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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STF36N60M6	6.3400	RFQ	6727	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF36			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	30A（TC）	10V	99mohm @ 15a，10v	4.75V @ 250µA	44.3 NC @ 10 V	±25V	1960 pf @ 100 V	-	40W（TC）
STB16NF25	-	RFQ	1040	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB16N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						30 V	14.5A（TC）		4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V		4490 pf @ 12 V	-	-
STP80NE06-10	-	RFQ	1346	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP80N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2778-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	80A（TC）	10V	10mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 25 V	-	150W（TC）
STP10N80K5	1.7574	RFQ	6104	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP10			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						800 v	9A（TC）	10V	600MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 100µA	22 NC @ 10 V	±30V	635 pf @ 100 V	-	130W（TC）
STF19NM50N	4.5600	RFQ	996	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF19			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	14A（TC）	10V	250MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1000 pf @ 50 V	-	30W（TC）
STD5NK40ZT4	0.6123	RFQ	9929	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD5NK40			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						400 v	3A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	17 NC @ 10 V	±30V	305 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STP20NM60FD	6.5100	RFQ	9315	Stmicroelectronics	FDMESH™	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP20			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	20A（TC）	10V	290MOHM @ 10A，10V	5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 25 V	-	192W（TC）
STGB20NB37LZT4	-	RFQ	1912年	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB20	标准			200 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-6567-1	Ear99	8541.29.0095	1,000				250V，20A，1KOHM，4.5V																-	425 v	40 a	80 a	2V @ 4.5V，20a	11.8MJ（）	51 NC	2.3µs/2µs
STL3N80K5	0.7650	RFQ	4586	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					STL3						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
STF20N60M2-EP	1.1772	RFQ	6860	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF20			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	13A（TC）	10V	-	4.75V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±25V		-	-
STB11NM60FDT4	-	RFQ	9160	Stmicroelectronics	FDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB11			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	11A（TC）	10V	450MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	900 pf @ 25 V	-	160W（TC）
STD155N3H6	2.0600	RFQ	1	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD15			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-497-11307-6	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	80A（TC）	10V	3mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	3650 pf @ 25 V	-	110W（TC）
STW50N65DM6	9.2200	RFQ	8855	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW50			MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STW50N65DM6	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	33A（TC）	10V	91MOHM @ 16.5A，10V	4.75V @ 250µA	52.5 NC @ 10 V	±25V	52500 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STB30NM50N	-	RFQ	9786	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB30N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						500 v	27a（TC）	10V	115MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 250µA	94 NC @ 10 V	±25V	2740 pf @ 50 V	-	190w（TC）
STB80NF55-08T4	-	RFQ	6945	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB80N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
TIP126	-	RFQ	1039	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP126				2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					80 V	5 a							500µA	pnp-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
MMBTA42	-	RFQ	5997	Stmicroelectronics	SOT-23	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT				350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					300 v	100 ma							250NA（ICBO）	NPN	200mv @ 2mA，20mA	60 @ 1mA，10v	50MHz
STGW40N120KD	-	RFQ	1794年	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW40	标准			240 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10000-5	Ear99	8541.29.0095	30				960V，30a，10ohm，15V															84 ns	-	1200 v	80 a	120 a	3.85V @ 15V，30a	3.7MJ（在）上，5.7MJ（5.7MJ）	126 NC	48NS/338NS
STH180N4F6-2	-	RFQ	7925	Stmicroelectronics	StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH180			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						40 V	120A（TC）	10V	2.4mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	7735 pf @ 25 V	-	190w（TC）
STD55NH2LLT4	-	RFQ	1488	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD55N			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						24 V	40a（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 20a，10v	1V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±16V	990 pf @ 25 V	-	60W（TC）
MJE3055T	1.1400	RFQ	2152	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE3055				75 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					60 V	10 a							700µA	NPN	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
Bul128	-	RFQ	9670	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul128				70 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					400 v	4 a							100µA	NPN	500MV @ 1A，4A	14 @ 2a，5v	-
TIP42A	1.1800	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示42				2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					60 V	6 a							700µA	PNP	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	-
MJD50T4	-	RFQ	3325	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD50				15 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																					400 v	1 a							100µA	NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
PD57018TR-E	30.3600	RFQ	4020	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v			Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD57018		945MHz	ldmos		Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			2.5a		100 ma	18W	16.5db											-										28 V
STD3NM60N	1.2200	RFQ	6013	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD3			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	3.3A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.65a，10V	4V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±25V	188 pf @ 50 V	-	50W（TC）
SD2942W	163.3500	RFQ	82	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	130 v			M244	SD2942		175MHz	MOSFET		M244	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	n通道		40a		500 MA	350W	17dB											-										50 V
STD5NM60-1	2.7500	RFQ	87	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD5NM60			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						600 v	5A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	400 pf @ 25 V	-	96W（TC）
STP40NF10	2.5000	RFQ	4849	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP40			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						100 v	50A（TC）	10V	28mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	2180 pf @ 25 V	-	150W（TC）
L6221AS	-	RFQ	5765	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	-	L6221				1W	16-PowerDip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20																					50V	1.8a							-	4 npn darlington（四Quad）	1.6V @ 1.8A	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²