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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STB21N90K5	6.6500	RFQ	3664	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB21			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						900 v	18.5A（TC）	10V	299MOHM @ 9A，10V	5V @ 100µA	43 NC @ 10 V	±30V	1645 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STF25NM50N	-	RFQ	8355	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF25			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4655-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						500 v	22a（TC）	10V	140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±25V	2565 PF @ 25 V	-	40W（TC）
STW30NM50N	8.6200	RFQ	222	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw30n			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道						500 v	27a（TC）	10V	115MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 250µA	94 NC @ 10 V	±25V	2740 pf @ 50 V	-	190w（TC）
STH185N10F3-6	-	RFQ	6218	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F3	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH185			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						100 v	180a（TC）	10V	4.5mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	114.6 NC @ 10 V	±20V	6665 PF @ 25 V	-	315W（TC）
2STC5200	-	RFQ	1926年	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	2stc				150 w	TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	25																			230 v	15 a							5µA（ICBO）	NPN	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz
ST13003D-K	0.7100	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	ST13003				40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																			400 v	1.5 a							1ma	NPN	3V @ 500mA，1.5a	5 @ 1A，2V	-
STW25NM60ND	-	RFQ	5059	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW25N			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8455-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道						600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±25V	2400 pf @ 50 V	-	160W（TC）
STS6NF20V	0.8300	RFQ	14	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS6NF20			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						20 v	6A（TC）	1.95V，4.5V	40mohm @ 3A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	11.5 NC @ 4.5 V	±12V	460 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
STFI260N6F6	4.3200	RFQ	297	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI260N			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						60 V	80A（TC）	10V	3mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	183 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 25 V	-	41.7W（TC）
STD6N60DM2	0.6298	RFQ	9871	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD6N60			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						600 v	5A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.5A，10V	4.75V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	±25V	274 PF @ 100 V	-	60W（TC）
STP42N60M2-EP	6.9200	RFQ	9226	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP42			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	34A（TC）	10V	87mohm @ 17a，10v	4.75V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±25V	2370 pf @ 100 V	-	250W（TC）
STP40NF03L	1.0700	RFQ	1	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP40			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						30 V	40a（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	770 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STGD18N40LZ-1	-	RFQ	8467	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STGD18	逻辑			125 w	我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			300V，10A，5V															-	420 v	25 a	40 a	1.7V @ 4.5V，10a	-	29 NC	650NS/13.5µS
STN3NF06	1.0700	RFQ	8532	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道						60 V	4A（TC）	10V	100mohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	315 pf @ 25 V	-	3.3W（TC）
PD84008L-E	-	RFQ	5654	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v			8-Powervdfn	PD84008		870MHz	ldmos		PowerFlat™（5x5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		7a		250 MA	2W	15.5db											-									7.5 v
Bul128fp	-	RFQ	5799	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Bul128				31 W	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																			400 v	4 a							100µA	NPN	500MV @ 1A，4A	14 @ 2a，5v	-
STGWT40H65FB	4.3000	RFQ	416	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT40	标准			283 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，5ohm，15V															沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2.3V @ 15V，40a	（498MJ）（在363mj上）	210 NC	40NS/142NS
PD85025STR-E	-	RFQ	4019	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V			Powerso-10rf 暴露的底部垫（连续 2条线）	PD85025		870MHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		7a		300 MA	10W	17.3db											-									13.6 v
STD5NK50Z-1	-	RFQ	3812	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD5N			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道						500 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	28 NC @ 10 V	±30V	535 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STD4N62K3	1.9100	RFQ	433	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD4N62			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						620 v	3.8A（TC）	10V	1.95OHM @ 1.9A，10V	4.5V @ 50µA	14 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 50 V	-	70W（TC）
SCT20N120	17.0800	RFQ	127	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT20			sicfet （碳化硅）		HIP247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15170	Ear99	8541.29.0095	30	n通道						1200 v	20A（TC）	20V	290MOHM @ 10a，20v	3.5V @ 1mA	45 NC @ 20 V	+25V，-10V	650 pf @ 400 V	-	175W（TC）
STW23N85K5	7.3200	RFQ	2254	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW23			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道						850 v	19a（tc）	10V	275MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±30V	1650 pf @ 100 V	-	250W（TC）
Ste48nm50	30.5400	RFQ	3141	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		150°C（TJ）	底盘安装	同位素	Ste48			MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道						550 v	48A（TC）	10V	100mohm @ 24a，10v	5V @ 250µA	117 NC @ 10 V	±30V	3700 PF @ 25 V	-	450W（TC）
STP75NF20	4.5100	RFQ	5472	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP75			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5958-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						200 v	75A（TC）	10V	34mohm @ 37A，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±20V	3260 pf @ 25 V	-	190w（TC）
STX616	-	RFQ	3139	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	STX616				2.8 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																			500 v	1.5 a							50µA	NPN	1V @ 200mA，1a	12 @ 500mA，5V	-
STB25NM60ND	-	RFQ	3311	Stmicroelectronics	FDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB25N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±25V	2400 pf @ 50 V	-	160W（TC）
STF20N60M2-EP	1.1772	RFQ	6860	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF20			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						600 v	13A（TC）	10V	-	4.75V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±25V		-	-
MJD3055T4	1.2300	RFQ	9498	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD3055				20 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																			60 V	10 a							50µA	NPN	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
Stu5nk50z	-	RFQ	1114	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					Stu5n						-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的		3,000
STW40N60M2	8.7300	RFQ	600	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW40			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道						600 v	34A（TC）	10V	88mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 100 V	-	250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²