RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STH290N4F6-6	-	RFQ	9144	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					STH290						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
STSJ50NH3LL	-	RFQ	9546	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，3.90mm）	STSJ50		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	50A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 6A，10V	1V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±16V	965 PF @ 25 V	-	（3w（ta），50W（TC）
Bul510	2.2300	RFQ	76	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul510			100 W		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																			450 v	10 a			250µA			NPN	1.5V @ 1.25a，5a	15 @ 1A，5V	-
BD139	0.6600	RFQ	9233	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD139			1.25 w		SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																			80 V	1.5 a			100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
STB40NF10T4	-	RFQ	1702	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-50°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB40N		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	50A（TC）	10V	28mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 25 V	-	150W（TC）
PD85035STR-E	30.8300	RFQ	9481	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V			Powerso-10rf 暴露的底部垫（连续 2条线）	PD85035	870MHz	ldmos			Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-1138-PD85035STR-ETR	Ear99	8541.29.0095	600			8a	350 MA	15W	17dB											-					13.6 v
STP80N600K6	2.5400	RFQ	2046	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP80		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STP80N600K6			50		n通道					800 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 100µA	10.7 NC @ 10 V	±30V	540 pf @ 400 V	-	86W（TC）
TIP36CP	-	RFQ	7506	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	提示36			125 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																			100 v	25 a			1ma			PNP	4V @ 5a，25a	10 @ 15a，4V	3MHz
ULQ2003D1013	1.0200	RFQ	45	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ULQ2003			-		16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																			50V	500mA			-			7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
STGE50NC60VD	-	RFQ	8007	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	STGE50			260 w	标准	同位素	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																	-	600 v	90 a	2.5V @ 15V，40a		150 µA	不	4.55 NF @ 25 V
PD20015S-E	-	RFQ	9456	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	40 V			Powerso-10裸露的底部垫	PD20015	2GHz	ldmos			Powerso-10rf （直线直线）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			7a	350 MA	15W	11DB											-					13.6 v
stt13005fp	0.9200	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	STT13			30 W		SOT-32FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																			400 v	2 a			250µA			NPN	1.5V @ 400mA，1.6a	10 @ 500mA，5V	-
SD2942W	163.3500	RFQ	82	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	130 v			M244	SD2942	175MHz	MOSFET			M244	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	n通道		40a	500 MA	350W	17dB											-					50 V
STX13004-AP	-	RFQ	7029	Stmicroelectronics	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	STX13004			2.5 w		TO-92AP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																			400 v	2 a			1ma			NPN	1V @ 500mA，2a	10 @ 1A，5V	-
STD38NH02LT4	-	RFQ	1292	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD38		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					24 V	38A（TC）	5V，10V	13.5Mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1070 pf @ 25 V	-	40W（TC）
STH200N10WF7-2	6.9100	RFQ	4503	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	180a（TC）	10V	4MOHM @ 90A，10V	4.5V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	4430 PF @ 25 V	-	340W（TC）
Stdled623	-	RFQ	9026	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Stdled623		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					620 v	3A（TC）	10V	3.6ohm @ 1.1a，10v	4.5V @ 50µA	15.5 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 50 V	-	45W（TC）
MJE802	-	RFQ	1092	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE802			40 W		SOT-32	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																			80 V	4 a			100NA			npn-达灵顿	3V @ 40mA，4a	750 @ 1.5A，3V	-
STB5NK50ZT4	-	RFQ	8525	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB5N		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					500 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	28 NC @ 10 V	±30V	535 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STP15N60M2-EP	2.0100	RFQ	334	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP15		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	11A（TC）	10V	378MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 100 V	-	110W（TC）
ESM3045DV	-	RFQ	4309	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	底盘安装	同位素	ESM3045			125 w		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10																			450 v	24 a			-			npn-达灵顿	1.4V @ 1.2a，20a	120 @ 20a，5v	-
STLD257N4F7AG	2.1585	RFQ	1715年	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	STLD257		MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™5x6）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STLD257N4F7AG	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	120A（TC）	6.5V，10V	1.1MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	66.5 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	158W（TC）
STF10NK50Z	-	RFQ	2239	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF10N		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	9A（TC）	10V	700MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 100µA	39.2 NC @ 10 V	±30V	1219 pf @ 25 V	-	30W（TC）
STV270N4F3	5.7400	RFQ	7905	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	Powerso-10裸露的底部垫	STV270		MOSFET （金属 o化物）			10-Powerso	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道					40 V	270a（TC）	10V	1.5MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STW38N65M5	7.6200	RFQ	1092	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW38		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	30A（TC）	10V	95mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±25V	3000 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STP6NB90	-	RFQ	2626	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP6N		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					900 v	5.8A（TC）	10V	2ohm @ 3a，10v	5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	135W（TC）
STW32NM50N	6.5000	RFQ	1658年	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW32		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13284-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					500 v	22a（TC）	10V	130mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	62.5 NC @ 10 V	±25V	1973 pf @ 50 V	-	190w（TC）
STW18N65M5	3.8100	RFQ	6583	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW18		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13283-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	15A（TC）	10V	220MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1240 pf @ 100 V	-	110W（TC）
MMBT3906	-	RFQ	5042	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT			350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			40 V	200 ma			-			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
STS3DPF60L	-	RFQ	4772	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS3D		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）						60V	3a		120MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	15.7nc @ 4.5V		630pf @ 25V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²