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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STH185N10F3-2	-	RFQ	8093	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F3	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH185			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	180a（TC）	10V	4.5mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	114.6 NC @ 10 V	±20V	6665 PF @ 25 V	-	315W（TC）
STW35N65M5	-	RFQ	4495	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW35N			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	27a（TC）	10V	98mohm @ 13.5A，10V	5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±25V	3750 PF @ 100 V	-	160W（TC）
STL9N80K5	-	RFQ	4890	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	8-Powervdfn	STL9N80			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						800 v	7A（TC）	10V	-	-		-		-	110W（TC）
STGP30H60DFB	3.2300	RFQ	4055	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP30	标准			260 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16483-5	Ear99	8541.29.0095	50				400V，30a，10ohm，15V															53 ns	沟渠场停止	600 v	60 a	120 a	2V @ 15V，30a	（383µJ）（在），293µj（（（（（（）	149 NC	37NS/146NS
STGFW20H65FB	3.7900	RFQ	205	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3PFM，SC-93-3	STGFW20	标准			52 w	to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，20a，10ohm，15V																沟渠场停止	650 v	40 a	80 a	2V @ 15V，20A	（77µJ）（在），170µJ（170µJ）中	120 NC	30ns/139ns
STGB30H65FB	-	RFQ	4521	Stmicroelectronics	HB	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB30	标准			260 w	d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，30a，10ohm，15V																沟渠场停止	650 v	60 a	120 a	2V @ 15V，30a	（151µJ）（在293µJ上）	149 NC	37NS/146NS
STP62NS04Z	2.2700	RFQ	831	Stmicroelectronics	网格覆盖™	管子	上次购买		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP62			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						33 V	62A（TC）	10V	15mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	47 NC @ 10 V	夹紧	1330 pf @ 25 V	-	110W（TC）
STF57N65M5	11.1200	RFQ	5157	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF57			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	42A（TC）	10V	63mohm @ 21a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±25V	4200 PF @ 100 V	-	40W（TC）
Bul903ed	-	RFQ	8378	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul903				70 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					400 v	5 a							1ma	NPN	1V @ 150mA，1a	20 @ 500mA，3V	-
STF25NM60N	-	RFQ	2137	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF25			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5005-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±25V	2400 pf @ 50 V	-	40W（TC）
BD677	0.5400	RFQ	2750	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD677				40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5714	Ear99	8541.29.0095	50																					60 V	4 a							500µA	npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
BU931	-	RFQ	3983	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	BU931				175 w	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																					400 v	15 a							100µA	npn-达灵顿	1.8V @ 250mA，10a	300 @ 5A，10V	-
STW70N10F4	-	RFQ	6911	Stmicroelectronics	DeepGate™，diveFet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW70N			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8797-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						100 v	65A（TC）	10V	19.5mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	150W（TC）
STAC4932B	117.9750	RFQ	7106	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	200 v			STAC244B	STAC4932		123MHz	MOSFET		STAC244B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10703	Ear99	8541.29.0095	20	n通道		-		500 MA	1000W	26dB											-										100 v
STP265N6F6AG	-	RFQ	3027	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F6	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP265			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15558-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	180a（TC）	10V	2.85MOHM @ 60a，10V	4V @ 250µA	183 NC @ 10 V	±20V	11800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STW88N65M5-4	17.7800	RFQ	600	Stmicroelectronics	MDMESH™M5	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW88			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	84A（TC）	10V	29mohm @ 42a，10v	5V @ 250µA	204 NC @ 10 V	±25V	8825 PF @ 100 V	-	450W（TC）
STP4NK50Z	-	RFQ	5459	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP4N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	3A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	12 nc @ 10 V	±30V	310 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STD4NS25T4	-	RFQ	9834	Stmicroelectronics	网格覆盖™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD4N			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						250 v	4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 25 V	-	50W（TC）
STBV42-AP	-	RFQ	3269	Stmicroelectronics	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	STBV42				1 w	TO-92AP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																					400 v	1 a							1ma	NPN	1.5V @ 250mA，750mA	10 @ 400mA，5V	-
STS9NH3LL	-	RFQ	8959	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS9NH			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	9A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 4.5A，10V	1V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±16V	857 PF @ 25 V	-	2.5W（TC）
PD55025TR-E	29.6600	RFQ	4289	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V			Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD55025		500MHz	ldmos		Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			7a		200 ma	25W	14.5db											-										12.5 v
STP30N65M5	6.6600	RFQ	5	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP30			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	22a（TC）	10V	139mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±25V	2880 pf @ 100 V	-	140W（TC）
STI24N60M6	2.9000	RFQ	90	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI24			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	17a（TJ）	10V	190mohm @ 8.5a，10v	4.75V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±25V	960 pf @ 100 V	-	130W（TC）
STP30NF20	3.0800	RFQ	9666	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP30			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5825-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						200 v	30A（TC）	10V	75mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1597 PF @ 25 V	-	125W（TC）
BC847B	-	RFQ	9179	Stmicroelectronics	SOT-23	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847				200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					45 v	100 ma							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
BD138	0.5000	RFQ	11	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD138				1.25 w	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					60 V	1.5 a							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
BUX348	-	RFQ	5040	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	BUX348				300 w	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20																					450 v	45 a							-	NPN	900mv @ 6a，30a	-	-
STF5N65M6	-	RFQ	8598	Stmicroelectronics	*	管子	积极的					STF5N65						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
STB21NM50N	-	RFQ	8194	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB21N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						500 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	1950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
2STA1694	-	RFQ	9608	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2STA				80 W	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																					120 v	8 a							10µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 300mA，3a	70 @ 3A，4V	20MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²