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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
STI30N65M5	6.4400	RFQ	993	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI30N		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	22a（TC）	10V	139mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±25V	2880 pf @ 100 V	-	140W（TC）
STD40P3LLH6	-	RFQ	4697	Stmicroelectronics	StripFet™H6	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD40		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					30 V	40a（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2615 PF @ 25 V	-	60W（TC）
STB85NF3LLT4	-	RFQ	2835	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB85N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					30 V	85A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 40a，10v	1V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±16V	2210 PF @ 25 V	-	110W（TC）
STP140NF55	2.7900	RFQ	6818	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP140		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	142 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STD12NF06LT4	-	RFQ	3108	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD12		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					60 V	12A（TC）	5V，10V	100mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	10 NC @ 5 V	±16V	350 pf @ 25 V	-	42.8W（TC）
STB50NE10T4	-	RFQ	8373	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB50N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	50A（TC）	10V	27mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	166 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
PD55008Tr-E	14.7400	RFQ	8319	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V			Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD55008	500MHz	ldmos		Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			4a	150 ma	8W	17dB											-			12.5 v
MJE172	-	RFQ	6278	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE172			12.5 w	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																		80 V	3 a		100NA（ICBO）	PNP	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
STW12NK80Z	6.2200	RFQ	4790	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW12		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					800 v	10.5A（TC）	10V	750MOHM @ 5.25A，10V	4.5V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±30V	2620 PF @ 25 V	-	190w（TC）
STK822	-	RFQ	9342	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	Polarpak®	STK8		MOSFET （金属 o化物）		Polarpak®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					25 v	38a（ta）	4.5V，10V	2.15Mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	6060 pf @ 25 V	-	5.2W（ta）
STF7N52K3	1.7300	RFQ	977	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF7N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					525 v	6A（TC）	10V	850MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 50µA	33 NC @ 10 V	±30V	870 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STB45N65M5	8.9200	RFQ	5	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB45		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					650 v	35A（TC）	10V	78mohm @ 19.5a，10v	5V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±25V	3375 PF @ 100 V	-	210W（TC）
STB28N65M2	3.7000	RFQ	3347	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB28		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					650 v	20A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±25V	1440 pf @ 100 V	-	170W（TC）
SD1433	-	RFQ	4293	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	M122	SD1433			58W	M122	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40						7db												16V	2.5a			NPN		10 @ 1A，5V	-	-
STF24NM60N	3.4300	RFQ	4089	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF24		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-11868-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	17a（TC）	10V	190MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 50 V	-	30W（TC）
Bul89	3.1000	RFQ	523	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul89			110 w	TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		400 v	12 a		100µA	NPN	5V @ 2.4a，12a	10 @ 5A，5V	-
STD2HNK60Z-1	1.5000	RFQ	3	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD2HNK60		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					600 v	2A（TC）	10V	4.8OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	15 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STP36N55M5	7.3000	RFQ	25	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	stp36n		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					550 v	33A（TC）	10V	80MOHM @ 16.5a，10V	5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±25V	2670 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STW48N60M6-4	6.2926	RFQ	8344	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW48		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道					600 v	39A（TC）	10V	69mohm @ 19.5a，10v	4.75V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2578 PF @ 100 V	-	250W（TC）
PD20010STR-E	-	RFQ	5683	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V			Powerso-10rf 暴露的底部垫（连续 2条线）	PD20010	2GHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			5a	150 ma	10W	11DB											-			13.6 v
STSJ100NHS3LL	-	RFQ	4534	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STSJ100N		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	35 NC @ 4.5 V	±16V	4200 PF @ 25 V	-	（3W）（70w（ta）（TC）
TIP120	0.8300	RFQ	7898	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP120			2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		60 V	5 a		500µA	npn-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
STD7NK30Z	-	RFQ	1288	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					300 v	5A（TC）	10V	900mohm @ 2.5a，10v	4.5V @ 50µA	13 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 25 V	-	50W（TC）
STWA68N60M6	11.4800	RFQ	53	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA68		MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	63A（TC）	10V	41MOHM @ 31.5A，10V	4.75V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±25V	4360 pf @ 100 V	-	390W（TC）
STC6NF30V	-	RFQ	4333	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	stc6nf		MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）						30V	6a		25mohm @ 3A，4.5V	600mv @ 250µA	9NC @ 2.5V		800pf @ 25V	逻辑级别门
STS5PF20V	-	RFQ	6377	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS5P		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					20 v	5A（TC）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	6 NC @ 2.5 V	±8V	412 PF @ 15 V	-	2.5W（TC）
PD84006L-E	9.1600	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v			8-Powervdfn	PD84006	870MHz	ldmos		PowerFlat™（5x5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			5a	150 ma	2W	15DB											-			7.5 v
STI25NM60ND	-	RFQ	3185	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI25N		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±25V	2400 pf @ 50 V	-	160W（TC）
STS4DPF30L	-	RFQ	4123	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS4D		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）						30V	4a		80mohm @ 2a，10v	1V @ 250µA	16nc @ 5V		1350pf @ 25V	-
STV160NF03LT4	5.9500	RFQ	87	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	Powerso-10裸露的底部垫	STV160		MOSFET （金属 o化物）		10-Powerso	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道					30 V	160a（TC）	5V，10V	2.8mohm @ 80a，10v	1V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±15V	4700 PF @ 25 V	-	210W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²