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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
bul310fp	-	RFQ	8934	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Bul310				36 W		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12149	Ear99	8541.29.0095	50																					500 v	5 a							250µA			NPN	1.1V @ 600mA，3a	6 @ 3A，2.5V	-
BD243C	-	RFQ	6235	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD243				65 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					100 v	6 a							700µA			NPN	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	-
STAC3933	106.4500	RFQ	9	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	250 v			STAC177B	STAC393		30MHz	MOSFET			STAC177B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	n通道		20a		250 MA	350W	29dB											-										100 v
STL35N15F3	3.7100	RFQ	1	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL35			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						150 v	33A（TC）	10V	40mohm @ 3.5a，10v	4V @ 250µA	49.4 NC @ 10 V	±20V	1905 pf @ 25 V	-	80W（TC）
stgya120m65df2	15.4700	RFQ	600	Stmicroelectronics	m	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3暴露垫	stgya120	标准			625 w		Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16976	Ear99	8541.29.0095	30				400V，120A，4.7OHM，15V															202 ns	NPT，沟渠场停止	650 v	160 a	360 a	1.95V @ 15V，120a	1.8mj（在）上，4.41mj off）	420 NC	66NS/185NS
L6221CD013TR	-	RFQ	9505	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	L6221				-		20-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																					60V	1.2a							-			4 npn darlington（四Quad）	-	-	-
L6221AD013TR	-	RFQ	3712	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	L6221				1W		20-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																					50V	1.8a							-			4 npn darlington（四Quad）	1.6V @ 1.8A	-	-
A1P50S65M2-F	45.9683	RFQ	2395	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	A1P50				208 w	标准	Acepack™1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	三相逆变器																			沟渠场停止	650 v	50 a		2.3V @ 15V，50a					100 µA	是的	4.15 NF @ 25 V
PD55025	-	RFQ	3020	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	40 V			Powerso-10裸露的底部垫	PD55025		500MHz	ldmos			10-Powerso	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			7a		200 ma	25W	14.5db											-										12.5 v
STL65DN3LLH5	-	RFQ	3639	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL65			MOSFET （金属 o化物）	60W		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							30V	65a		6.5MOHM @ 9.5A，10V	1.5V @ 250µA	12nc @ 4.5V		1500pf @ 25V	逻辑级别门
BULB903EDT4	-	RFQ	3547	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	-	Bulb903						-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																													-			NPN	-	-	-
Bul128-K	-	RFQ	9546	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul128				70 W		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250																					400 v	4 a							200µA			NPN	500MV @ 1A，4A	14 @ 2a，5v	-
STH185N10F3-6	-	RFQ	6218	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F3	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH185			MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	180a（TC）	10V	4.5mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	114.6 NC @ 10 V	±20V	6665 PF @ 25 V	-	315W（TC）
STAC2943	109.0400	RFQ	37	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	130 v			STAC177B	STAC294		30MHz	MOSFET			STAC177B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		40a		250 MA	350W	25DB											-										50 V
RF3L05150CB4	166.2300	RFQ	123	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	90 v		底盘安装	LBB			1GHz	ldmos			LBB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100			1µA		500 MA	150W	23dB											-										28 V
SD57045-01	67.1550	RFQ	5906	Stmicroelectronics	-	盒子	积极的	65 v			M250	SD57045		945MHz	ldmos			M250	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			5a		250 MA	45W	15DB											-										28 V
STH315N10F7-6	6.1000	RFQ	1092	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Deepgate™，dripfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH315			MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14719-2	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	180a（TC）	10V	2.3MOHM @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	12800 PF @ 25 V	-	315W（TC）
2SC5200	-	RFQ	7767	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	2SC5				150 w		TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	25																					230 v	15 a							5µA（ICBO）			NPN	3V @ 800mA，8a	55 @ 1A，5V	30MHz
SCT30N120D2	-	RFQ	7067	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT30			sicfet （碳化硅）			HIP247™	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	490		n通道						1200 v	40a（TC）	20V	100mohm @ 20a，20v	3.5V @ 1mA	105 NC @ 20 V	+25V，-10V	1700 PF @ 400 V	-	270W（TC）
STGB20NB32LZ	-	RFQ	3659	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB20	标准			150 w		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				250V，20A，1KOHM，4.5V																-	375 v	40 a	80 a	2V @ 4.5V，20a	11.8MJ（）	51 NC	2.3µs/11.5µs
PD85004	-	RFQ	8401	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		表面安装	TO-243AA	PD85004		870MHz	ldmos			SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			2a		50 mA	4W	17dB											-										13.6 v
TIP36CW	2.8300	RFQ	1905年	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	提示36				125 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4634-5	Ear99	8541.29.0095	30																					100 v	25 a							1ma			PNP	4V @ 5a，25a	10 @ 15a，4V	3MHz
ULQ2003D1013	1.0200	RFQ	45	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ULQ2003				-		16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																					50V	500mA							-			7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
STP60NF06FP	1.8100	RFQ	9624	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP60			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	30A（TC）	10V	16mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	1810 PF @ 25 V	-	30W（TC）
STGW30NC60VD	4.6400	RFQ	205	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW30	标准			250 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				390V，20a，3.3孔，15V															44 ns	-	600 v	80 a	150 a	2.5V @ 15V，20A	（220µJ）（在330µJ上）	100 NC	31ns/100ns
Bul138	1.5900	RFQ	224	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul138				80 W		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					400 v	5 a							250µA			NPN	700mv @ 1a，5a	8 @ 2a，5v	-
STW45NM60	14.0100	RFQ	4086	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW45			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	45A（TC）	10V	110MOHM @ 22.5a，10V	5V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±30V	3800 PF @ 25 V	-	417W（TC）
SD1446	-	RFQ	4207	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的		200°C（TJ）	表面安装	M113	SD1446				183W		M113	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25							10dB														18V	12a										NPN		10 @ 5A，5V	-	-
STF23N80K5	5.4700	RFQ	43	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF23			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16305-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	16A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	5V @ 100µA	33 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 100 V	-	35W（TC）
PD55025TR-E	29.6600	RFQ	4289	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V			Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD55025		500MHz	ldmos			Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			7a		200 ma	25W	14.5db											-										12.5 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²