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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
STP35N60M2-EP	3.0791	RFQ	6975	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP35		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				600 v	26a（TC）	-	-	-		±25V		-	-
SD1731	-	RFQ	1860年	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的		200°C（TJ）		表面安装	M174	SD1731			233W	M174	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					13DB													55V	20a							NPN		15 @ 10a，6v	-	-
SO642	-	RFQ	4845	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SO642			310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		300 v	100 ma						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
STW18NK80Z	-	RFQ	1762年	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STW18N		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4423-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道				800 v	19a（tc）	10V	380MOHM @ 10a，10v	4.5V @ 150µA	250 NC @ 10 V	±30V	6100 PF @ 25 V	-	350W（TC）
STD3N62K3	1.0500	RFQ	3	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD3N62		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				620 v	2.7A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.4A，10V	4.5V @ 50µA	13 NC @ 10 V	±30V	385 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STB36NM60ND	6.5400	RFQ	1809年	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，FDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB36		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				600 v	29A（TC）	10V	110MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 250µA	80.4 NC @ 10 V	±25V	2785 PF @ 50 V	-	190w（TC）
2STA1694	-	RFQ	9608	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2STA			80 W	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																		120 v	8 a						10µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 300mA，3a	70 @ 3A，4V	20MHz
STD7N95K5AG	1.3530	RFQ	5085	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7		MOSFET （金属 o化物）		DPAK（（TO-252）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STD7N95K5AG	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				950 v	9A（TC）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	9.6 NC @ 10 V	±30V	430 PF @ 100 V	-	110W（TC）
Bul59	-	RFQ	1703	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	Bul59			90 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																		400 v	8 a						200µA	NPN	1.5V @ 1a，5a	6 @ 5A，5V	-
STT5PF20V	-	RFQ	2918	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	SOT-23-6	stt5p		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道				20 v	5A（TC）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	4.5 NC @ 2.5 V	±8V	412 PF @ 15 V	-	1.6W（TC）
STGWT40H60DLFB	4.3000	RFQ	445	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT40	标准		283 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，10ohm，15V													沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	363µJ（OFF）	210 NC	- /142ns
Stu8nm60nd	-	RFQ	6379	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu8n		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道				600 v	7A（TC）	10V	700MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	560 pf @ 50 V	-	70W（TC）
STB32NM50N	4.2500	RFQ	5419	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB32		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				500 v	22a（TC）	10V	130mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	62.5 NC @ 10 V	±25V	1973 pf @ 50 V	-	190w（TC）
STC03DE170HP	-	RFQ	7778	Stmicroelectronics	ESBT®	管子	过时的	1700V（（1.7kV）		门驱动器	通过洞	TO-247-4	STC03D				TO-247-4L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			3a																							npn-发射器切换双极
STD90N4F3	-	RFQ	9795	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD90		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				40 V	80A（TC）	10V	6.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	110W（TC）
STGW35NC120HD	-	RFQ	7005	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STGW35	标准		235 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				960V，20a，10ohm，15V												152 ns	-	1200 v	60 a	135 a	2.75V @ 15V，20A	（1.66mj）（在），4.44mj coft）	110 NC	29NS/275NS
STD20P3H6AG	-	RFQ	3087	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD20		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道				30 V	20A（TC）	10V	50mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	12.8 NC @ 10 V	±20V	635 pf @ 25 V	-	40W（TC）
BD179	-	RFQ	4908	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD179			30 W	SOT-32	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	BD179ST	Ear99	8541.29.0095	2,000																		80 V	3 a						100µA（ICBO）	NPN	800mv @ 100mA，1a	15 @ 2v，1a	-
STP8NM60D	-	RFQ	3672	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP8N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-6194-5	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				600 v	8A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	380 pf @ 25 V	-	100W（TC）
STW13N80K5	4.6400	RFQ	7652	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STW13		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道				800 v	12A（TC）	10V	450MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	29 NC @ 10 V	±30V	870 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STD5NK52ZD-1	-	RFQ	1375	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5965-5	Ear99	8541.29.0095	75		n通道				520 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	16.9 NC @ 10 V	±30V	529 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STP32NM50N	7.9000	RFQ	105	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP32		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				500 v	22a（TC）	10V	130mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	62.5 NC @ 10 V	±25V	1973 pf @ 50 V	-	190w（TC）
STW6N120K3	-	RFQ	1104	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	stw6n		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12124	Ear99	8541.29.0095	30		n通道				1200 v	6A（TC）	10V	2.4OHM @ 2.5a，10v	5V @ 100µA	34 NC @ 10 V	±30V	1050 pf @ 100 V	-	150W（TC）
STD26NF10	1.8800	RFQ	2835	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD26		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				100 v	25A（TC）	10V	38mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 25 V	-	100W（TC）
STH13N120K5-2AG	10.7200	RFQ	5067	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH13		MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STH13N120K5-2AGTR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				1200 v	12A（TC）	10V	690MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	44.2 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 100 V	-	250W（TC）
BD537	-	RFQ	3883	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	BD537			50 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		80 V	8 a						100µA	NPN	800mv @ 600mA，6a	15 @ 2a，2v	-
2SB772	-	RFQ	1581年	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2SB7			12.5 w	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4829-5	Ear99	8541.29.0075	50																		30 V	3 a						100µA	PNP	1.1V @ 150mA，3a	100 @ 100mA，2V	100MHz
STS3C2F100	-	RFQ	9169	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS3C2		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道					100V	3a		145MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 250µA	20NC @ 10V		460pf @ 25V	逻辑级别门
Stu95n3llh6	-	RFQ	2982	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的		175°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu95		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道				30 V	80A（TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 40a，10V	2.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±25V	2200 PF @ 25 V	-	70W（TC）
STGP8NC60KD	1.5300	RFQ	4580	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STGP8	标准		65 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				390V，3A，10欧姆，15V												23.5 ns	-	600 v	15 a	30 a	2.75V @ 15V，3A	（55µJ）（在），85µJ（85µJ）中	19 nc	17ns/72ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²