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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STP10P6F6	1.2600	RFQ	1	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP10			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道						60 V	10A（TC）	10V	160MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	6.4 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 48 V	-	30W（TC）
STB9NK80Z	2.4000	RFQ	5734	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB9			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						800 v	5.2A（TC）	10V	1.8OHM @ 2.6a，10V	4.5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±30V	1138 PF @ 25 V	-	125W（TC）
STW30N65M5	6.3400	RFQ	588	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW30			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	22a（TC）	10V	139mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±25V	2880 pf @ 100 V	-	140W（TC）
STI300N4F6	-	RFQ	2332	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI300			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	160a（TC）	10V	2.2MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	13800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BFX34	-	RFQ	9640	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	BFX34				870兆		到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	100																					60 V	5 a							10µA			NPN	1V @ 500mA，5a	40 @ 2a，2v	100MHz
STL110N10F7	2.5800	RFQ	2	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL110			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						100 v	107a（TC）	10V	6mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	5117 PF @ 50 V	-	136W（TC）
MJB44H11T4-A	1.3200	RFQ	8796	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MJB44				50 W		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																					80 V	10 a							10µA			NPN	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	-
STD16N60M2	2.0000	RFQ	9521	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD16			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	700 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STH6N95K5-2	2.8400	RFQ	9290	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH6			MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						950 v	6A（TC）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 100 V	-	110W（TC）
SCTWA40N120G2V	15.0645	RFQ	5994	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCTWA40			MOSFET （金属 o化物）			TO-247长铅	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-SCTWA40N120G2V	Ear99	8541.29.0095	600		n通道						1200 v	36a（TC）	18V	100mohm @ 20a，18v	4.9V @ 1mA	61 NC @ 18 V	+18V，-5V	1233 PF @ 800 V	-	278W（TC）
STL73D	0.3300	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	包	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	STL73				1.5 w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																					400 v	1.5 a							-			NPN	1V @ 250mA，1a	10 @ 600mA，3v	-
STD790AT4	-	RFQ	2608	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD790				15 W		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																					30 V	3 a							10µA（ICBO）			PNP	700mv @ 100mA，3a	100 @ 500mA，2V	100MHz
STGE50NC60WD	-	RFQ	7071	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	STGE50				260 w	标准	同位素	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	497-8781-5	Ear99	8541.29.0095	10	单身的																			-	600 v	100 a		2.6V @ 15V，40a					500 µA	不	4.7 NF @ 25 V
STL60P4LLF6	1.6400	RFQ	9	Stmicroelectronics	StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL60			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						40 V	60a（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 6.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	34 NC @ 4.5 V	±20V	3525 pf @ 25 V	-	100W（TC）
STF11N60DM2	1.8900	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF11			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16960	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	10A（TC）	10V	420MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±25V	614 PF @ 100 V	-	25W（TC）
buy69a	-	RFQ	4732	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	购买69				100 W		TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																					400 v	10 a							1ma			NPN	3.3V @ 2.5a，8a	15 @ 2.5A，10V	10MHz
ST13009	1.8200	RFQ	793	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ST13009				100 W		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					400 v	12 a							-			NPN	2.5V @ 3a，12a	10 @ 8a，5v	-
STB6NK90ZT4	3.2000	RFQ	2416	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB6			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						900 v	5.8A（TC）	10V	2ohm @ 2.9a，10v	4.5V @ 100µA	60.5 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 25 V	-	140W（TC）
STB18NM60N	-	RFQ	3908	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB18N			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	13A（TC）	10V	285mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±25V	1000 pf @ 50 V	-	110W（TC）
STWA68N65DM6AG	7.9990	RFQ	9113	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA68			MOSFET （金属 o化物）			TO-247长铅	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STWA68N65DM6AG	Ear99	8541.29.0095	600		n通道						650 v	72A（TC）	10V	39mohm @ 36a，10v	4.75V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±25V	5900 PF @ 100 V	-	480W（TC）
STP100N8F6	1.6100	RFQ	41	Stmicroelectronics	StripFet™F6	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP100			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15553-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						80 V	100A（TC）	10V	9mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5955 pf @ 25 V	-	176W（TC）
STP11NK50ZFP	3.0400	RFQ	518	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP11			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5973-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	10A（TC）	10V	520MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 100µA	68 NC @ 10 V	±30V	1390 pf @ 25 V	-	30W（TC）
BULB903EDT4	-	RFQ	3547	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	-	Bulb903						-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																													-			NPN	-	-	-
STGW30NC60VD	4.6400	RFQ	205	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW30	标准			250 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				390V，20a，3.3孔，15V															44 ns	-	600 v	80 a	150 a	2.5V @ 15V，20A	（220µJ）（在330µJ上）	100 NC	31ns/100ns
2SC5200	-	RFQ	7767	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	2SC5				150 w		TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	25																					230 v	15 a							5µA（ICBO）			NPN	3V @ 800mA，8a	55 @ 1A，5V	30MHz
SCT30N120D2	-	RFQ	7067	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT30			sicfet （碳化硅）			HIP247™	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	490		n通道						1200 v	40a（TC）	20V	100mohm @ 20a，20v	3.5V @ 1mA	105 NC @ 20 V	+25V，-10V	1700 PF @ 400 V	-	270W（TC）
PD85004	-	RFQ	8401	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		表面安装	TO-243AA	PD85004		870MHz	ldmos			SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			2a		50 mA	4W	17dB											-										13.6 v
Bul138	1.5900	RFQ	224	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul138				80 W		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					400 v	5 a							250µA			NPN	700mv @ 1a，5a	8 @ 2a，5v	-
STGB20NB32LZ	-	RFQ	3659	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB20	标准			150 w		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				250V，20A，1KOHM，4.5V																-	375 v	40 a	80 a	2V @ 4.5V，20a	11.8MJ（）	51 NC	2.3µs/11.5µs
STH315N10F7-6	6.1000	RFQ	1092	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Deepgate™，dripfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH315			MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14719-2	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	180a（TC）	10V	2.3MOHM @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	12800 PF @ 25 V	-	315W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²