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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
STW12N120K5	10.6600	RFQ	267	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW12		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15446-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	12A（TC）	10V	690MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	44.2 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 100 V	-	250W（TC）
STS8DN3LLH5	1.5700	RFQ	5995	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS8DN3		MOSFET （金属 o化物）	2.7W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	10a		19mohm @ 5a，10v	1V @ 250µA	5.4NC @ 4.5V		724pf @ 25V	逻辑级别门
Ste45NK80ZD	-	RFQ	1252	Stmicroelectronics	SuperFredMesh™	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	Ste45		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道		800 v	45A（TC）	10V	130mohm @ 22.5a，10v	4.5V @ 150µA	781 NC @ 10 V	±30V	26000 PF @ 25 V	-	600W（TC）
STB42N65M5	12.1200	RFQ	3	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB42		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		650 v	33A（TC）	10V	79MOHM @ 16.5A，10V	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±25V	4650 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STGWT80H65FB	6.3300	RFQ	88	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT80	标准		469 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，80a，10ohm，15V												沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	2V @ 15V，80a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	414 NC	84NS/280NS
STGW35NC120HD	-	RFQ	7005	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW35	标准		235 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，20a，10ohm，15V											152 ns	-	1200 v	60 a	135 a	2.75V @ 15V，20A	（1.66mj）（在），4.44mj coft）	110 NC	29NS/275NS
STGWT40H65DFB	5.0600	RFQ	3942	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT40	标准		283 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，5ohm，15V											62 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	（498µJ）（在363µJ上）	210 NC	40NS/142NS
STGW40V60DLF	4.8700	RFQ	417	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW40	标准		283 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13767-5	Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，10ohm，15V												沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2.3V @ 15V，40a	（411µJ））	226 NC	- /208ns
STGWT80H65DFB	5.1703	RFQ	9575	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT80	标准		469 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，80a，10ohm，15V											85 ns	沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	2V @ 15V，80a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	414 NC	84NS/280NS
STGWT20H60DF	-	RFQ	8211	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT20	标准		167 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			400V，20a，10ohm，15V											90 ns	沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2V @ 15V，20A	209µJ（在）上，261µJ（OFF）	115 NC	42.5NS/177NS
STGP19NC60H	5.4300	RFQ	957	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP19	标准		130 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			390V，12a，10ohm，15V												-	600 v	40 a	60 a	2.5V @ 15V，12A	（85µJ）（在189µj of）上	53 NC	25NS/97NS
stgy40nc60vd	7.1000	RFQ	3487	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Stgy40	标准		260 w	Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			390V，40a，3.3孔，15V											44 ns	-	600 v	80 a		2.5V @ 15V，40a	330µJ（在）上，720µJ（OFF）	214 NC	43NS/140NS
STD7N95K5AG	1.3530	RFQ	5085	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7		MOSFET （金属 o化物）		DPAK（（TO-252）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STD7N95K5AG	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		950 v	9A（TC）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	9.6 NC @ 10 V	±30V	430 PF @ 100 V	-	110W（TC）
STD26NF10	1.8800	RFQ	2835	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD26		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	25A（TC）	10V	38mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 25 V	-	100W（TC）
sts9p3llh6	-	RFQ	8251	Stmicroelectronics	StripFet™H6	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS9P		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	9a（9a）	4.5V，10V	15mohm @ 4.5A，10V	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2615 PF @ 25 V	-	2.7W（TA）
STGW30NC60WD	5.1400	RFQ	7858	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW30	标准		200 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			390V，20a，10ohm，15V											40 ns	-	600 v	60 a	150 a	2.5V @ 15V，20A	305µJ（在）上，181µJ（OFF）	102 NC	29.5NS/118NS
Stu6n90k5	2.1600	RFQ	182	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AB	Stu6n90		MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17076	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		900 v	6A（TC）	10V	1.1OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA		±30V		-	110W（TC）
STGP15H60DF	2.1700	RFQ	8067	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP15	标准		115 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，15a，10ohm，15V											103 ns	沟渠场停止	600 v	30 a	60 a	2V @ 15V，15a	（136µJ）（在），207µJ（OFF）	81 NC	24.5NS/118NS
STP150NF55	3.7700	RFQ	7434	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP150		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-6117-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STP6N95K5	2.5100	RFQ	440	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP6N95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12865-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		950 v	9A（TC）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 100 V	-	90W（TC）
STGD6NC60HT4	-	RFQ	9549	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD6	标准		56 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			390V，3A，10欧姆，15V												-	600 v	15 a	21 a	2.5V @ 15V，3A	（在）（68µJ）上的20µJ（OFF）	13.6 NC	12NS/76NS
STD9NM50N	1.5200	RFQ	250	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD9		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		500 v	5A（TC）	10V	790MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	570 pf @ 50 V	-	45W（TC）
STP100N8F6	1.6100	RFQ	41	Stmicroelectronics	StripFet™F6	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP100		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15553-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	100A（TC）	10V	9mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5955 pf @ 25 V	-	176W（TC）
Stu5N60M2	1.4100	RFQ	831	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu5n60		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		600 v	3.7A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.85a，10V	4V @ 250µA	4.5 NC @ 10 V	±25V	165 pf @ 100 V	-	45W（TC）
STP210N75F6	4.4100	RFQ	46	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP210		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	120A（TC）	10V	3.7MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	171 NC @ 10 V	±20V	11800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STD2NC45-1	1.0900	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD2NC45		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		450 v	1.5A（TC）	10V	4.5OHM @ 500mA，10V	3.7V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	160 pf @ 25 V	-	30W（TC）
Stu3N45K3	0.3913	RFQ	8923	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu3n45		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		450 v	1.8A（TC）	10V	3.8ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	27W（TC）
STB14NK60ZT4	4.6000	RFQ	7069	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB14		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	13.5A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	4.5V @ 100µA	75 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	160W（TC）
Stu70r1k3s	0.2771	RFQ	2760	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu70		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-Stu70r1k3s	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		700 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.75a，10V	3.75V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±25V	175 pf @ 100 V	-	77W（TC）
STL22N60DM6	1.6307	RFQ	7806	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL22		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		600 v	13A（TC）	10V	265mohm @ 6.5a，10v	4.75V @ 250µA	20.6 NC @ 10 V	±25V	800 pf @ 100 V	-	102W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²