 NC @ 10 V	±25V	270 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STGW25S120DF3	9.0800	RFQ	25	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STGW25	标准			375 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，25a，15欧姆，15V															265 ns	沟渠场停止	1200 v	50 a	100 a	2.1V @ 15V，25a	830µJ（在）（2.37MJ）上	80 NC	31ns/147ns
STB21NM50N-1	-	RFQ	6326	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	1950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
STK820	2.7900	RFQ	8	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	Polarpak®	STK8			MOSFET （金属 o化物）		Polarpak®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						25 v	21a（21a）	4.5V，10V	7.3mohm @ 10.5a，10v	2.5V @ 250µA	9.5 NC @ 4.5 V	±16V	1425 PF @ 25 V	-	5.2W（ta）
STAC2943	109.0400	RFQ	37	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	130 v				STAC177B	STAC294		30MHz	MOSFET		STAC177B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		40a		250 MA	350W	25DB											-										50 V
Stu5n52k3	-	RFQ	7772	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu5n			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						525 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	17 NC @ 10 V	±30V	545 pf @ 100 V	-	70W（TC）
STD15N65M5	5.0500	RFQ	5074	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD15			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						650 v	11A（TC）	10V	340MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±25V	816 pf @ 100 V	-	85W（TC）
stgya50m120df3	10.0000	RFQ	1924年	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	stgya50	标准			535 w	Max247™	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-StgyA50M120DF3	Ear99	8541.29.0095	30				600V，50a，10ohm，15V															325 ns	沟渠场停止	1200 v	100 a	200 a	2.2V @ 15V，50a	2MJ（在）上，3.2MJ（3.2MJ）	194 NC	38NS/258NS
STP7N80K5	2.5600	RFQ	2999	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP7N80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13589-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	6A（TC）	10V	1.2OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	13.4 NC @ 10 V	±30V	360 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STGB15H60DF	2.5900	RFQ	390	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB15	标准			115 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，15a，10ohm，15V															103 ns	沟渠场停止	600 v	30 a	60 a	2V @ 15V，15a	（136µJ）（在），207µJ（OFF）	81 NC	24.5NS/118NS
STI35N65M5	-	RFQ	5606	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI35N			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	27a（TC）	10V	98mohm @ 13.5A，10V	5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±25V	3750 PF @ 100 V	-	160W（TC）
PD54008Tr-E	10.5270	RFQ	1847年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	25 v				Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD54008		500MHz	ldmos		Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			5a		150 ma	8W	11.5db											-										7.5 v
SCTH70N120G2V-7	31.3814	RFQ	9609	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA				sicfet （碳化硅）		H2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						1200 v	90A（TC）	18V	30mohm @ 50a，18v	4.9V @ 1mA	150 NC @ 18 V	+22V，-10V	3540 pf @ 800 V	-	469W（TC）
STGFW20V60DF	2.9100	RFQ	504	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-3P-3	STGFW20	标准			52 w	to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，20A，15V															40 ns	沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2.2V @ 15V，20A	200µJ（在）上，130µJ（OFF）	116 NC	38NS/149NS
LET9120	-	RFQ	7638	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	80 V				M246	LET9120		860MHz	ldmos		M246	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			18a		400 MA	150W	18db											-										32 v
STW62N65M5	14.4700	RFQ	4549	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™V	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STW62			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	46A（TC）	10V	49mohm @ 23A，10V	5V @ 250µA	142 NC @ 10 V	±25V	6420 PF @ 100 V	-	330W（TC）
STL86N3LLH6AG	1.0131	RFQ	1416	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™H6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	STL86			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 10.5A，10V	2.5V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	2030 pf @ 25 V	-	（4W）（60W）（TC）
STW23NM60ND	-	RFQ	3838	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	stw23n			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8454-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	19.5A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±25V	2050 pf @ 50 V	-	150W（TC）
SD2931-11W	67.1550	RFQ	4432	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	125 v				M244	SD2931		175MHz	MOSFET		M244	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		20a		250 MA	150W	15DB											-										50 V
ST9060C	76.8980	RFQ	1686年	Stmicroelectronics	-	盒子	积极的	94 V			底盘安装	M243	ST9060		1.5GHz	ldmos		M243	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			12a			80W	17.3db											-
STP35N60M2-EP	3.0791	RFQ	6975	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP35			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	26a（TC）	-	-	-		±25V		-	-
STF7N60DM2	1.5200	RFQ	2071	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STF7			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 3A，10V	4.75V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±25V	324 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STB45NF06T4	1.7400	RFQ	6265	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）		表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	STB45			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						60 V	38A（TC）	10V	28mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	1730 pf @ 25 V	-	80W（TC）
STB24N65M2	-	RFQ	3440	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB24N			MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	16A（TC）	10V	230MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1060 pf @ 100 V	-	150W（TC）
STW78N65M5	18.9700	RFQ	7566	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™V	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STW78			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						650 v	69A（TC）	10V	32MOHM @ 34.5a，10V	5V @ 250µA	203 NC @ 10 V	±25V	9000 PF @ 100 V	-	450W（TC）
STP15N65M5	2.7800	RFQ	991	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP15			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12936-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	11A（TC）	10V	340MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±25V	810 PF @ 100 V	-	125W（TC）
STF80N10F7	-	RFQ	4000	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STF80N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						100 v	40a（TC）	10V	10mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 50 V	-	30W（TC）
STD36P4LLF6	1.5200	RFQ	1787年	Stmicroelectronics	StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD36			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						40 V	36a（TC）	4.5V，10V	20.5MOHM @ 18A，10V	2.5V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±20V	2850 pf @ 25 V	-	60W（TC）
STC04IE170HV	-	RFQ	8397	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	1700V（（1.7kV）		门驱动器	通过洞	TO-247-4	STC04					TO-247-4L HV	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			4a																										npn-发射器切换双极
STB120NF10T4	4.7800	RFQ	12	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB120			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	110A（TC）	10V	10.5MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	233 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	312W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²