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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
ST13005	1.1200	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ST13005				75 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				400 v	4 a							1ma	NPN	1V @ 1A，4A	8 @ 2a，5v	-
PD84002	-	RFQ	2044	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v			TO-243AA	PD84002		870MHz	ldmos		SOT-89	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500		2a		100 ma	2W	15DB											-										7.5 v
STFH12N105K5	2.5549	RFQ	5300	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFH12			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STFH12N105K5	Ear99	8541.29.0095	920	n通道						1050 v	8A（TC）	10V	1欧姆 @ 4A，10V	5V @ 100µA	18.4 NC @ 10 V	±30V	559 pf @ 100 V	-	29W（TC）
stbv32-ap	-	RFQ	4014	Stmicroelectronics	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	STBV32				1.5 w	TO-92AP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																				400 v	1.5 a							1ma	NPN	1.5V @ 500mA，1.5a	5 @ 1A，2V	-
STN1NK80Z	1.2600	RFQ	6011	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN1NK80			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道						800 v	250mA（tc）	10V	16ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	160 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
Sty145N65M5	45.2700	RFQ	474	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Sty145			MOSFET （金属 o化物）		Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13638-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道						650 v	138a（TC）	10V	15mohm @ 69a，10v	5V @ 250µA	414 NC @ 10 V	±25V	18500 PF @ 100 V	-	625W（TC）
STP21NM50N	-	RFQ	9573	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP21N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4820-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						500 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	1950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
STD80N3LL	0.9500	RFQ	11	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD80			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V	1640 pf @ 25 V	-	75W（TC）
STGW40H65DFB	4.2900	RFQ	7118	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW40	标准			283 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14365	Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，5ohm，15V															62 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	（498µJ）（在363µJ上）	210 NC	40NS/142NS
STGWA60NC60WDR	7.9700	RFQ	436	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA60	标准			340 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			390V，40a，10ohm，15V															42 ns	-	600 v	130 a	250 a	2.6V @ 15V，40a	（743µJ）（在560µJ上）	195 NC	40NS/240NS
STGB20NB37Lz	-	RFQ	6857	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB20	标准			200 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			250V，20A，1KOHM，4.5V																-	425 v	40 a	80 a	2V @ 4.5V，20a	11.8MJ（）	51 NC	2.3µs/2µs
STP7NB60	-	RFQ	1040	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2761-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	7.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.6A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1625 PF @ 25 V	-	125W（TC）
STF16N65M2	2.5300	RFQ	5089	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF16			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						650 v	11A（TC）	10V	360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	19.5 NC @ 10 V	±25V	718 PF @ 100 V	-	25W（TC）
STF35N60DM2	6.0300	RFQ	280	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF35			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16358-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	28a（TC）	10V	110mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±25V	2400 PF @ 100 V	-	40W（TC）
STF8N65M5	3.0400	RFQ	8	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF8			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						650 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	690 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STF13N65M2	2.0400	RFQ	866	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF13			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						650 v	10A（TC）	10V	430MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STB23N80K5	5.2600	RFQ	564	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB23			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						800 v	16A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	5V @ 100µA	33 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 100 V	-	190w（TC）
2N6111	-	RFQ	9938	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2n61				40 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				30 V	7 a							1ma	PNP	3.5V @ 3a，7a	30 @ 3a，4v	4MHz
PD85015S-E	-	RFQ	9156	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	40 V			Powerso-10裸露的底部垫	PD85015		870MHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		5a		150 ma	15W	16dB											-										13.6 v
STI23NM60ND	-	RFQ	7305	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI23N			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	19.5A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±25V	2050 pf @ 50 V	-	150W（TC）
STX13005	-	RFQ	9242	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	STX13005				2.8 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4429	Ear99	8541.29.0095	2,500																				400 v	3 a							1ma	NPN	5V @ 750mA，3a	8 @ 2a，5v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²