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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
ST16010	45.3750	RFQ	3068	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	90 v		表面安装	毫米	ST160	1.6GHz	ldmos		毫米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-ST16010			300	-		1µA		10W	23dB											-
STP13NK60Z	2.7900	RFQ	998	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP13		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	13A（TC）	10V	550MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 100µA	92 NC @ 10 V	±30V	2030 pf @ 25 V	-	150W（TC）
STF4N52K3	1.1200	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF4N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					525 v	2.5A（TC）	10V	2.6ohm @ 1.25a，10V	4.5V @ 50µA	11 NC @ 10 V	±30V	334 pf @ 100 V	-	20W（TC）
2STP535FP	1.7900	RFQ	989	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2STP535			37 W	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		180 v	8 a		50µA	npn-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
PD20010STR-E	-	RFQ	5683	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V			Powerso-10rf 暴露的底部垫（连续 2条线）	PD20010	2GHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			5a	150 ma	10W	11DB											-			13.6 v
STD11NM50N	2.1500	RFQ	1753年	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD11		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					500 v	8.5A（TC）	10V	470MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	547 PF @ 50 V	-	70W（TC）
2n2369a	-	RFQ	6750	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N23			360兆w	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-3107-5	Ear99	8541.21.0075	1,000																		15 v	200 MA		400NA	NPN	500mv @ 10mA，100mA	40 @ 10mA，1V	675MHz
STP16N60M2	2.0600	RFQ	151	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP16		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	700 pf @ 100 V	-	110W（TC）
TIP32C	0.7300	RFQ	7787	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示32			2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		100 v	3 a		300µA	PNP	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	-
STP120N10F4	-	RFQ	4350	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP120		-		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		-						120A（TC）	10V	-	-		±20V		-	300W（TC）
BD442	-	RFQ	1033	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD442			36 W	SOT-32	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		80 V	4 a		100µA	PNP	800mv @ 200mA，2a	40 @ 500mA，1V	-
MJ4035	-	RFQ	2861	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	MJ40			150 w	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																		100 v	16 a		3MA	npn-达灵顿	4V @ 80mA，16a	1000 @ 10a，3v	-
STF9NK60ZD	-	RFQ	8964	Stmicroelectronics	SuperFredMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF9		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4346-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	7A（TC）	10V	950MOHM @ 3.5A，10V	4.5V @ 100µA	53 NC @ 10 V	±30V	1110 PF @ 25 V	-	30W（TC）
BD682	0.9000	RFQ	3624	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD682			40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		100 v	4 a		500µA	pnp-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
STL12N65M2	1.9300	RFQ	252	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL12		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					650 v	5A（TC）	10V	750MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	12.5 NC @ 10 V	±25V	410 pf @ 100 V	-	48W（TC）
STP20NF06	-	RFQ	5875	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP20N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	20A（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	60W（TC）
STD170N4F7AG	-	RFQ	7319	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD17		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	80A（TC）	10V	2.8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	4350 pf @ 25 V	-	172W（TC）
STPSA92	0.4500	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	STPSA92			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500																		300 v	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
STD40P3LLH6	-	RFQ	4697	Stmicroelectronics	StripFet™H6	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD40		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					30 V	40a（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2615 PF @ 25 V	-	60W（TC）
STP300NH02L	-	RFQ	4211	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	stp300		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					24 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 80A，10V	2V @ 250µA	109.4 NC @ 10 V	±20V	7055 pf @ 15 V	-	300W（TC）
BU931P	4.7900	RFQ	541	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	BU931			135 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																		400 v	15 a		100µA	npn-达灵顿	1.8V @ 250mA，10a	300 @ 5A，10V	-
ESM5045DV	-	RFQ	8897	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	底盘安装	同位素	ESM5045			175 w	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10																		450 v	60 a		-	npn-达灵顿	1.4V @ 2.8a，50a	150 @ 50a，5v	-
STB9NK90Z	4.9800	RFQ	5748	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB9		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					900 v	8A（TC）	10V	1.3OHM @ 3.6A，10V	4.5V @ 100µA	72 NC @ 10 V	±30V	2115 PF @ 25 V	-	160W（TC）
STB40NS15T4	-	RFQ	7198	Stmicroelectronics	网格覆盖™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB40N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					150 v	40a（TC）	10V	52MOHM @ 20a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2420 pf @ 25 V	-	300W（TC）
stt13005d-k	-	RFQ	5007	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	STT13			45 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																		400 v	2 a		250µA	NPN	1.5V @ 400mA，1.6a	10 @ 500mA，5V	-
STD30NE06LT4	-	RFQ	6843	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD30N		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					60 V	30A（TC）	5V，10V	28mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±20V	2370 pf @ 25 V	-	55W（TC）
3STF1640	-	RFQ	1665年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	3STF16			1.5 w	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																		40 V	6 a		100NA（ICBO）	NPN	170MV @ 300mA，6a	350 @ 1A，1V	100MHz
STW52NK25Z	7.2500	RFQ	7898	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW52		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4428-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					250 v	52A（TC）	10V	45mohm @ 26a，10v	4.5V @ 150µA	160 NC @ 10 V	±30V	4850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
STP4NK50ZFP	-	RFQ	3224	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP4N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	3A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	12 nc @ 10 V	±30V	310 pf @ 25 V	-	20W（TC）
STL20DNF06LAG	-	RFQ	8279	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL20		MOSFET （金属 o化物）	75W	PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						60V	20a		40mohm @ 4A，10V	2.5V @ 250µA	22.5nc @ 10V		670pf @ 25V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²