SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (amp) 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
SCTW90N65G2V STMicroelectronics SCTW90N65G2V 36.2900
RFQ
ECAD 7574 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C 200°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SCTW90 sicfet (碳化硅) HIP247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-18351 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 90A(TC) 18V 25mohm @ 50a,18v 5V @ 250µA 157 NC @ 18 V +22V,-10V 3300 PF @ 400 V - 390W(TC)
STF18N60M6 STMicroelectronics STF18N60M6 2.5500
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™M6 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF18 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-19057 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 13A(TC) 10V 280MOHM @ 6.5a,10V 4.75V @ 250µA 16.8 NC @ 10 V ±25V 650 pf @ 100 V - 25W(TC)
STF2NK60Z STMicroelectronics STF2NK60Z -
RFQ
ECAD 2491 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF2N MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 1.4A(TC) 10V 8ohm @ 700mA,10v 4.5V @ 50µA 10 NC @ 10 V ±30V 170 pf @ 25 V - 20W(TC)
STB17N80K5 STMicroelectronics STB17N80K5 4.9700
RFQ
ECAD 976 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™K5 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB STB17 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 800 v 14A(TC) 10V 340MOHM @ 7A,10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±30V 866 pf @ 100 V - 170W(TC)
MMBTA92 STMicroelectronics MMBTA92 -
RFQ
ECAD 4042 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBT 350兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 2mA,20mA 40 @ 30mA,10V 50MHz
STD5N60M2 STMicroelectronics STD5N60M2 1.6600
RFQ
ECAD 4139 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II Plus 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD5 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 3.5A(TC) 10V 1.4OHM @ 1.7A,10V 4V @ 250µA 8.5 NC @ 10 V ±25V 211 PF @ 100 V - 45W(TC)
STD6N90K5 STMicroelectronics STD6N90K5 2.6900
RFQ
ECAD 3471 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™K5 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD6N90 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-17072-2 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 900 v 6A(TC) 10V 1.1OHM @ 3A,10V 5V @ 100µA ±30V - 110W(TC)
STW70N60DM6-4 STMicroelectronics STW70N60DM6-4 13.9900
RFQ
ECAD 166 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-4 STW70 MOSFET (金属 o化物) TO-247-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 62A(TC) 10V 42MOHM @ 31a,10v 4.75V @ 250µA 99 NC @ 10 V ±25V 4360 pf @ 100 V - 390W(TC)
STB57N65M5 STMicroelectronics STB57N65M5 12.4600
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB STB57 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 650 v 42A(TC) 10V 63mohm @ 21a,10v 5V @ 250µA 98 NC @ 10 V ±25V 4200 PF @ 100 V - 250W(TC)
TIP41C STMicroelectronics tip41c 0.8200
RFQ
ECAD 1977年 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 提示41 65 w TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 100 v 6 a 700µA NPN 1.5V @ 600mA,6a 15 @ 3a,4V -
STW27N60M2-EP STMicroelectronics STW27N60M2-EP 3.7900
RFQ
ECAD 3184 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™M2-EP 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW27 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-16490-5 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 20A(TC) 10V 163mohm @ 10a,10v 4.75V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±25V 1320 PF @ 100 V - 170W(TC)
STK20N75F3 STMicroelectronics STK20N75F3 -
RFQ
ECAD 6950 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 Polarpak® STK20 MOSFET (金属 o化物) Polarpak® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 75 v 20A(TC) 10V 7mohm @ 10a,10v 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±20V 3150 pf @ 25 V - 5.2W(TC)
STD8N60DM2 STMicroelectronics STD8N60DM2 1.6200
RFQ
ECAD 4613 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™DM2 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD8 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 8A(TC) 10V 600MOHM @ 4A,10V 5V @ 100µA 13.5 NC @ 10 V ±30V 375 pf @ 100 V - 85W(TC)
PD55008TR-E STMicroelectronics PD55008Tr-E 14.7400
RFQ
ECAD 8319 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 40 V Powerso-10rf 暴露底部垫( 2个形成的导线) PD55008 500MHz ldmos Powerso-10rf (形成的铅) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 600 4a 150 ma 8W 17dB - 12.5 v
2STW1693 STMicroelectronics 2STW1693 -
RFQ
ECAD 2078 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 2STW 60 W TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 80 V 6 a 100NA(ICBO) PNP 1.5V @ 600mA,6a 50 @ 2a,4v 20MHz
BUL49D STMicroelectronics Bul49d 0.8400
RFQ
ECAD 2444 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Bul49 80 W TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 450 v 5 a 100µA NPN 1.2V @ 800mA,4a 4 @ 7a,10v -
LET9060C STMicroelectronics LET9060C -
RFQ
ECAD 2036 0.00000000 Stmicroelectronics - 盒子 过时的 80 V M243 LET9060 945MHz ldmos M243 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 12a 400 MA 75W 18db - 28 V
STF8N60DM2 STMicroelectronics STF8N60DM2 0.7737
RFQ
ECAD 4646 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™DM2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF8 MOSFET (金属 o化物) TO-220FPAB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 8A(TC) 10V 600MOHM @ 4A,10V 5V @ 250µA 13.5 NC @ 10 V ±25V 449 pf @ 100 V - 25W(TC)
STP33N60M6 STMicroelectronics STP33N60M6 4.9500
RFQ
ECAD 3061 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™M6 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 stp33 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-18250 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 25A(TC) 10V 125mohm @ 12.5a,10v 4.75V @ 250µA 33.4 NC @ 10 V ±25V 1515 PF @ 100 V - 190w(TC)
L6221CD STMicroelectronics L6221CD -
RFQ
ECAD 5224 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) L6221 - 20-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 60V 1.2a - 4 npn darlington(四Quad) - - -
STL128DN STMicroelectronics stl128dn -
RFQ
ECAD 2137 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STL128 60 W TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 400 v 4 a 250µA NPN 1V @ 400mA,2a 10 @ 10mA,5v -
STL45N65M5 STMicroelectronics STL45N65M5 8.8000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn STL45 MOSFET (金属 o化物) PowerFlat™(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 650 v 3.8A(TA),22.5a tc) 10V 86mohm @ 14.5A,10V 5V @ 250µA 82 NC @ 10 V ±25V 3470 pf @ 100 V - 2.8W(ta),160W(TC)
STGWT20H65FB STMicroelectronics STGWT20H65FB 3.3300
RFQ
ECAD 600 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 STGWT20 标准 168 w to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,20a,10ohm,15V 沟渠场停止 650 v 40 a 80 a 2V @ 15V,20A (77µJ)(在),170µJ(170µJ)中 120 NC 30ns/139ns
BUTW92 STMicroelectronics Butw92 13.4700
RFQ
ECAD 3031 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 Butw92 180 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 250 v 45 a 50µA NPN 1V @ 15a,60a 9 @ 60a,3v -
STP80NF06 STMicroelectronics STP80NF06 3.2000
RFQ
ECAD 715 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 管子 过时的 175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP80 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 80A(TC) 10V 8mohm @ 40a,10v 4V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 3850 pf @ 25 V - 300W(TC)
BUL741 STMicroelectronics Bul741 1.2400
RFQ
ECAD 9859 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Bul741 60 W TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 400 v 2.5 a 250µA NPN 1.5V @ 600mA,2a 25 @ 450mA,3v -
BUX10 STMicroelectronics BUX10 -
RFQ
ECAD 7548 0.00000000 Stmicroelectronics - 过时的 200°C(TJ) 底盘安装 TO-204AA,TO-3 BUX10 150 w TO-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 125 v 25 a 1.5mA NPN 1.2V @ 2a,20a 20 @ 10a,2v 8MHz
ULQ2003D1013TR STMicroelectronics ULQ2003D1013TR 0.9100
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) ULQ2003 - 16件事 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 50V 500mA - 7 NPN达灵顿 1.6V @ 500µA,350mA 1000 @ 350mA,2V -
STGF35HF60W STMicroelectronics STGF35HF60W 2.6800
RFQ
ECAD 857 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STGF35 标准 40 W TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V,20a,10ohm,15V - 600 v 19 a 150 a 2.5V @ 15V,20A (290µJ)(在185µj off)上) 140 NC 30ns/175ns
STL9N65M2 STMicroelectronics STL9N65M2 1.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 - STL9 - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 - 4.5A(TC) - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库