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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STD3NK80ZT4	1.6500	RFQ	6543	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD3NK80		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		800 v	2.5A（TC）	10V	4.5OHM @ 1.25A，10V	4.5V @ 50µA	19 nc @ 10 V	±30V	485 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STN93003	0.7100	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN93003			1.6 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000															400 v	1.5 a						1ma	PNP	500mv @ 100mA，500mA	16 @ 350mA，5V	-
Bur51	-	RFQ	9369	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	Bur51			350 w	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20															200 v	60 a						1ma	NPN	1.5V @ 5a，50a	20 @ 5A，4V	16MHz
TIP147	1.6500	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TIP147			125 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30															100 v	10 a						2mA	pnp-达灵顿	3V @ 40mA，10a	1000 @ 5A，4V	-
E-ULQ2003A	-	RFQ	2880	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）		-	ULQ2003			-		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25															50V	500mA						-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
STF16N65M2	2.5300	RFQ	5089	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF16		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		650 v	11A（TC）	10V	360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	19.5 NC @ 10 V	±25V	718 PF @ 100 V	-	25W（TC）
stbv32-ap	-	RFQ	4014	Stmicroelectronics	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	STBV32			1.5 w	TO-92AP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000															400 v	1.5 a						1ma	NPN	1.5V @ 500mA，1.5a	5 @ 1A，2V	-
STGW40H65DFB	4.2900	RFQ	7118	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW40	标准		283 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14365	Ear99	8541.29.0095	30		400V，40a，5ohm，15V											62 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	（498µJ）（在363µJ上）	210 NC	40NS/142NS
STN1NK80Z	1.2600	RFQ	6011	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN1NK80		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道		800 v	250mA（tc）	10V	16ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	160 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
STGWA60NC60WDR	7.9700	RFQ	436	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA60	标准		340 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		390V，40a，10ohm，15V											42 ns	-	600 v	130 a	250 a	2.6V @ 15V，40a	（743µJ）（在560µJ上）	195 NC	40NS/240NS
STP21NM50N	-	RFQ	9573	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP21N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4820-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		500 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	1950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
STD80N3LL	0.9500	RFQ	11	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD80		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V	1640 pf @ 25 V	-	75W（TC）
STGB20NB37Lz	-	RFQ	6857	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STGB20	标准		200 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		250V，20A，1KOHM，4.5V												-	425 v	40 a	80 a	2V @ 4.5V，20a	11.8MJ（）	51 NC	2.3µs/2µs
Sty145N65M5	45.2700	RFQ	474	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Sty145		MOSFET （金属 o化物）		Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13638-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		650 v	138a（TC）	10V	15mohm @ 69a，10v	5V @ 250µA	414 NC @ 10 V	±25V	18500 PF @ 100 V	-	625W（TC）
STP7NB60	-	RFQ	1040	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2761-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		600 v	7.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.6A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1625 PF @ 25 V	-	125W（TC）
STS10N3LH5	1.3400	RFQ	7200	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS10		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		30 V	10A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 5a，10v	1V @ 250µA	4.6 NC @ 5 V	±22V	475 PF @ 25 V	-	2.5W（TC）
STS4DNFS30L	-	RFQ	1290	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS4D		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		30 V	4A（TC）	5V，10V	55mohm @ 2a，10v	1V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±16V	330 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TC）
STS4DNFS30	1.4800	RFQ	1	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS4D		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		30 V	4.5A（TC）	5V，10V	55mohm @ 2a，10v	1V @ 250µA	4.7 NC @ 5 V	±20V	330 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TC）
STGDL6NC60DIT4	-	RFQ	4602	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGDL6	标准		50 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		390V，3A，10欧姆，15V											23 ns	-	600 v	13 a	18 a	2.9V @ 15V，3A	（32µJ）（在），24µJ（24µJ）中	12 nc	6.7NS/46NS
STGW35HF60WD	-	RFQ	7389	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW35	标准		200 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10073-5	Ear99	8541.29.0095	30		400V，20a，10ohm，15V											50 ns	-	600 v	60 a	150 a	2.5V @ 15V，20A	（290µJ）（在185µj off）上）	140 NC	30ns/175ns
STH110N10F7-2	3.5100	RFQ	90	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STH110		MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		100 v	110A（TC）	10V	6.5MOHM @ 55A，10V	4.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	5117 PF @ 50 V	-	150W（TC）
STB13NM50N	-	RFQ	1069	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB13N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		500 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	960 pf @ 50 V	-	100W（TC）
MJD2955T4	-	RFQ	6856	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD295			20 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500															60 V	10 a						50µA	PNP	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
STF35N60DM2	6.0300	RFQ	280	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF35		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16358-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		600 v	28a（TC）	10V	110mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±25V	2400 PF @ 100 V	-	40W（TC）
STF8N65M5	3.0400	RFQ	8	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF8		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		650 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	690 pf @ 100 V	-	25W（TC）
2N6111	-	RFQ	9938	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2n61			40 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															30 V	7 a						1ma	PNP	3.5V @ 3a，7a	30 @ 3a，4v	4MHz
STB23N80K5	5.2600	RFQ	564	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB23		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		800 v	16A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	5V @ 100µA	33 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STF13N65M2	2.0400	RFQ	866	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF13		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		650 v	10A（TC）	10V	430MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 100 V	-	25W（TC）
ST631K	-	RFQ	7111	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	ST631			12.5 w	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															120 v	1 a						1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，5V	-
ST2310DHI	-	RFQ	7190	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	ISOWATT-218-3	ST2310			55 w	Isowatt-218	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	300															600 v	12 a						1ma	NPN	3V @ 1.75a，7a	5.5 @ 7A，5V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²