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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STGW40H65DFB	4.2900	RFQ	7118	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW40	标准			283 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14365	Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，5ohm，15V															62 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	（498µJ）（在363µJ上）	210 NC	40NS/142NS
STL3NK40	2.8000	RFQ	6373	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL3NK40			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						400 v	430ma（tc）	10V	5.5OHM @ 220mA，10V	2V @ 50µA	13 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
STH110N8F7-2	-	RFQ	2457	Stmicroelectronics	StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STH110			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						80 V	110A（TC）	10V	6.6mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	170W（TC）
STP300NH02L	-	RFQ	4211	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	stp300			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						24 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 80A，10V	2V @ 250µA	109.4 NC @ 10 V	±20V	7055 pf @ 15 V	-	300W（TC）
STB11NM80T4	7.9400	RFQ	2228	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB11			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						800 v	11A（TC）	10V	400MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	43.6 NC @ 10 V	±30V	1630 PF @ 25 V	-	150W（TC）
stt13005d-k	-	RFQ	5007	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	STT13				45 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																					400 v	2 a							250µA	NPN	1.5V @ 400mA，1.6a	10 @ 500mA，5V	-
2N3439	-	RFQ	5726	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2n34				1 w	到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																					350 v	1 a							20µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	15MHz
STP5NK65ZFP	-	RFQ	7181	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP5N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	4.5A（TC）	10V	1.8OHM @ 2.1a，10V	4.5V @ 50µA	35 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 25 V	-	25W（TC）
TIP127FP	-	RFQ	9407	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TIP127				2 w	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					100 v	5 a							500µA	pnp-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
TIP127	0.7900	RFQ	971	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP127				2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					100 v	5 a							500µA	pnp-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
STF15NM60N	-	RFQ	3176	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF15			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	14A（TC）	10V	299MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±25V	1250 pf @ 50 V	-	30W（TC）
STP16NF06L	1.3200	RFQ	379	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP16			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	16A（TC）	10V，5V	90MOHM @ 8A，10V	2.5V @ 250µA	10 NC @ 5 V	±16V	345 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STD6NF10T4	1.1500	RFQ	9	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD6NF10			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	6A（TC）	10V	250MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 25 V	-	30W（TC）
提示142	2.4300	RFQ	2169	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	提示142				125 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																					100 v	10 a							2mA	npn-达灵顿	3V @ 40mA，10a	1000 @ 5A，4V	-
STW19NM50N	6.9300	RFQ	376	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW19			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						500 v	14A（TC）	10V	250MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1000 pf @ 50 V	-	110W（TC）
大量741T4	1.1100	RFQ	9790	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	大约741				30 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																					400 v	2.5 a							250µA	NPN	1.5V @ 600mA，2a	25 @ 450mA，3v	-
STB28N65M2	3.7000	RFQ	3347	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB28			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	20A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±25V	1440 pf @ 100 V	-	170W（TC）
Bur51	-	RFQ	9369	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		200°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	Bur51				350 w	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20																					200 v	60 a							1ma	NPN	1.5V @ 5a，50a	20 @ 5A，4V	16MHz
STP28NM60ND	6.7000	RFQ	137	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP28			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	23A（TC）	10V	150MOHM @ 11.5A，10V	5V @ 250µA	62.5 NC @ 10 V	±25V	2090 pf @ 100 V	-	190w（TC）
2STP535FP	1.7900	RFQ	989	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2STP535				37 W	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					180 v	8 a							50µA	npn-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
STF31N65M5	4.4600	RFQ	74	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF31			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	22a（TC）	10V	148mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±25V	816 pf @ 100 V	-	30W（TC）
STD6N62K3	1.9900	RFQ	331	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD6			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						620 v	5.5A（TC）	10V	1.28OHM @ 2.8A，10V	4.5V @ 50µA	25.7 NC @ 10 V	±30V	706 pf @ 50 V	-	90W（TC）
STV300NH02L	-	RFQ	5926	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	Powerso-10裸露的底部垫	STV300			MOSFET （金属 o化物）		10-Powerso	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道						24 V	200a（TC）	10V，5V	1MOHM @ 80A，10V	2V @ 250µA	109 NC @ 10 V	±20V	7055 pf @ 15 V	-	300W（TC）
ST1802HI	-	RFQ	8782	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	ISOWATT-218-3	ST1802				50 W	Isowatt-218	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	300																					600 v	10 a							1ma	NPN	5V @ 800mA，4a	4 @ 5A，5V	-
IRF630	1.5900	RFQ	20	Stmicroelectronics	网格叠加™II	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF6			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	75W（TC）
STF10NM50N	2.3000	RFQ	792	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF10N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	7A（TC）	10V	630MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 50 V	-	25W（TC）
D45H11	1.3200	RFQ	2092	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	D45H11				50 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					80 V	10 a							10µA	PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	-
2N3772	-	RFQ	3016	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-	底盘安装	TO-204AA，TO-3	2n37				150 w	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20																					60 V	20 a							10mA	NPN	4V @ 4A，20A	15 @ 10a，4v	200kHz
STD3NM60T4	-	RFQ	1100	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD3N			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	324 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SD2931-12W	70.7850	RFQ	7641	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	125 v			M244	SD2931		175MHz	MOSFET		M244	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		20a		250 MA	150W	15DB											-										50 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²