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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
2STW1695	-	RFQ	6519	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	2STW				100 W	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																				140 v	10 a							100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 700mA，7a	70 @ 3A，4V	20MHz
STS6P3LLH6	1.2200	RFQ	2	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	sts6p3			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						30 V	6a（6a）	4.5V，10V	30mohm @ 3a，10v	1V @ 250µA（250µA）	12 nc @ 4.5 V	±20V	1450 pf @ 24 V	-	2.7W（TA）
STF2LN60K3	-	RFQ	898	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF2LN			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	2A（TC）	10V	4.5OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	12 nc @ 10 V	±30V	235 pf @ 50 V	-	20W（TC）
STFI26NM60N	-	RFQ	2529	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI26N			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	20A（TC）	10V	165mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±25V	1800 PF @ 50 V	-	35W（TC）
STD150NH02L-1	-	RFQ	5228	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD15			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						24 V	150a（TC）	5V，10V	3.5MOHM @ 75A，10V	1.8V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	4450 pf @ 15 V	-	125W（TC）
STB80NF55-06-1	-	RFQ	9827	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB80			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	80A（TC）	10V	6.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA	189 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STF18N55M5	3.2100	RFQ	142	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF18			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						550 v	16A（TC）	10V	192MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1260 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STLD125N4F6AG	3.4400	RFQ	2983	Stmicroelectronics	StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	STLD125			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17147-2	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	120A（TC）	6.5V，10V	3mohm @ 75a，10v	4V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	5600 PF @ 10 V	-	130W（TC）
Bul1403ed	-	RFQ	5590	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul140				80 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				650 v	3 a							1ma	NPN	2.5V @ 50mA，500mA	15 @ 400mA，3V	-
STGWT38IH130D	4.6300	RFQ	216	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STGWT38	标准			250 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				960V，20a，10ohm，15V															-	1300 v	63 a	125 a	2.8V @ 15V，20A	3.4MJ（）	127 NC	- /284ns
STF11NM65N	-	RFQ	6429	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF11			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	11A（TC）	10V	455MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	800 pf @ 50 V	-	25W（TC）
STW21NM60ND	3.9451	RFQ	3862	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW21			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8453-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	17a（TC）	10V	220MOHM @ 8.5A，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±25V	1800 PF @ 50 V	-	140W（TC）
STW23N85K5	7.3200	RFQ	2254	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW23			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						850 v	19a（tc）	10V	275MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±30V	1650 pf @ 100 V	-	250W（TC）
stp3nk50z	0.8100	RFQ	8	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP3NK50			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	2.3a（TC）	10V	3.3OHM @ 1.15a，10V	4.5V @ 50µA	15 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STN2NF10	1.2200	RFQ	5	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN2NF10			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						100 v	2.4A（TC）	10V	260MOHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 25 V	-	3.3W（TC）
STP5N60M2	1.5800	RFQ	47	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP5N60			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	3.7A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.85a，10V	4V @ 250µA	4.5 NC @ 10 V	±25V	165 pf @ 100 V	-	45W（TC）
STD7N60M2	1.5900	RFQ	14	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7N60			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	8.8 NC @ 10 V	±25V	271 PF @ 100 V	-	60W（TC）
SD1488	-	RFQ	1882年	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	表面安装	M111	SD1488				117W	M111	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25							5.8db													16V	8a								NPN		20 @ 1a，5v	-	-
STP20NE06L	-	RFQ	7865	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP20N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2764-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	20A（TC）	5V，10V	70mohm @ 10a，10v	1V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	70W（TC）
D45H8	-	RFQ	6083	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	D45H8				50 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				60 V	10 a							10µA	PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	-
STAC2942BW	117.9800	RFQ	59	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	130 v			stac244f	STAC2942		175MHz	MOSFET		stac244f	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80	n通道		40a		250 MA	450W	-											-									50 V
STB9NK60ZT4	3.2100	RFQ	8299	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB9			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	7A（TC）	10V	950MOHM @ 3.5A，10V	4.5V @ 100µA	53 NC @ 10 V	±30V	1110 PF @ 25 V	-	125W（TC）
STP21NM60N	-	RFQ	3205	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP21N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5019-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	17a（TC）	10V	220MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±25V	1900 pf @ 50 V	-	140W（TC）
STP6NC60	-	RFQ	3031	Stmicroelectronics	PowerMesh™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP6N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	6A（TC）	10V	1.2OHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	45.5 NC @ 10 V	±30V	1020 PF @ 25 V	-	125W（TC）
STB15NM60ND	-	RFQ	6279	Stmicroelectronics	FDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB15N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	14A（TC）	10V	299MOHM @ 7A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±25V	1250 pf @ 50 V	-	125W（TC）
STD6N60DM2	0.6298	RFQ	9871	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD6N60			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	5A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.5A，10V	4.75V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	±25V	274 PF @ 100 V	-	60W（TC）
STP3NK60ZFP	1.7700	RFQ	536	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP3NK60			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	2.4A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4.5V @ 50µA	11.8 NC @ 10 V	±30V	311 PF @ 25 V	-	20W（TC）
STWA50N65DM2AG	5.8831	RFQ	8910	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA50			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道						650 v	38A（TC）	10V	87mohm @ 19a，10v	5V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±25V	3200 PF @ 100 V	-	300W（TC）
STD15N50M2AG	1.9300	RFQ	3088	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD15			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						500 v	10A（TC）	10V	380MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	530 pf @ 100 V	-	85W（TC）
STN2NE10L	-	RFQ	3412	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	stn2n			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						100 v	1.8A（TC）	5V，10V	400MOHM @ 1A，10V	3V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²