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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
STF7N52K3	1.7300	RFQ	977	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF7N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					525 v	6A（TC）	10V	850MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 50µA	33 NC @ 10 V	±30V	870 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STW12NK80Z	6.2200	RFQ	4790	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW12		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					800 v	10.5A（TC）	10V	750MOHM @ 5.25A，10V	4.5V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±30V	2620 PF @ 25 V	-	190w（TC）
STSJ100NHS3LL	-	RFQ	4534	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，3.90mm）	STSJ100N		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	35 NC @ 4.5 V	±16V	4200 PF @ 25 V	-	（3W）（70w（ta）（TC）
STD2HNK60Z-1	1.5000	RFQ	3	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD2HNK60		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					600 v	2A（TC）	10V	4.8OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	15 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STF24NM60N	3.4300	RFQ	4089	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF24		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-11868-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	17a（TC）	10V	190MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 50 V	-	30W（TC）
SD1433	-	RFQ	4293	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	M122	SD1433			58W	M122	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40						7db												16V	2.5a			NPN		10 @ 1A，5V	-	-
STFW40N60M2	6.4100	RFQ	9	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STFW40		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15538-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	34A（TC）	10V	88mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 100 V	-	63W（TC）
STB45N65M5	8.9200	RFQ	5	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB45		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					650 v	35A（TC）	10V	78mohm @ 19.5a，10v	5V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±25V	3375 PF @ 100 V	-	210W（TC）
STW48N60M6-4	6.2926	RFQ	8344	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW48		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道					600 v	39A（TC）	10V	69mohm @ 19.5a，10v	4.75V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2578 PF @ 100 V	-	250W（TC）
ST1802HI	-	RFQ	8782	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	ISOWATT-218-3	ST1802			50 W	Isowatt-218	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	300																		600 v	10 a		1ma	NPN	5V @ 800mA，4a	4 @ 5A，5V	-
STF22N60M6	1.4886	RFQ	7805	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF22		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	15A（TC）	10V	230MOHM @ 7.5A，10V	4.75V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	800 pf @ 100 V	-	30W（TC）
STD120N4F6	1.9000	RFQ	4626	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Deepgate™，StripFet™VI	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD120		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	80A（TC）	10V	4mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	110W（TC）
STF8NM60N	-	RFQ	1257	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF8N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	7A（TC）	10V	650MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	560 pf @ 50 V	-	25W（TC）
STO67N60DM6	7.9600	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	Sto67		MOSFET （金属 o化物）		HV）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道					600 v	33A（TC）	10V	59MOHM @ 23.75A，10V	4.75V @ 250µA	72.5 NC @ 10 V	±25V	3400 PF @ 100 V	-	150W（TC）
STS4DNF60L	2.3000	RFQ	11	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS4DNF60		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						60V	4a		55mohm @ 2a，10v	2.5V @ 250µA	15nc @ 4.5V		1030pf @ 25V	逻辑级别门
PD84008-E	-	RFQ	9171	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	25 v			Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD84008	870MHz	ldmos		Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			7a	250 MA	2W	16.2db											-			7.5 v
STF6N62K3	2.2000	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF6		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					620 v	5.5A（TC）	10V	1.28OHM @ 2.8A，10V	4.5V @ 50µA	34 NC @ 10 V	±30V	875 PF @ 50 V	-	30W（TC）
STS4DNFS30L	-	RFQ	1290	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS4D		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	4A（TC）	5V，10V	55mohm @ 2a，10v	1V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±16V	330 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TC）
STV160NF03LT4	5.9500	RFQ	87	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	Powerso-10裸露的底部垫	STV160		MOSFET （金属 o化物）		10-Powerso	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道					30 V	160a（TC）	5V，10V	2.8mohm @ 80a，10v	1V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±15V	4700 PF @ 25 V	-	210W（TC）
STB10LN80K5	3.1600	RFQ	102	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB10		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					800 v	8A（TC）	10V	630MOHM @ 4A，10V	5V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±30V	427 PF @ 100 V	-	110W（TC）
STP8NS25	-	RFQ	1903年	Stmicroelectronics	网格覆盖™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP8N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					250 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	51.8 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	80W（TC）
BC141-10	-	RFQ	5468	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		-	通过洞	到205AD，TO-39-3	BC141			650兆	到39	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	500																		60 V	1 a		100NA	NPN	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，1V	50MHz
STF11NM50N	2.9700	RFQ	215	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF11		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	8.5A（TC）	10V	470MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	547 PF @ 50 V	-	25W（TC）
STP9NK70Z	-	RFQ	8811	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP9N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					700 v	7.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 4A，10V	4.5V @ 100µA	68 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 25 V	-	115W（TC）
ULN2068B	6.8000	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-20°C〜85°C（TA）	通过洞	16-PowerDip （0.300英寸，7.62mm）	ULN2068			1W	16-PowerDip （20x7.10）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25																		50V	1.75a		-	4 npn darlington（四Quad）	1.4V @ 2mA，1.25a	-	-
STP11N52K3	2.7800	RFQ	581	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP11N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					525 v	10A（TC）	10V	510MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 50µA	51 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 50 V	-	125W（TC）
STD35N3LH5	-	RFQ	9747	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD35		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	35A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±20V	725 PF @ 25 V	-	35W（TC）
BU208A	-	RFQ	6729	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	BU208			150 w	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																		700 v	8 a		1ma	NPN	1V @ 2a，4.5a	-	7MHz
STP12NM50FD	-	RFQ	8434	Stmicroelectronics	FDMESH™	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP12		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	12A（TC）	10V	400mohm @ 6a，10v	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	160W（TC）
STB200N6F3	5.5100	RFQ	292	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB200N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					60 V	120A（TC）	10V	3.6mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	330W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²