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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STH130N10F3-2	-	RFQ	5035	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH130		MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	120A（TC）	10V	9.3mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	3305 PF @ 25 V	-	250W（TC）
BF259	-	RFQ	7249	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	BF259			5 w	到39	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																		300 v	100 ma		50NA（iCBO）	NPN	1V @ 6mA，30mA	25 @ 30mA，10v	90MHz
STW18N60DM2	3.3800	RFQ	4368	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW18		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16340-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	12A（TC）	10V	295MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	800 pf @ 100 V	-	90W（TC）
PD55008TR	-	RFQ	7961	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V			Powerso-10裸露的底部垫	PD55008	500MHz	ldmos		10-Powerso	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			4a	150 ma	8W	17dB											-			12.5 v
STD25NF10LT4	2.1900	RFQ	2357	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD25		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	25A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 12.5a，10v	2.5V @ 250µA	52 NC @ 5 V	±16V	1710 PF @ 25 V	-	100W（TC）
STFH18N60M2	2.3900	RFQ	352	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFH18		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	46		n通道					600 v	13A（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	±25V	791 PF @ 100 V	-	25W（TC）
BUL128D-B	0.7100	RFQ	1766年	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul128			70 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		400 v	4 a		250µA	NPN	500MV @ 1A，4A	12 @ 2a，5v	-
STB80NF10T4	3.4900	RFQ	1	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB80		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	80A（TC）	10V	15mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STP70NF03L	-	RFQ	2364	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP70		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	70A（TC）	5V，10V	9.5MOHM @ 35A，10V	1V @ 250µA	30 NC @ 5 V	±18V	1440 pf @ 25 V	-	100W（TC）
ST13007	-	RFQ	8382	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ST13007			80 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		400 v	8 a		10µA	NPN	3V @ 2a，8a	5 @ 5A，5V	-
STP20NM60FP	6.9800	RFQ	6583	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP20		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	20A（TC）	10V	290MOHM @ 10A，10V	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STWA45N65M5	8.8800	RFQ	349	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA45		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	35A（TC）	10V	78MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±25V	3470 pf @ 100 V	-	210W（TC）
STH110N10F7-2	3.5100	RFQ	90	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH110		MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	110A（TC）	10V	6.5MOHM @ 55A，10V	4.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	5117 PF @ 50 V	-	150W（TC）
STL12N60M2	1.8100	RFQ	5999	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL12		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					600 v	6.5A（TC）	10V	495MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	538 pf @ 100 V	-	52W（TC）
STX826	-	RFQ	9803	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	STX826			900兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500																		30 V	3 a		10µA	PNP	1.1V @ 150mA，3a	100 @ 100mA，2V	100MHz
STL9N65M2	1.4700	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	-	STL9		-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		-						4.5A（TC）	-	-	-		-		-	-
大块128DT4	-	RFQ	1581年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	大量128				DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																					-	NPN	-	-	-
STP90N6F6	1.5300	RFQ	852	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP90N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	84A（TC）	10V	6.8mohm @ 38.5a，10v	4V @ 250µA	74.9 NC @ 10 V	±20V	4295 pf @ 25 V	-	136W（TC）
BD238	-	RFQ	9112	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD238			25 w	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		80 V	2 a		100µA（ICBO）	PNP	600mv @ 100mA，1a	25 @ 1A，2V	-
STO47N60M6	6.9800	RFQ	5	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	Sto47		MOSFET （金属 o化物）		HV）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道					600 v	36a（TC）	10V	80MOHM @ 18A，10V	4.75V @ 250µA	52.2 NC @ 10 V	±25V	2340 pf @ 100 V	-	255W（TC）
SD2931-10	-	RFQ	8802	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	125 v			M174	SD2931	175MHz	MOSFET		M174	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		20a	250 MA	150W	15DB											-			50 V
STL60N10F7	1.5200	RFQ	2	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL60		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					100 v	46A（TC）	10V	18mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	20V	1640 pf @ 50 V	-	5W（5W），72W（72W）（TC）
L6221CD	-	RFQ	5224	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	L6221			-	20-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40																		60V	1.2a		-	4 npn darlington（四Quad）	-	-	-
STD18N55M5	3.0800	RFQ	9299	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD18		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					550 v	16A（TC）	10V	192MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1260 pf @ 100 V	-	110W（TC）
提示112	0.8800	RFQ	7205	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示112			2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		100 v	2 a		2mA	npn-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	-
STL70N10F3	-	RFQ	7814	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL70		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					100 v	82A（TC）	10V	8.4mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3210 PF @ 25 V	-	136W（TC）
ST16010	45.3750	RFQ	3068	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	90 v		表面安装	毫米	ST160	1.6GHz	ldmos		毫米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-ST16010			300	-		1µA		10W	23dB											-
STL52DN4LF7AG	0.6165	RFQ	3141	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL52		MOSFET （金属 o化物）	65W（TC）	PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						40V	18A（TC）		16mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	9.4NC @ 10V		500pf @ 25V	-
STF3LN62K3	-	RFQ	7329	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF3LN		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					620 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.25a，10V	4.5V @ 50µA	17 NC @ 10 V	±30V	386 pf @ 50 V	-	20W（TC）
STP25N10F7	1.4300	RFQ	90	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP25		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	25A（TC）	10V	35mohm @ 12.5a，10v	4.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	920 PF @ 50 V	-	50W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²