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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STH140N8F7-2	3.2800	RFQ	5646	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STH140			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						80 V	90A（TC）	10V	4mohm @ 45a，10v	4.5V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±20V	6340 pf @ 40 V	-	200W（TC）
STGWA30N120KD	-	RFQ	2201	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA30	标准			220 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，20a，10ohm，15V															84 ns	-	1200 v	60 a	100 a	3.85V @ 15V，20A	2.4MJ（在）上，4.3MJ（4.3MJ）	105 NC	36NS/251NS
STD14NM50NAG	2.0100	RFQ	2419	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD14			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						500 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±25V	816 pf @ 50 V	-	90W
STP150NF04	3.0400	RFQ	810	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP150			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						40 V	80A（TC）	10V	7mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	3650 pf @ 25 V	-	300W（TC）
STW74NF30	3.4335	RFQ	9069	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW74			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600	n通道						300 v	60a（TC）	10V	45mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	164 NC @ 10 V	±20V	5930 PF @ 25 V	-	320W（TC）
STP9N80K5	1.4205	RFQ	7504	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP9N80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						800 v	7A（TC）	10V	900MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 100µA	12 nc @ 10 V	±30V	340 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STH110N10F7-2	3.5100	RFQ	90	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STH110			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						100 v	110A（TC）	10V	6.5MOHM @ 55A，10V	4.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	5117 PF @ 50 V	-	150W（TC）
2SD882	0.9600	RFQ	10	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2SD882				12.5 w	SOT-32（to-126）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4821-5	Ear99	8541.29.0075	50																				30 V	3 a							100µA	NPN	1.1V @ 150mA，3a	100 @ 100mA，2V	100MHz
STP8NM60FP	-	RFQ	7991	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP8N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						650 v	8A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	400 pf @ 25 V	-	30W（TC）
STB11NM80T4	7.9400	RFQ	2228	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB11			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						800 v	11A（TC）	10V	400MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	43.6 NC @ 10 V	±30V	1630 PF @ 25 V	-	150W（TC）
STFI13N80K5	-	RFQ	4352	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI13N			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						800 v	12A（TC）	10V	450MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	29 NC @ 10 V	±30V	870 pf @ 100 V	-	35W（TC）
STL28N60M2	1.8081	RFQ	8127	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					STL28						-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
LET9060STR	-	RFQ	553	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	80 V			Powerso-10rf 暴露的底部垫（连续 2条线）	LET9060		960MHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	600		12a		300 MA	60W	17.2db											-										28 V
STD7N65M2	1.7100	RFQ	73	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7N65			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						650 v	5A（TC）	10V	1.15OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±25V	270 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STF120NF10	3.9800	RFQ	711	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF12			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						100 v	41A（TC）	10V	10.5MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	233 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STL33N65M2	-	RFQ	4929	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL33			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道						650 v	20A（TC）	10V	154mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	41.5 NC @ 10 V	±25V	1790 pf @ 100 V	-	150W（TC）
STF18N60M6	2.5500	RFQ	39	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF18			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-19057	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	13A（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	4.75V @ 250µA	16.8 NC @ 10 V	±25V	650 pf @ 100 V	-	25W（TC）
LET9060S	56.8300	RFQ	24	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	80 V			Powerso-10rf 暴露的底部垫（连续 2条线）	LET9060		960MHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		12a		300 MA	60W	17.2db											-										28 V
STL57N65M5	11.4800	RFQ	2950	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL57			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道						650 v	4.3A（TA），22.5a tc）	10V	69mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	4200 PF @ 100 V	-	2.8W（ta），189w（tc）
STH400N4F6-6	-	RFQ	5436	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Deepgate™，StripFet™VI	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH400			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						40 V	180a（TC）	10V	1.15MOHM @ 60a，10V	4.5V @ 250µA	404 NC @ 10 V	±20V	20500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STF3N62K3	1.0600	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF3N62			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						620 v	2.7A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.4A，10V	4.5V @ 50µA	13 NC @ 10 V	±30V	385 pf @ 25 V	-	20W（TC）
STW6N90K5	2.8900	RFQ	8303	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW6N90			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17077	Ear99	8541.29.0095	30	n通道						900 v	6A（TC）	10V	1.1OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA		±30V		-	110W（TC）
BCP56-16	0.6200	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP56				1.6 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																				80 V	1 a							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	-
BD535	-	RFQ	4016	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD535				50 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				60 V	8 a							100µA	NPN	800mv @ 600mA，6a	25 @ 2a，2v	-
BF420-AP	-	RFQ	1171	Stmicroelectronics	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF420				830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																				300 v	500 MA							10NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
STX0560	-	RFQ	8707	Stmicroelectronics	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	STX0560				1.5 w	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																				600 v	1 a							10µA	NPN	1V @ 100mA，500mA	70 @ 5mA，5V	-
PN2907A	-	RFQ	2844	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN2907				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500																				60 V	600 MA							10NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
STP19NM65N	-	RFQ	9968	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP19N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						650 v	15.5A（TC）	10V	270MOHM @ 7.75a，10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±25V	1900 pf @ 50 V	-	150W（TC）
STH175N4F6-6AG	2.0200	RFQ	591	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STH175			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						40 V	120A（TC）	10V	2.4mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	7735 PF @ 20 V	-	150W（TC）
STFU14N80K5	2.0154	RFQ	2101	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFU14			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						800 v	12A（TC）	10V	445MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	22 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 100 V	-	30W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²