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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STL25N60M2-EP	4.2800	RFQ	3	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL25			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						600 v	16A（TC）	10V	205MOHM @ 8A，10V	4.75V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1090 pf @ 100 V	-	125W（TC）
STB80NF55-08T4	-	RFQ	6945	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB80N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
ST93003	-	RFQ	4657	Stmicroelectronics	-	包	过时的		-	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	ST93				40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																					400 v	1.5 a							1ma	PNP	500mv @ 100mA，500mA	16 @ 350mA，5V	-
STW18NM80	7.6800	RFQ	7149	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW18			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10085-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						800 v	17a（TC）	10V	295MOHM @ 8.5A，10V	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	2070 pf @ 50 V	-	190w（TC）
SCT055HU65G3AG	14.3300	RFQ	95	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	SCT055			sicfet （碳化硅）		hu3pak	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	600		n通道						650 v	30A（TC）	15V，18V	72MOHM @ 15a，18v	4.2V @ 1mA	29 NC @ 18 V	+22V，-10V	721 PF @ 400 V	-	185W（TC）
STL90N10F7	2.3400	RFQ	2	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL90			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						100 v	70A（TC）	10V	10.5MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	5W（5W），100W（100W）TC）
STW37N60DM2AG	6.8000	RFQ	8690	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW37			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	28a（TC）	10V	110mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±25V	2400 PF @ 100 V	-	210W（TC）
STL12P6F6	1.1100	RFQ	5	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL12			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						60 V	4A（TC）	10V	160MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	6.4 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 48 V	-	75W（TC）
STH245N75F3-6	-	RFQ	7491	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F3	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH245			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						75 v	180a（TC）	10V	3MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STFW69N65M5	14.0800	RFQ	227	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STFW69			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	58A（TC）	10V	45mohm @ 29a，10v	5V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±25V	6420 PF @ 100 V	-	79W（TC）
Bul59	-	RFQ	1703	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul59				90 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																					400 v	8 a							200µA	NPN	1.5V @ 1a，5a	6 @ 5A，5V	-
STFW1N105K3	2.5098	RFQ	5044	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STFW1			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						1050 v	1.4A（TC）	10V	11ohm @ 600mA，10v	4.5V @ 50µA	13 NC @ 10 V	±30V	180 pf @ 100 V	-	20W（TC）
STGFW30NC60V	6.4500	RFQ	279	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STGFW30	标准			80 W	to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				390V，20a，3.3孔，15V																-	600 v	36 a	100 a	2.5V @ 15V，20A	（220µJ）（在330µJ上）	100 NC	31ns/100ns
STP140N8F7	3.3200	RFQ	6768	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP140			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						80 V	90A（TC）	10V	4.3MOHM @ 45A，10V	4.5V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±20V	6340 pf @ 40 V	-	200W（TC）
BD243C	-	RFQ	6235	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD243				65 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					100 v	6 a							700µA	NPN	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	-
STT13005	-	RFQ	9281	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	STT13				45 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					400 v	2 a							250µA	NPN	1.5V @ 400mA，1.6a	10 @ 500mA，5V	-
STF28NM50N	6.3800	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF28			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	21a（TC）	10V	158mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	1735 PF @ 25 V	-	35W（TC）
STFI12N60M2	1.6100	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI12N			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	9A（TC）	10V	450MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	538 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STD13NM50N	-	RFQ	7081	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					STD13						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	2,500
Stu2LN60K3	-	RFQ	100	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu2LN60			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						600 v	2A（TC）	10V	4.5OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	12 nc @ 10 V	±30V	235 pf @ 50 V	-	45W（TC）
STW43NM60N	-	RFQ	9252	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW43N			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	35A（TC）	10V	88mohm @ 17.5A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	4200 PF @ 50 V	-	255W（TC）
STN2NE10L	-	RFQ	3412	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	stn2n			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						100 v	1.8A（TC）	5V，10V	400MOHM @ 1A，10V	3V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
STL7N6F7	0.7300	RFQ	9097	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6 PowerWDFN	STL7			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	7A（TC）	10V	25mohm @ 3.5a，10v	4V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	2.4W（TA）
STD2NK70Z-1	-	RFQ	8571	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD2N			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						700 v	1.6A（TC）	10V	7ohm @ 800mA，10v	4.5V @ 50µA	11.4 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STP78N75F4	0.9700	RFQ	371	Stmicroelectronics	DeepGate™，diveFet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP78N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						75 v	78A（TC）	10V	11mohm @ 39a，10v	4V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	5015 PF @ 25 V	-	150W（TC）
STQ1NK80ZR-AP	0.8700	RFQ	6693	Stmicroelectronics	SuperMesh™	（CT）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	STQ1NK80			MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						800 v	300mA（TC）	10V	16ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	160 pf @ 25 V	-	3W（TC）
STFI11N65M2	-	RFQ	9947	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	stfi11n			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	7A（TC）	10V	670MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	12.5 NC @ 10 V	±25V	410 pf @ 100 V	-	25W（TC）
RF5L051K0CB4	172.5000	RFQ	5027	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v		底盘安装	D4E	RF5L051K0		500MHz	ldmos		D4E	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L051K0CB4			100	-		1µA		200 ma	1000W	21dB											-										50 V
STGW45HF60WDI	-	RFQ	1412	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW45	标准			250 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10402-5	Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，4.7Ohm，15V															90 ns	-	600 v	70 a	150 a	2.5V @ 15V，30a	330µJ（）	160 NC	- /145ns
PD54008S-E	-	RFQ	9915	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	25 v			Powerso-10裸露的底部垫	PD54008		500MHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			5a		150 ma	8W	11.5db											-										7.5 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²