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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STB100NF03L-03T4	3.7600	RFQ	3	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB100N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 50a，10v	2.5V @ 250µA	88 NC @ 5 V	±16V	6200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MMBTA42	-	RFQ	5997	Stmicroelectronics	SOT-23	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT				350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																				300 v	100 ma							250NA（ICBO）	NPN	200mv @ 2mA，20mA	60 @ 1mA，10v	50MHz
IRF830	-	RFQ	9790	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF8			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.7a，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	-	100W（TC）
STLD128DNT4	0.9400	RFQ	37	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STLD128				20 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8786-2	Ear99	8541.29.0095	2,500																				400 v	4 a							250µA	NPN	1V @ 400mA，2a	8 @ 2a，5v	-
STGW60H65DF	-	RFQ	5038	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW60	标准			360 w	TO-247-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，60a，10ohm，15V															62 ns	沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	1.9V @ 15V，60a	1.5MJ（在）上，1.1MJ off）	206 NC	67NS/165NS
MJE3055T	1.1400	RFQ	2152	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE3055				75 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				60 V	10 a							700µA	NPN	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
STD50NH02LT4	-	RFQ	3404	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD50N			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						24 V	50A（TC）	5V，10V	10.5MOHM @ 25A，10V	1.8V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	60W（TC）
STD6N65M2	1.4100	RFQ	3793	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD6N65			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						650 v	4A（TC）	10V	1.35ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	9.8 NC @ 10 V	±25V	226 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STD60NH03L-1	-	RFQ	1231	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD60N			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道						30 V	60a（TC）	5V，10V	9mohm @ 30a，10v	1V @ 250µA	21 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	70W（TC）
STD55NH2LLT4	-	RFQ	1488	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD55N			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						24 V	40a（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 20a，10v	1V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±16V	990 pf @ 25 V	-	60W（TC）
TIP126	-	RFQ	1039	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP126				2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				80 V	5 a							500µA	pnp-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
STP5N80K5	1.8700	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP5N80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16933	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						800 v	4A（TC）	10V	1.75OHM @ 2A，10V	5V @ 100µA	5 NC @ 10 V	±30V	177 PF @ 100 V	-	60W（TC）
STY60NK30Z	12.7300	RFQ	380	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Sty60			MOSFET （金属 o化物）		Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道						300 v	60a（TC）	10V	45mohm @ 30a，10v	4.5V @ 100µA	220 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	450W（TC）
STB12NM50FDT4	-	RFQ	4372	Stmicroelectronics	FDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB12N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						500 v	12A（TC）	10V	400mohm @ 6a，10v	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	160W（TC）
stt13005fp	0.9200	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	STT13				30 W	SOT-32FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																				400 v	2 a							250µA	NPN	1.5V @ 400mA，1.6a	10 @ 500mA，5V	-
SD56120M	-	RFQ	1415	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	65 v			M252	SD56120		860MHz	ldmos		M252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15		14a		400 MA	120W	16dB											-										32 v
STD5N80K5	1.7800	RFQ	3167	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD5N80			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						800 v	4A（TC）	10V	1.75OHM @ 2A，10V	5V @ 100µA	5 NC @ 10 V	±30V	177 PF @ 100 V	-	60W（TC）
STW69N65M5-4	13.1900	RFQ	510	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW69			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14039-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道						650 v	58A（TC）	10V	45mohm @ 29a，10v	5V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±25V	6420 PF @ 100 V	-	330W（TC）
STB23NM60ND	-	RFQ	5502	Stmicroelectronics	FDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB23N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8472-2	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						600 v	19.5A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±25V	2050 pf @ 50 V	-	150W（TC）
STGD7NB60KT4	1.5900	RFQ	1	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD7	标准			70 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			480V，7A，10欧姆，15V																-	600 v	14 a	56 a	2.8V @ 15V，7a	（95µJ）（在），140µj（（（（（）	32.7 NC	15NS/50NS
STL260N3LLH6	-	RFQ	1422	Stmicroelectronics	StripFet™H6	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL260			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道						30 V	260a（TC）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 22.5A，10V	1V @ 250µA（250µA）	61.5 NC @ 4.5 V	±20V	6375 PF @ 25 V	-	166W（TC）
STFI12N60M2	1.6100	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI12N			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	9A（TC）	10V	450MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	538 pf @ 100 V	-	25W（TC）
TIP42A	1.1800	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示42				2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				60 V	6 a							700µA	PNP	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	-
STD3NM60N	1.2200	RFQ	6013	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD3			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						600 v	3.3A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.65a，10V	4V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±25V	188 pf @ 50 V	-	50W（TC）
STGWA60V60DF	5.6200	RFQ	2949	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA60	标准			375 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，60a，4.7Ohm，15V															74 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	240 a	2.3V @ 15V，60a	（750µJ）（在550µJ上）	334 NC	60NS/208NS
STD5NM60-1	2.7500	RFQ	87	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD5NM60			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道						600 v	5A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	400 pf @ 25 V	-	96W（TC）
STW68N65DM6	7.7157	RFQ	5334	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW68			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STW68N65DM6	Ear99	8541.29.0095	600	n通道						650 v	55A（TC）	10V	59MOHM @ 24A，10V	4.75V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±25V	3528 PF @ 100 V	-	431W（TC）
Bul128	-	RFQ	9670	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul128				70 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				400 v	4 a							100µA	NPN	500MV @ 1A，4A	14 @ 2a，5v	-
STB11N65M5	1.1903	RFQ	2151	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB11			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						650 v	9A（TC）	10V	480MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	644 pf @ 100 V	-	85W（TC）
STS4NF100	-	RFQ	6417	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS4N			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						100 v	4A（TC）	10V	70MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²