RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STFW3N150	4.8700	RFQ	5420	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STFW3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10005-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		1500 v	2.5A（TC）	10V	9ohm @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	29.3 NC @ 10 V	±30V	939 PF @ 25 V	-	63W（TC）
STI20N65M5	3.0100	RFQ	4470	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI20		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		650 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±25V	1434 PF @ 100 V	-	130W（TC）
BDX53C	1.3000	RFQ	2448	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX53			60 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															100 v	8 a						500µA	npn-达灵顿	2V @ 12mA，3a	750 @ 3a，3v	-
STP11N65M5	2.0700	RFQ	6941	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP11		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		650 v	9A（TC）	10V	480MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	644 pf @ 100 V	-	85W（TC）
STP130N10F3	3.5300	RFQ	15	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP130		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	-497-12984-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		100 v	120A（TC）	10V	9.6mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	3305 PF @ 25 V	-	250W（TC）
STD75N3LLH6	-	RFQ	9004	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD75N		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 37.5A，10V	2.5V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	60W（TC）
buy69a	-	RFQ	4732	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	购买69			100 W	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100															400 v	10 a						1ma	NPN	3.3V @ 2.5a，8a	15 @ 2.5A，10V	10MHz
STH52N10LF3-2AG	-	RFQ	9734	Stmicroelectronics	StripFet™F3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH52		MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		100 v	52A（TC）	5V，10V	20mohm @ 26a，10v	2.5V @ 250µA	18.5 NC @ 5 V	±20V	1900 PF @ 400 V	-	110W（TC）
STL24N65M2	1.5922	RFQ	4995	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL24		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		650 v	14A（TC）	10V	250MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1060 pf @ 100 V	-	125W（TC）
ST13009	1.8200	RFQ	793	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ST13009			100 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															400 v	12 a						-	NPN	2.5V @ 3a，12a	10 @ 8a，5v	-
STL50N6F7	1.2400	RFQ	8818	Stmicroelectronics	StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL50		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		60 V	60a（TC）	10V	11MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	1035 PF @ 30 V	-	71W（TC）
STI400N4F6	5.0400	RFQ	1	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI400N		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		40 V	120A（TC）	10V	1.7MOHM @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	377 NC @ 10 V	±20V	20000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STP9NK50Z	2.7500	RFQ	540	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP9NK50		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		500 v	7.2A（TC）	10V	850MOHM @ 3.6A，10V	4.5V @ 100µA	32 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	110W（TC）
STP27N60M2-EP	2.8100	RFQ	20	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP27N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		600 v	20A（TC）	10V	163mohm @ 10a，10v	4.75V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±25V	1320 PF @ 100 V	-	170W（TC）
STL28N60DM2	2.2424	RFQ	8075	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装		STL28		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		600 v	21a（TC）	10V	175mohm @ 10.5a，10v	5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 100 V	-	140W（TC）
STF18N65M5	-	RFQ	1871年	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF18		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		650 v	15A（TC）	10V	220MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1240 pf @ 100 V	-	25W（TC）
Sty139n65m5	35.9200	RFQ	3878	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Sty139		MOSFET （金属 o化物）		Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13043-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		650 v	130a（TC）	10V	17mohm @ 65a，10v	5V @ 250µA	363 NC @ 10 V	±25V	15600 PF @ 100 V	-	625W（TC）
STL92N10F7AG	2.1500	RFQ	3	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL92		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		100 v	16A（TC）	10V	9.5OHM @ 8A，10V	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 50 V	-	5W（5W），100W（100W）TC）
STD17NF03L-1	-	RFQ	7916	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD17		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		30 V	17a（TC）	5V，10V	50mohm @ 8.5a，10v	2.2V @ 250µA	6.5 NC @ 5 V	±16V	320 pf @ 25 V	-	30W（TC）
Bul805	-	RFQ	5577	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul805			80 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															450 v	5 a						250µA	NPN	800mv @ 600mA，3a	10 @ 2a，5v	-
STB30NM60ND	-	RFQ	3406	Stmicroelectronics	FDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB30N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		600 v	25A（TC）	10V	130mohm @ 12.5a，10v	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±25V	2800 PF @ 50 V	-	190w（TC）
STL160NS3LLH7	-	RFQ	3317	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL160		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30 V	160a（TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 18A，10V	2.3V @ 1mA	20 NC @ 4.5 V	±20V	3245 pf @ 25 V	-	84W（TC）
STL5N80K5	0.8730	RFQ	3666	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL5N80		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）VHV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		800 v	3A（TC）	10V	1.75OHM @ 2A，10V	5V @ 100µA	5 NC @ 10 V	±30V	177 PF @ 100 V	-	38W（TC）
STF6N52K3	1.7400	RFQ	979	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF6N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		525 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 50µA	26 NC @ 10 V	±30V	670 pf @ 50 V	-	25W（TC）
STB33N65M2	4.2600	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB33		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		650 v	24A（TC）	10V	140mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	41.5 NC @ 10 V	±25V	1790 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STW60N65M5	11.3600	RFQ	577	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw60n		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		650 v	46A（TC）	10V	59MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±25V	6810 PF @ 100 V	-	255W（TC）
L6221CD013TR	-	RFQ	9505	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	L6221			-	20-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000															60V	1.2a						-	4 npn darlington（四Quad）	-	-	-
STP13N80K5	3.9100	RFQ	495	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP13		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13779-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		800 v	12A（TC）	10V	450MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	29 NC @ 10 V	±30V	870 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STW55NM60N	-	RFQ	4922	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW55N		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		600 v	51A（TC）	10V	60mohm @ 25.5a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±25V	5800 PF @ 50 V	-	350W（TC）
STGP8NC60KD	1.5300	RFQ	4580	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP8	标准		65 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		390V，3A，10欧姆，15V											23.5 ns	-	600 v	15 a	30 a	2.75V @ 15V，3A	（55µJ）（在），85µJ（85µJ）中	19 nc	17ns/72ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²