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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f)
STL52DN4LF7AG STMicroelectronics STL52DN4LF7AG 0.6165
RFQ
ECAD 3141 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101,StripFet™F7 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn STL52 MOSFET (金属 o化物) 65W(TC) PowerFlat™(5x6) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 40V 18A(TC) 16mohm @ 6a,10v 2.5V @ 250µA 9.4NC @ 10V 500pf @ 25V -
ST16010 STMicroelectronics ST16010 45.3750
RFQ
ECAD 3068 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 积极的 90 v 表面安装 毫米 ST160 1.6GHz ldmos 毫米 - rohs3符合条件 到达不受影响 497-ST16010 300 - 1µA 10W 23dB -
STL20DNF06LAG STMicroelectronics STL20DNF06LAG -
RFQ
ECAD 8279 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn STL20 MOSFET (金属 o化物) 75W PowerFlat™(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 60V 20a 40mohm @ 4A,10V 2.5V @ 250µA 22.5nc @ 10V 670pf @ 25V 逻辑级别门
STGP20IH65DF STMicroelectronics STGP20IH65DF 1.0888
RFQ
ECAD 5359 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STGP20 标准 159 w TO-220 - rohs3符合条件 到达不受影响 497-STGP20IH65DF Ear99 8541.29.0095 1,000 400V,20A,22OHM,15V 沟渠场停止 650 v 40 a 60 a 2.05V @ 15V,20A - 56 NC -
BU508AFI STMicroelectronics BU508AFI -
RFQ
ECAD 3102 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 ISOWATT-218-3 BU508 50 W ISOWATT-218FX 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 300 700 v 8 a 1ma NPN 1V @ 2a,4.5a - 7MHz
STPLED524 STMicroelectronics STPLED524 -
RFQ
ECAD 8564 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STPLED524 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 525 v 4A(TC) 10V 2.6ohm @ 2.2a,10v 4.5V @ 50µA 12 nc @ 10 V ±30V 340 pf @ 100 V - 45W(TC)
SD57030-01 STMicroelectronics SD57030-01 66.7900
RFQ
ECAD 4580 0.00000000 Stmicroelectronics - 盒子 积极的 65 v M250 SD57030 945MHz ldmos M250 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 4a 50 mA 30W 15DB - 28 V
STF12N120K5 STMicroelectronics STF12N120K5 11.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™K5 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF12 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-16011-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1200 v 12A(TC) 10V 690MOHM @ 6A,10V 5V @ 100µA 44.2 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 100 V - 40W(TC)
BUL1102EFP STMicroelectronics Bul1102EFP 1.7000
RFQ
ECAD 740 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 Bul1102 30 W TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 450 v 4 a 100µA NPN 1.5V @ 400mA,2a 12 @ 2a,5v -
2ST501T STMicroelectronics 2ST501T 1.5900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 2ST501 100 W TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 350 v 4 a 100µA npn-达灵顿 1.5V @ 2mA,2a 2000 @ 2a,2v -
STI26NM60N STMicroelectronics STI26NM60N 4.7400
RFQ
ECAD 942 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STI26N MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A(TC) 10V 165mohm @ 10a,10v 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±25V 1800 PF @ 50 V - 140W(TC)
STD3N40K3 STMicroelectronics STD3N40K3 1.5100
RFQ
ECAD 88 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD3 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 400 v 2A(TC) 10V 3.4ohm @ 900mA,10v 4.5V @ 50µA 11 NC @ 10 V ±30V 165 pf @ 50 V - 30W(TC)
2N2369A STMicroelectronics 2n2369a -
RFQ
ECAD 6750 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-206AA,TO-18-3 2N23 360兆w TO-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 497-3107-5 Ear99 8541.21.0075 1,000 15 v 200 ma 400NA NPN 500mv @ 10mA,100mA 40 @ 10mA,1V 675MHz
STE70NM60 STMicroelectronics Ste70nm60 45.7562
RFQ
ECAD 3867 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™ 管子 积极的 150°C(TJ) 底盘安装 同位素 Ste70 MOSFET (金属 o化物) isotop® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 600 v 70A(TC) 10V 55mohm @ 30a,10v 5V @ 250µA 266 NC @ 10 V ±30V 7300 PF @ 25 V - 600W(TC)
BD442 STMicroelectronics BD442 -
RFQ
ECAD 1033 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 BD442 36 W SOT-32 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 80 V 4 a 100µA PNP 800mv @ 200mA,2a 40 @ 500mA,1V -
STD3LN80K5 STMicroelectronics STD3LN80K5 1.5200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD3LN80 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 800 v 2A(TC) 10V 3.25OHM @ 1A,10V 5V @ 100µA 2.63 NC @ 10 V ±30V 102 PF @ 100 V - 45W(TC)
STP65NF06 STMicroelectronics STP65NF06 -
RFQ
ECAD 9642 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP65N MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 60a(TC) 10V 14mohm @ 30a,10v 4V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 25 V - 110W(TC)
BD681 STMicroelectronics BD681 1.0200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 BD681 40 W SOT-32-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 100 v 4 a 500µA npn-达灵顿 2.5V @ 30mA,1.5a 750 @ 1.5A,3V -
STH180N10F3-6 STMicroelectronics STH180N10F3-6 -
RFQ
ECAD 4843 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) STH180 MOSFET (金属 o化物) H2PAK-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 180a(TC) 10V 4.5mohm @ 60a,10v 4V @ 250µA 114.6 NC @ 10 V ±20V 6665 PF @ 25 V - 315W(TC)
BCP52-16 STMicroelectronics BCP52-16 -
RFQ
ECAD 5042 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BCP52 1.4 w SOT-223 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,2V 50MHz
SD1274-01 STMicroelectronics SD1274-01 -
RFQ
ECAD 7396 0.00000000 Stmicroelectronics - 盒子 过时的 - 表面安装 M113 SD1274 70W M113 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 10dB 16V 8a NPN 20 @ 250mA,5V - -
STU65N3LLH5 STMicroelectronics Stu65n3llh5 1.0700
RFQ
ECAD 214 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™v 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA Stu65n MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 30 V 65A(TC) 4.5V,10V 7.3MOHM @ 32.5a,10V 3V @ 250µA 8 NC @ 4.5 V ±22V 1290 pf @ 25 V - 50W(TC)
BU941ZP STMicroelectronics BU941ZP -
RFQ
ECAD 2449 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 BU941 155 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 350 v 15 a 100µA npn-达灵顿 2V @ 300mA,12a 300 @ 5A,10V -
STP12NM50FP STMicroelectronics STP12NM50FP 4.6000
RFQ
ECAD 3242 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™ 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STP12 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 12A(TC) 10V 350MOHM @ 6A,10V 5V @ 50µA 39 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 V - 35W(TC)
BD680A STMicroelectronics BD680A -
RFQ
ECAD 3802 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 BD680 40 W SOT-32-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 80 V 4 a 500µA pnp-达灵顿 2.8V @ 40mA,2a 750 @ 2a,3v -
BULB49DT4 STMicroelectronics Bulb49dt4 -
RFQ
ECAD 3210 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Bulb49 80 W d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 450 v 5 a 100µA NPN 1.2V @ 800mA,4a 4 @ 7a,10v -
BD241A-A STMicroelectronics BD241A-A -
RFQ
ECAD 6894 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BD241 40 W TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 60 V 3 a 300µA NPN 1.2V @ 600mA,3a 25 @ 1A,4V -
STP90NF03L STMicroelectronics STP90NF03L 1.8600
RFQ
ECAD 6895 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 管子 不适合新设计 -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP90 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 30 V 90A(TC) 5V,10V 6.5MOHM @ 45A,10V 2.5V @ 250µA 47 NC @ 5 V ±20V 2700 PF @ 25 V - 150W(TC)
STX13004G-AP STMicroelectronics STX13004G-AP -
RFQ
ECAD 8118 0.00000000 Stmicroelectronics - (CT) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) STX13004 2.5 w TO-92AP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 400 v 2 a 1ma NPN 1V @ 500mA,2a 10 @ 1A,5V -
STD22NF06AG STMicroelectronics STD22NF06AG -
RFQ
ECAD 1298 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD22 MOSFET (金属 o化物) D-pak(TO-252) - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 24A(TC) 10V 40mohm @ 12a,10v 4V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±20V 690 pf @ 25 V - 60W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库