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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STI42N65M5	-	RFQ	7101	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI42N			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	33A（TC）	10V	79MOHM @ 16.5A，10V	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±25V	4650 pf @ 100 V	-	190w（TC）
SD2903	-	RFQ	5164	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	65 v			M229	SD2903		400MHz	MOSFET		M229	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		5a		100 ma	30W	15DB											-										28 V
STW13NM60N	-	RFQ	3852	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw13n			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	11A（TC）	10V	360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	790 pf @ 50 V	-	90W（TC）
STF4LN80K5	1.6200	RFQ	5794	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF4LN80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	3A（TC）	10V	2.6OHM @ 1A，10V	5V @ 100µA	3.7 NC @ 10 V	±30V	122 pf @ 100 V	-	20W（TC）
Bul58d	1.4400	RFQ	5378	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul58				85 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					450 v	8 a							200µA	NPN	2V @ 1a，5a	5 @ 5A，5V	-
STB18NF25	1.8300	RFQ	9031	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB18			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						250 v	17a（TC）	10V	165mohm @ 8.5a，10v	4V @ 250µA	29.5 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 25 V	-	110W（TC）
STFW2N105K5	2.7600	RFQ	2051	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STFW2			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						1050 v	2A（TC）	10V	8ohm @ 750mA，10v	5V @ 100µA	10 NC @ 10 V	30V	115 pf @ 100 V	-	30W（TC）
STGW50HF60S	6.0000	RFQ	408	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW50	标准			284 w	TO-247-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，10ohm，15V																-	600 v	110 a	130 a	1.45V @ 15V，30a	250µJ（在）上，4.2MJ（4.2MJ）	200 NC	50NS/220NS
STB13N80K5	4.5500	RFQ	4066	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB13			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						800 v	12A（TC）	10V	450MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	29 NC @ 10 V	±30V	870 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STGW28IH125DF	2.8914	RFQ	6452	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW28	标准			375 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，25a，10ohm，15V																沟渠场停止	1250 v	60 a	120 a	2.5V @ 15V，25a	720µJ（OFF）	114 NC	- /128ns
STF5N60M2	1.6100	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF5N60			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	3.7A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.85a，10V	4V @ 250µA	4.5 NC @ 10 V	±25V	165 pf @ 100 V	-	20W（TC）
STL16N60M2	2.5300	RFQ	3870	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL16			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						600 v	8A（TC）	10V	355MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	704 PF @ 100 V	-	52W（TC）
STB3N62K3	1.8000	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB3N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						620 v	2.7A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.4A，10V	4.5V @ 50µA	13 NC @ 10 V	±30V	385 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STGB3NB60SDT4	-	RFQ	7697	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB3	标准			70 W	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				480V，3A，1KOHM，15V															1.7 µs	-	600 v	6 a	25 a	1.5V @ 15V，3A	1.15MJ）	18 NC	125NS/3.4µs
STL16N1VH5	-	RFQ	4539	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL16			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						12 v	16A（TC）	2.5V，4.5V	3MOHM @ 8A，4.5V	500mv @ 250µA（250µA））	26.5 NC @ 4.5 V	±8V	2085 PF @ 12 V	-	2W（TA），50W（TC）
MJD3055T4	1.2300	RFQ	9498	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD3055				20 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																					60 V	10 a							50µA	NPN	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
STP11NM60N	-	RFQ	8419	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP11N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	10A（TC）	10V	450MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	850 pf @ 50 V	-	90W（TC）
STP110N8F6	-	RFQ	9949	Stmicroelectronics	StripFet™F6	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP110			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						80 V	110A（TC）	10V	6.5MOHM @ 55A，10V	4.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	9130 PF @ 40 V	-	200W（TC）
2STA1962	-	RFQ	7318	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2STA				150 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	30																					230 v	15 a							5µA（ICBO）	PNP	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz
But11a	-	RFQ	1144	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	But11				83 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12152	Ear99	8541.29.0095	50																					450 v	5 a							1ma	NPN	1.5V @ 500mA，2.5a	10 @ 500mA，5V	-
MJ2955	-	RFQ	6021	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的		200°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	MJ29				115 w	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																					60 V	15 a							700µA	PNP	3V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	-
STS9NF3LL	1.5500	RFQ	9	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	sts9nf			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	9A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 4.5A，10V	1V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
STW40N65M2	6.2500	RFQ	4759	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW40			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15576-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	32A（TC）	10V	99mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	56.5 NC @ 10 V	±25V	2355 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STGP12NB60KD	-	RFQ	7592	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP12	标准			125 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				480V，12a，10ohm，15V															80 ns	-	600 v	30 a	60 a	2.8V @ 15V，12a	258µJ（离）	54 NC	25NS/96NS
STH360N4F6-2	7.2100	RFQ	919	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH360			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						40 V	180a（TC）	10V	1.25MOHM @ 60a，10V	4.5V @ 250µA	340 NC @ 10 V	±20V	17930 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STB21NM50N-1	-	RFQ	6326	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	1950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
STFH24N60M2	2.9500	RFQ	905	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFH24			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16596-5	Ear99	8541.29.0095	46		n通道						600 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1060 pf @ 100 V	-	35W（TC）
Sty60nm50	24.7200	RFQ	6535	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Sty60			MOSFET （金属 o化物）		Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						500 v	60a（TC）	10V	50mohm @ 30a，10v	5V @ 250µA	266 NC @ 10 V	±30V	7500 PF @ 25 V	-	560W（TC）
STB200N4F3	-	RFQ	9628	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB200N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						40 V	120A（TC）	10V	4mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STP20NM50	5.9600	RFQ	4596	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP20			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	192W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²