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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STFI13N95K3	5.7000	RFQ	290	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI13N			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						950 v	10A（TC）	10V	850MOHM @ 5A，10V	5V @ 100µA	51 NC @ 10 V	±30V	1620 PF @ 100 V	-	40W（TC）
STYS105NM50N	25.7500	RFQ	3432	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STYS105			MOSFET （金属 o化物）		Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13290-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道						500 v	110A（TC）	10V	22mohm @ 52a，10v	4V @ 250µA	326 NC @ 10 V	±25V	9600 PF @ 100 V	-	625W（TC）
STB100NH02LT4	-	RFQ	2487	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB100N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						24 V	60a（TC）	5V，10V	6mohm @ 30a，10v	1.8V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	2850 pf @ 15 V	-	100W（TC）
STB40NF10T4	-	RFQ	1702	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-50°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB40N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						100 v	50A（TC）	10V	28mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 25 V	-	150W（TC）
STB55NF06LT4	2.1200	RFQ	2141	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB55			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						60 V	55A（TC）	10V，5V	18mohm @ 27.5a，10v	4.7V @ 250µA	37 NC @ 4.5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	95W（TC）
STGB3NB60SDT4	-	RFQ	7697	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB3	标准			70 W	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			480V，3A，1KOHM，15V															1.7 µs	-	600 v	6 a	25 a	1.5V @ 15V，3A	1.15MJ）	18 NC	125NS/3.4µs
STGD3NB60HDT4	-	RFQ	6388	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD3	标准			50 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			480V，3A，10欧姆，15V															95 ns	-	600 v	10 a	24 a	2.8V @ 15V，3A	33µJ（离）	21 NC	5NS/53NS
STGP12NB60KD	-	RFQ	7592	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STGP12	标准			125 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			480V，12a，10ohm，15V															80 ns	-	600 v	30 a	60 a	2.8V @ 15V，12a	258µJ（离）	54 NC	25NS/96NS
BD139	0.6600	RFQ	9233	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD139				1.25 w	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				80 V	1.5 a							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
STW14NM50FD	-	RFQ	5096	Stmicroelectronics	FDMESH™	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	stw14n			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600	n通道						500 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 6a，10v	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	160W（TC）
STN2NF10	1.2200	RFQ	5	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN2NF10			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道						100 v	2.4A（TC）	10V	260MOHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 25 V	-	3.3W（TC）
STP11NK40Z	2.0100	RFQ	975	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP11			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						400 v	9A（TC）	10V	550MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 100µA	32 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	110W（TC）
STP22NF03L	-	RFQ	8530	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP22N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						30 V	22a（TC）	5V，10V	50mohm @ 11a，10v	1V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±15V	330 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STGP6NC60HD	1.4200	RFQ	2143	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STGP6	标准			56 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5122-5	Ear99	8541.29.0095	50			390V，3A，10欧姆，15V															21 ns	-	600 v	15 a	21 a	2.5V @ 15V，3A	（在）（68µJ）上的20µJ（OFF）	13.6 NC	12NS/76NS
STB7NK80Z-1	1.7752	RFQ	7097	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB7NK80			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						800 v	5.2A（TC）	10V	1.8OHM @ 2.6a，10V	4.5V @ 100µA	56 NC @ 10 V	±30V	1138 PF @ 25 V	-	125W（TC）
STD6NM60N	-	RFQ	3679	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD6N			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						600 v	4.6A（TC）	10V	920MOHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	420 PF @ 50 V	-	45W（TC）
STC20DE90HP	-	RFQ	2444	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	900V		通用目的	通过洞	TO-247-4	STC20D					TO-247-4L HP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8772-5	Ear99	8541.29.0095	30		20a																											npn-发射器切换双极
STGB30NC60WT4	3.5300	RFQ	660	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB30	标准			200 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			390V，20a，10ohm，15V																-	600 v	60 a	150 a	2.5V @ 15V，20A	305µJ（在）上，181µJ（OFF）	102 NC	29.5NS/118NS
STGB30NC60KT4	5.2900	RFQ	2	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB30	标准			185 w	D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			480V，20A，10欧姆，15V																-	600 v	60 a	125 a	2.7V @ 15V，20A	（350µJ）（在435µJ上）	96 NC	29NS/120NS
STGB10NB37LZ	-	RFQ	1272	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB10	标准			125 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			328V，10a，1KOHM，5V																-	440 v	20 a	40 a	1.8V @ 4.5V，10a	2.4MJ（在）上，5MJ（5MJ）	28 NC	1.3µs/8µs
STGB35N35LZ-1	2.6000	RFQ	951	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STGB35	逻辑			176 w	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			300V，15A，5V																-	345 v	40 a	80 a	1.7V @ 4.5V，15a	-	49 NC	1.1µs/26.5µs
STGD5NB120SZ-1	-	RFQ	4140	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STGD5	标准			75 w	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			960V，5A，1KOHM，15V																-	1200 v	10 a	10 a	2V @ 15V，5A	2.59mj（在）上，（9MJ off）		690NS/12.1µS
STGF30NC60S	-	RFQ	3332	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STGF30	标准			40 W	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，20A，10欧姆，15V																-	600 v	22 a	150 a	1.9V @ 15V，20A	（300µJ）（在1.28mj）上	96 NC	21.5NS/180NS
STGF7NB60SL	2.3100	RFQ	2	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STGF7	标准			25 w	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，7A，1KOHM，5V																-	600 v	15 a	20 a	1.6V @ 4.5V，7a	4.1MJ（（）	16 NC	1.1µs/5.2µs
STD14NM50N	-	RFQ	9229	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD14			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						500 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 100µA	27 NC @ 10 V	±25V	816 pf @ 50 V	-	90W（TC）
STD20NF20	2.3200	RFQ	4626	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD20			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						200 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	940 pf @ 25 V	-	110W（TC）
STP3NK90ZFP	1.4300	RFQ	931	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STP3NK90			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5979-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						900 v	3A（TC）	10V	4.8OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	22.7 NC @ 10 V	±30V	590 pf @ 25 V	-	25W（TC）
STD90N02L-1	-	RFQ	1527年	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD90			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道						25 v	60a（TC）	5V，10V	6mohm @ 30a，10v	1.8V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±20V	2050 pf @ 16 V	-	70W（TC）
STGD10NC60KT4	-	RFQ	5653	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD10	标准			60 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			390V，5A，10欧姆，15V																-	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，5A	（55µJ）（在），85µJ（85µJ）中	19 nc	17ns/72ns
PD55003STR-E	-	RFQ	1427	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V				Powerso-10裸露的底部垫	PD55003		500MHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		2.5a		50 mA	3W	17dB											-										12.5 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²