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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BULB903EDT4 | - | ![]() | 3547 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | - | - | Bulb903 | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | STP10NK62ZFP | - | ![]() | 7863 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | STP10 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | str1p2uh7 | - | ![]() | 4704 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™H7 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | str1 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 1.4a(ta) | 1.8V,4.5V | 100mohm @ 700mA,4.5V | 1V @ 250µA | 4.8 NC @ 4.5 V | ±8V | 510 pf @ 10 V | - | 350MW(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | STD65N55LF3 | - | ![]() | 6654 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™III | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STD65N | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 55 v | 80A(TC) | 5V,10V | 8.5MOHM @ 32A,10V | 2.5V @ 250µA | 20 nc @ 5 V | ±20V | 2200 PF @ 25 V | - | 110W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | STL3N80K5 | 0.7650 | ![]() | 4586 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | STL3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW55NM60ND | - | ![]() | 2159 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | FDMESH™II | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STW55N | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-7036-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 51A(TC) | 10V | 60mohm @ 25.5a,10v | 5V @ 250µA | 190 NC @ 10 V | ±25V | 5800 PF @ 50 V | - | 350W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | STF18N60DM2 | 1.3850 | ![]() | 5257 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™DM2 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STF18 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 13A(TC) | 10V | 295MOHM @ 6A,10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±25V | 800 pf @ 100 V | - | 25W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | STO68N65DM6 | 9.6800 | ![]() | 260 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powersfn | MOSFET (金属 o化物) | HV) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-STO68NNN65DM6TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n通道 | 650 v | 55A(TC) | 10V | 65mohm @ 27.5a,10v | 4.75V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±25V | 3528 PF @ 100 V | - | 240W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | STD155N3H6 | 2.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate™,diplfet™vi | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STD15 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -497-11307-6 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 80A(TC) | 10V | 3mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ±20V | 3650 pf @ 25 V | - | 110W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | STL13N65M2 | 0.9238 | ![]() | 1238 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™M2 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | STL13 | MOSFET (金属 o化物) | PowerFlat™(5x6)HV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 650 v | 6.5A(TC) | 10V | 475MOHM @ 3A,10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±25V | 590 pf @ 100 V | - | 52W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | STB34N50DM2AG | 6.1200 | ![]() | 1237 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101,MDMESH™DM2 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STB34 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 26a(TC) | 10V | 120mohm @ 12.5a,10v | 5V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±25V | 1850 pf @ 100 V | - | 190w(TC) | |||||||||||||||||||
2N6039 | - | ![]() | 5126 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-225AA,TO-126-3 | 2N60 | 40 W | SOT-32-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 4 a | 100µA | npn-达灵顿 | 3V @ 40mA,4a | 750 @ 2a,3v | - | ||||||||||||||||||||||||
STAC4933 | 113.3700 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 盒子 | 过时的 | 200 v | STAC177B | STAC4933 | 30MHz | MOSFET | STAC177B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 40a | 250 MA | 300W | 24dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | STW120NF10 | 6.1000 | ![]() | 2680 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™II | 管子 | 上次购买 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STW120 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-5166-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 100 v | 110A(TC) | 10V | 10.5MOHM @ 60a,10v | 4V @ 250µA | 233 NC @ 10 V | ±20V | 5200 pf @ 25 V | - | 312W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | PD55025STR-E | - | ![]() | 2650 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 40 V | Powerso-10裸露的底部垫 | PD55025 | 500MHz | ldmos | Powerso-10rf (直线直线) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 7a | 200 MA | 25W | 14.5db | - | 12.5 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | STD11N50M2 | 1.4900 | ![]() | 5653 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™II Plus | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STD11 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 500 v | 8A(TC) | 10V | 530MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±25V | 395 pf @ 100 V | - | 85W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | MD2103DFP | 1.7100 | ![]() | 966 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MD2103 | 38 w | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 700 v | 6 a | 200µA | NPN | 1.8V @ 750mA,3a | 6.5 @ 3a,5v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | STFH10N60M2 | 1.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STFH10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FPAB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 46 | n通道 | 600 v | 7.5A(TC) | 10V | 600mohm @ 9a,10v | 4V @ 250µA | 13.5 NC @ 10 V | ±25V | 400 pf @ 100 V | - | 25W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | STW32NM50N | 6.5000 | ![]() | 1658年 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™II | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STW32 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-13284-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 500 v | 22a(TC) | 10V | 130mohm @ 11a,10v | 4V @ 250µA | 62.5 NC @ 10 V | ±25V | 1973 pf @ 50 V | - | 190w(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | STS7C4F30L | - | ![]() | 9714 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | STS7C4 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 7a,4a | 22mohm @ 3.5a,10v | 2.5V @ 250µA | 23nc @ 5V | 1050pf @ 25V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||
![]() | STLD257N4F7AG | 2.1585 | ![]() | 1715年 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101,StripFet™F7 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | STLD257 | MOSFET (金属 o化物) | PowerFlat™5x6) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 497-STLD257N4F7AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 120A(TC) | 6.5V,10V | 1.1MOHM @ 60a,10v | 4V @ 250µA | 66.5 NC @ 10 V | ±20V | 5400 PF @ 25 V | - | 158W(TC) | |||||||||||||||||||
STP65N045M9 | 6.6693 | ![]() | 6839 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP65N | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 497-STP65N045M9 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 55A(TC) | 10V | 45mohm @ 28a,10v | 4.2V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±30V | 4610 PF @ 400 V | - | 245W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | STD95N4F3 | 1.9400 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™III | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STD95 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 80A(TC) | 10V | 6.5MOHM @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±20V | 2200 PF @ 25 V | - | 110W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | STB18NM60ND | 5.5900 | ![]() | 4467 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | FDMESH™II | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STB18 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 13A(TC) | 10V | 290MOHM @ 6.5A,10V | 5V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ±25V | 1030 pf @ 50 V | - | 110W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | STW38N65M5 | 7.6200 | ![]() | 1092 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™v | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STW38 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 650 v | 30A(TC) | 10V | 95mohm @ 15a,10v | 5V @ 250µA | 71 NC @ 10 V | ±25V | 3000 pf @ 100 V | - | 190w(TC) | |||||||||||||||||||
STP15N60M2-EP | 2.0100 | ![]() | 334 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™M2-EP | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP15 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 11A(TC) | 10V | 378MOHM @ 5.5A,10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±25V | 590 pf @ 100 V | - | 110W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | ESM3045DV | - | ![]() | 4309 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 同位素 | ESM3045 | 125 w | isotop® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 450 v | 24 a | - | npn-达灵顿 | 1.4V @ 1.2a,20a | 120 @ 20a,5v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | STK800 | 2.6300 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | Polarpak® | STK8 | MOSFET (金属 o化物) | Polarpak® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 20A(TC) | 4.5V,10V | 7.8mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 13.4 NC @ 4.5 V | ±16V | 1380 pf @ 25 V | - | 5.2W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | STFI20NK50Z | 3.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh™ | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3完整包,i²pak | STFI20N | MOSFET (金属 o化物) | I2PAKFP(to-281) | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 17a(TC) | 10V | 270MOHM @ 8.5A,10V | 4.5V @ 100µA | 119 NC @ 10 V | ±30V | 2600 PF @ 25 V | - | 40W(TC) | |||||||||||||||||||
STP6NB90 | - | ![]() | 2626 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh™ | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP6N | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 900 v | 5.8A(TC) | 10V | 2ohm @ 3a,10v | 5V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±30V | 1400 pf @ 25 V | - | 135W(TC) |
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