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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SCT1000N170	14.5400	RFQ	8939	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT1000			sicfet （碳化硅）		HIP247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600	n通道						1700 v	7A（TC）	20V	1.3OHM @ 3A，20V	3.5V @ 1mA	13.3 NC @ 20 V	+22V，-10V	133 pf @ 1000 V	-	96W（TC）
STW20NM60	6.3500	RFQ	7417	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW20			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道						600 v	20A（TC）	10V	290MOHM @ 10A，10V	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	192W（TC）
SCT011H75G3AG	-	RFQ	4052	Stmicroelectronics	*	（CT）	积极的					SCT011H						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
STFN42	-	RFQ	3982	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	STFN42				1.4 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																				400 v	1 a							100µA	NPN	1.5V @ 250mA，750mA	10 @ 400mA，5V	-
BDX53C	1.3000	RFQ	2448	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX53				60 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				100 v	8 a							500µA	npn-达灵顿	2V @ 12mA，3a	750 @ 3a，3v	-
STB34N65M5	6.5400	RFQ	5674	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB34			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						650 v	28a（TC）	10V	110mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	62.5 NC @ 10 V	±25V	2700 PF @ 100 V	-	190w（TC）
STGWT38IH130D	4.6300	RFQ	216	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STGWT38	标准			250 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，20a，10ohm，15V																-	1300 v	63 a	125 a	2.8V @ 15V，20A	3.4MJ（）	127 NC	- /284ns
STGFW30NC60V	6.4500	RFQ	279	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STGFW30	标准			80 W	to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			390V，20a，3.3孔，15V																-	600 v	36 a	100 a	2.5V @ 15V，20A	（220µJ）（在330µJ上）	100 NC	31ns/100ns
STGFW40H65FB	-	RFQ	4066	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STGFW40	标准			62.5 w	TO-3PF-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，5ohm，15V																沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	（498µJ）（在363µJ上）	210 NC	40NS/142NS
PD20010S-E	-	RFQ	3730	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	40 V			Powerso-10rf 暴露的底部垫（连续 2条线）	PD20010		2GHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		5a		150 ma	10W	11DB											-										13.6 v
BDW93C	0.9600	RFQ	3739	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDW93				80 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				100 v	12 a							1ma	npn-达灵顿	3V @ 100mA，10a	750 @ 5A，3V	-
STP65N045M9	6.6693	RFQ	6839	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP65N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	497-STP65N045M9	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						650 v	55A（TC）	10V	45mohm @ 28a，10v	4.2V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±30V	4610 PF @ 400 V	-	245W（TC）
LET9120	-	RFQ	7638	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	80 V			M246	LET9120		860MHz	ldmos		M246	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		18a		400 MA	150W	18db											-										32 v
STP10LN80K5	3.3400	RFQ	9732	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP10			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16500-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						800 v	8A（TC）	10V	630MOHM @ 4A，10V	5V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±30V	427 PF @ 100 V	-	110W（TC）
STP50N65DM6	-	RFQ	2838	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP50			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						650 v	33A（TC）	10V	91MOHM @ 16.5A，10V	4.75V @ 250µA	52.5 NC @ 10 V	±25V	2300 PF @ 100 V	-	250W（TC）
2STL2580-AP	-	RFQ	5970	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2stl				1.5 w	to-92mod	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				400 v	1 a							10µA（ICBO）	NPN	1V @ 200mA，1a	60 @ 250mA，5V	-
ST13003D-K	0.7100	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	ST13003				40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																				400 v	1.5 a							1ma	NPN	3V @ 500mA，1.5a	5 @ 1A，2V	-
2N6039	-	RFQ	5126	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2N60				40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				80 V	4 a							100µA	npn-达灵顿	3V @ 40mA，4a	750 @ 2a，3v	-
STP78NF55-08	-	RFQ	8323	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞		STP78N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	3740 pf @ 25 V	-	300W（TC）
BC847B	-	RFQ	9179	Stmicroelectronics	SOT-23	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847				200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				45 v	100 ma							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
STP4NK60ZFP	1.9000	RFQ	6	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP4NK60			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5980-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 2a，10v	4.5V @ 50µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	25W（TC）
2N5657	-	RFQ	9304	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2N56				20 w	SOT-32-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2623-5	Ear99	8541.29.0095	50																				350 v	500 MA							100µA	NPN	10V @ 100mA，500mA	30 @ 100mA，10v	10MHz
STW20N90K5	7.3600	RFQ	582	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW20			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17089	Ear99	8541.29.0095	30	n通道						900 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 100 V	-	250W（TC）
LET9045TR	-	RFQ	8770	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	80 V			Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	LET9045		960MHz	ldmos		Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		1µA		300 MA	45W	18.5db											-										28 V
TIP41CN	-	RFQ	9495	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示41				65 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4635-5	Ear99	8541.29.0095	1,000																				100 v	6 a							700µA	NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	-
ST2111FX	-	RFQ	2266	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	ISOWATT218FX	ST2111				65 w	ISOWATT-218FX	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	300																				700 v	12 a							1ma	NPN	3V @ 2a，8a	4.5 @ 8a，5v	-
STP410N4F7AG	-	RFQ	9072	Stmicroelectronics	StripFet™F7	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3	STP410			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						40 V	180a（TC）	4.5V，10V	-	-		-		-	365W（TC）
STGP14N60D	-	RFQ	2202	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3	STGP14	标准			95 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8898-5	Ear99	8541.29.0095	50			390V，7A，10欧姆，15V															37 ns	-	600 v	25 a	50 a	2.1V @ 15V，7a	-		-
STD50N03L	-	RFQ	8826	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD50N			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						30 V	40a（TC）	5V，10V	10.5MOHM @ 20A，10V	1V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V	1434 PF @ 25 V	-	60W（TC）
STD4N62K3	1.9100	RFQ	433	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD4N62			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						620 v	3.8A（TC）	10V	1.95OHM @ 1.9A，10V	4.5V @ 50µA	14 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 50 V	-	70W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²