RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TIP41CN	-	RFQ	9495	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示41				65 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4635-5	Ear99	8541.29.0095	1,000																				100 v	6 a						700µA	NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	-
BC847B	-	RFQ	9179	Stmicroelectronics	SOT-23	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847				200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				45 v	100 ma						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
STP4NK60ZFP	1.9000	RFQ	6	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP4NK60			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5980-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 2a，10v	4.5V @ 50µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	25W（TC）
2N5657	-	RFQ	9304	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2N56				20 w	SOT-32-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2623-5	Ear99	8541.29.0095	50																				350 v	500 MA						100µA	NPN	10V @ 100mA，500mA	30 @ 100mA，10v	10MHz
STP78NF55-08	-	RFQ	8323	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞		STP78N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	3740 pf @ 25 V	-	300W（TC）
STL25N60M2-EP	4.2800	RFQ	3	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL25			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					600 v	16A（TC）	10V	205MOHM @ 8A，10V	4.75V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1090 pf @ 100 V	-	125W（TC）
STGB25N40LZAG	2.6200	RFQ	2745	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STGB25	逻辑			150 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				300V，10a，1KOHM，5V															-	435 v	25 a	50 a	1.25V @ 4V，6A	-	26 NC	1.1µs/4.6µs
STGWA100H65DFB2	7.1900	RFQ	4773	Stmicroelectronics	HB2	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA100	标准			441 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STGWA100H65DFB2	Ear99	8541.29.0095	30				400V，100A，2.2OHM，15V														123 ns	沟渠场停止	650 v	145 a	300 a	2V @ 15V，100a	2.2MJ（在）上，1.4MJ off）	288 NC	30NS/130NS
STD16N60M6	2.4400	RFQ	1228	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD16			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4.75V @ 250µA	16.7 NC @ 10 V	±25V	575 PF @ 100 V	-	110W（TC）
SCTWA35N65G2V	18.6800	RFQ	5585	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCTWA35			sicfet （碳化硅）		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-SCTWA35N65G2V	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	45A（TC）	18V，20V	72MOHM @ 20a，20v	3.2V @ 1mA	73 NC @ 20 V	+20V，-5V	73000 PF @ 400 V	-	208W（TC）
STF22N60DM6	1.5867	RFQ	4226	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF22			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	15A（TC）	10V	230MOHM @ 7.5A，10V	4.75V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	800 pf @ 100 V	-	30W（TC）
STGP8M120DF3	3.0492	RFQ	7985	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP8	标准				TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				600V，8a，33ohm，15V														103 ns	沟渠场停止	1200 v	16 a	32 a	2.3V @ 15V，8a	390µJ（在）（370µJ）上	32 NC	20N/126NS
STGF20H65DFB2	2.5200	RFQ	8986	Stmicroelectronics	HB2	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF20	标准			45 W	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGF20H65DFB2	Ear99	8541.29.0095	50				400V，20a，10ohm，15V														215 ns	沟渠场停止	650 v	40 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	（265µJ）（在），214µJ（214µJ）中	56 NC	16ns/78.8ns
STGW75H65DFB2-4	8.2500	RFQ	54	Stmicroelectronics	HB2	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STGW75	标准			357 w	TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGW75H65DFB2-4	Ear99	8541.29.0095	30				400V，75A，10欧姆，15V														88 ns	沟渠场停止	650 v	115 a	225 a	2V @ 15V，75a	（992µJ）（在），766µj（（（（（）	207 NC	22NS/121NS
STGW100H65FB2-4	8.8500	RFQ	68	Stmicroelectronics	HB2	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STGW100	标准			441 w	TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGW100H65FB2-4	Ear99	8541.29.0095	30				400V，100A，3.3OHM，15V															沟渠场停止	650 v	145 a	300 a	1.8V @ 15V，100a	1.06mj（在）上，1.14mj off）	288 NC	23ns/141ns
STW68N65DM6-4AG	12.3100	RFQ	9273	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW68			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STW68N65DM6-4AG	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	72A（TC）		39mohm @ 36a，10v	4.75V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±25V	5900 PF @ 100 V	-	480W（TC）
STGB20H65FB2	0.8927	RFQ	1330	Stmicroelectronics	HB2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STGB20	标准			147 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGB20H65FB2TR	Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，20a，10ohm，15V															沟渠场停止	650 v	40 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	（265µJ）（在），214µJ（214µJ）中	56 NC	16ns/78.8ns
SCTW35N65G2VAG	19.4800	RFQ	2835	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCTW35			sicfet （碳化硅）		HIP247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-SCTW35N65G2VAG	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	45A（TC）	18V，20V	67mohm @ 20a，20v	5V @ 1mA	73 NC @ 20 V	+22V，-10V	1370 pf @ 400 V	-	240W（TC）
STGF30NC60S	-	RFQ	3332	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF30	标准			40 W	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				480V，20A，10欧姆，15V															-	600 v	22 a	150 a	1.9V @ 15V，20A	（300µJ）（在1.28mj）上	96 NC	21.5NS/180NS
STGWA50H65DFB2	4.3600	RFQ	2892	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA50	标准			272 w	TO-247长铅	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGWA50H65DFB2	Ear99	8541.29.0095	600				400V，50a，4.7Ohm，15V														92 ns	沟渠场停止	650 v	86 a	150 a	2V @ 15V，50a	910µJ（在）上，580µJ off）	151 NC	28NS/115NS
STD70R1K3S	0.2705	RFQ	3457	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD70			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STD70R1K3S	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					700 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.75a，10V	3.75V @ 250µA	4.1 NC @ 10 V	±25V	175 pf @ 100 V	-	77W（TC）
STW52N60DM6	5.0695	RFQ	6613	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW52			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STW52N60DM6	Ear99	8541.29.0095	600		n通道					600 v	45A（TC）	10V	74mohm @ 22.5a，10v	4.75V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±25V	2468 PF @ 100 V	-	357W（TC）
STD12N60M6	1.0473	RFQ	7177	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD12			MOSFET （金属 o化物）		DPAK（（TO-252）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STD12N60M6	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	9A（TC）	10V	450MOHM @ 4.5A，10V	4.75V @ 250µA	12.3 NC @ 10 V	±25V	452 PF @ 100 V	-	96W（TC）
RF5L05950CF2	135.0000	RFQ	1643年	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	50 V		表面安装	C2	RF5L05950		1.5GHz	ldmos		C2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L05950CF2			100	n通道		-		2500W	50dB											-
STL195N4F7AG	1.0548	RFQ	2614	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的					STL195						-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STL195N4F7AG			3,000
STD127DT4	-	RFQ	6058	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD12				35 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																				400 v	4 a						250µA	NPN	1.3V @ 1A，4A	10 @ 1A，5V	-
STF4N90K5	2.1200	RFQ	922	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STF4N90			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17071	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					900 v	4A（TC）	10V	2.1OHM @ 1A，10V	5V @ 100µA	5.3 NC @ 10 V	±30V	173 PF @ 100 V	-	20W（TC）
STGWT60H60DLFB	-	RFQ	6845	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT60	标准			375 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，60a，5ohm，15V															沟渠场停止	600 v	80 a	240 a	2V @ 15V，60a	626µJ（OFF）	306 NC	- /160NS
STGP10NC60HD	1.7400	RFQ	6488	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP10	标准			65 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5118-5	Ear99	8541.29.0095	50				390V，5A，10欧姆，15V														22 ns	-	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，5A	31.8µJ（在）上，95µJ（（）	19.2 NC	14.2NS/72NS
STD85N10F7AG	2.3200	RFQ	2	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD85			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	70A（TC）	10V	10mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 50 V	-	85W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²