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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
BULB903EDT4 STMicroelectronics BULB903EDT4 -
RFQ
ECAD 3547 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - - - Bulb903 - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 - NPN - - -
STP10NK62ZFP STMicroelectronics STP10NK62ZFP -
RFQ
ECAD 7863 0.00000000 Stmicroelectronics * 胶带和卷轴((tr) 积极的 STP10 - (1 (无限) 到达不受影响 1,000
STR1P2UH7 STMicroelectronics str1p2uh7 -
RFQ
ECAD 4704 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™H7 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 str1 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 1.4a(ta) 1.8V,4.5V 100mohm @ 700mA,4.5V 1V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 V ±8V 510 pf @ 10 V - 350MW(TC)
STD65N55LF3 STMicroelectronics STD65N55LF3 -
RFQ
ECAD 6654 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD65N MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 80A(TC) 5V,10V 8.5MOHM @ 32A,10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 5 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 110W(TC)
STL3N80K5 STMicroelectronics STL3N80K5 0.7650
RFQ
ECAD 4586 0.00000000 Stmicroelectronics * 胶带和卷轴((tr) 积极的 STL3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000
STW55NM60ND STMicroelectronics STW55NM60ND -
RFQ
ECAD 2159 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH™II 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW55N MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-7036-5 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 51A(TC) 10V 60mohm @ 25.5a,10v 5V @ 250µA 190 NC @ 10 V ±25V 5800 PF @ 50 V - 350W(TC)
STF18N60DM2 STMicroelectronics STF18N60DM2 1.3850
RFQ
ECAD 5257 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™DM2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF18 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 13A(TC) 10V 295MOHM @ 6A,10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±25V 800 pf @ 100 V - 25W(TC)
STO68N65DM6 STMicroelectronics STO68N65DM6 9.6800
RFQ
ECAD 260 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powersfn MOSFET (金属 o化物) HV) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-STO68NNN65DM6TR Ear99 8541.29.0095 1,800 n通道 650 v 55A(TC) 10V 65mohm @ 27.5a,10v 4.75V @ 250µA 80 NC @ 10 V ±25V 3528 PF @ 100 V - 240W(TC)
STD155N3H6 STMicroelectronics STD155N3H6 2.0600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate™,diplfet™vi 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD15 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -497-11307-6 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 80A(TC) 10V 3mohm @ 40a,10v 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 3650 pf @ 25 V - 110W(TC)
STL13N65M2 STMicroelectronics STL13N65M2 0.9238
RFQ
ECAD 1238 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™M2 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn STL13 MOSFET (金属 o化物) PowerFlat™(5x6)HV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 650 v 6.5A(TC) 10V 475MOHM @ 3A,10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±25V 590 pf @ 100 V - 52W(TC)
STB34N50DM2AG STMicroelectronics STB34N50DM2AG 6.1200
RFQ
ECAD 1237 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101,MDMESH™DM2 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STB34 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 26a(TC) 10V 120mohm @ 12.5a,10v 5V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±25V 1850 pf @ 100 V - 190w(TC)
2N6039 STMicroelectronics 2N6039 -
RFQ
ECAD 5126 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 2N60 40 W SOT-32-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 80 V 4 a 100µA npn-达灵顿 3V @ 40mA,4a 750 @ 2a,3v -
STAC4933 STMicroelectronics STAC4933 113.3700
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Stmicroelectronics - 盒子 过时的 200 v STAC177B STAC4933 30MHz MOSFET STAC177B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 40a 250 MA 300W 24dB - 50 V
STW120NF10 STMicroelectronics STW120NF10 6.1000
RFQ
ECAD 2680 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 管子 上次购买 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW120 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-5166-5 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 110A(TC) 10V 10.5MOHM @ 60a,10v 4V @ 250µA 233 NC @ 10 V ±20V 5200 pf @ 25 V - 312W(TC)
PD55025STR-E STMicroelectronics PD55025STR-E -
RFQ
ECAD 2650 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 40 V Powerso-10裸露的底部垫 PD55025 500MHz ldmos Powerso-10rf (直线直线) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 600 7a 200 MA 25W 14.5db - 12.5 v
STD11N50M2 STMicroelectronics STD11N50M2 1.4900
RFQ
ECAD 5653 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II Plus 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD11 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 500 v 8A(TC) 10V 530MOHM @ 4A,10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±25V 395 pf @ 100 V - 85W(TC)
MD2103DFP STMicroelectronics MD2103DFP 1.7100
RFQ
ECAD 966 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MD2103 38 w TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 700 v 6 a 200µA NPN 1.8V @ 750mA,3a 6.5 @ 3a,5v -
STFH10N60M2 STMicroelectronics STFH10N60M2 1.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STFH10 MOSFET (金属 o化物) TO-220FPAB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 46 n通道 600 v 7.5A(TC) 10V 600mohm @ 9a,10v 4V @ 250µA 13.5 NC @ 10 V ±25V 400 pf @ 100 V - 25W(TC)
STW32NM50N STMicroelectronics STW32NM50N 6.5000
RFQ
ECAD 1658年 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW32 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-13284-5 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 22a(TC) 10V 130mohm @ 11a,10v 4V @ 250µA 62.5 NC @ 10 V ±25V 1973 pf @ 50 V - 190w(TC)
STS7C4F30L STMicroelectronics STS7C4F30L -
RFQ
ECAD 9714 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) STS7C4 MOSFET (金属 o化物) 2W 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 7a,4a 22mohm @ 3.5a,10v 2.5V @ 250µA 23nc @ 5V 1050pf @ 25V 逻辑级别门
STLD257N4F7AG STMicroelectronics STLD257N4F7AG 2.1585
RFQ
ECAD 1715年 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101,StripFet™F7 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn STLD257 MOSFET (金属 o化物) PowerFlat™5x6) - rohs3符合条件 到达不受影响 497-STLD257N4F7AG Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 120A(TC) 6.5V,10V 1.1MOHM @ 60a,10v 4V @ 250µA 66.5 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 25 V - 158W(TC)
STP65N045M9 STMicroelectronics STP65N045M9 6.6693
RFQ
ECAD 6839 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP65N MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 497-STP65N045M9 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 55A(TC) 10V 45mohm @ 28a,10v 4.2V @ 250µA 80 NC @ 10 V ±30V 4610 PF @ 400 V - 245W(TC)
STD95N4F3 STMicroelectronics STD95N4F3 1.9400
RFQ
ECAD 160 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD95 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 80A(TC) 10V 6.5MOHM @ 40a,10v 4V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 110W(TC)
STB18NM60ND STMicroelectronics STB18NM60ND 5.5900
RFQ
ECAD 4467 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH™II 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STB18 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 13A(TC) 10V 290MOHM @ 6.5A,10V 5V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±25V 1030 pf @ 50 V - 110W(TC)
STW38N65M5 STMicroelectronics STW38N65M5 7.6200
RFQ
ECAD 1092 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW38 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 30A(TC) 10V 95mohm @ 15a,10v 5V @ 250µA 71 NC @ 10 V ±25V 3000 pf @ 100 V - 190w(TC)
STP15N60M2-EP STMicroelectronics STP15N60M2-EP 2.0100
RFQ
ECAD 334 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™M2-EP 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP15 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 11A(TC) 10V 378MOHM @ 5.5A,10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±25V 590 pf @ 100 V - 110W(TC)
ESM3045DV STMicroelectronics ESM3045DV -
RFQ
ECAD 4309 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 同位素 ESM3045 125 w isotop® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 450 v 24 a - npn-达灵顿 1.4V @ 1.2a,20a 120 @ 20a,5v -
STK800 STMicroelectronics STK800 2.6300
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 Polarpak® STK8 MOSFET (金属 o化物) Polarpak® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 20A(TC) 4.5V,10V 7.8mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 13.4 NC @ 4.5 V ±16V 1380 pf @ 25 V - 5.2W(TC)
STFI20NK50Z STMicroelectronics STFI20NK50Z 3.8300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3完整包,i²pak STFI20N MOSFET (金属 o化物) I2PAKFP(to-281) 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 17a(TC) 10V 270MOHM @ 8.5A,10V 4.5V @ 100µA 119 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 40W(TC)
STP6NB90 STMicroelectronics STP6NB90 -
RFQ
ECAD 2626 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP6N MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 5.8A(TC) 10V 2ohm @ 3a,10v 5V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±30V 1400 pf @ 25 V - 135W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库