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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TIP122FP	-	RFQ	2490	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TIP122			2 w	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																	100 v	5 a		500µA	npn-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
BD136	0.4700	RFQ	5	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD136			1.25 w	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																	45 v	1.5 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 2V，150mA	-
ULN2804A	2.8400	RFQ	19	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-20°C〜150°C（TJ）	通过洞	18 浸（0.300英寸，7.62mm）	ULN2804			2.25W	18浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20																	50V	500mA		-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
STL8P2UH7	-	RFQ	5357	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6 PowerWDFN	STL8		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道					20 v	8A（TC）	1.5V，4.5V	22.5MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±8V	2390 pf @ 16 V	-	2.4W（TC）
Stu6nf10	-	RFQ	5632	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu6nf10		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道					100 v	6A（TC）	10V	250MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 25 V	-	30W（TC）
BUL128D-B	0.7100	RFQ	1766年	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul128			70 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																	400 v	4 a		250µA	NPN	500MV @ 1A，4A	12 @ 2a，5v	-
STX13004G-AP	-	RFQ	8118	Stmicroelectronics	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	STX13004			2.5 w	TO-92AP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																	400 v	2 a		1ma	NPN	1V @ 500mA，2a	10 @ 1A，5V	-
STB80NF55-08-1	-	RFQ	2299	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB80N		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-3516-5	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道					55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
STD9N60M2	1.4700	RFQ	9278	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD9		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13864-2	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道					600 v	5.5A（TC）	10V	780MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±25V	320 pf @ 100 V	-	60W（TC）
tip41c	0.8200	RFQ	1977年	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示41			65 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																	100 v	6 a		700µA	NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	-
STP28N60DM2	3.9000	RFQ	1550	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP28		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16348-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道					600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 100 V	-	170W（TC）
STP5NK50ZFP	1.9700	RFQ	866	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP5NK50		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道					500 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	28 NC @ 10 V	±30V	535 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STB60N55F3	-	RFQ	2768	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB60N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道					55 v	80A（TC）	10V	8.5MOHM @ 32A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	110W（TC）
STS1NK60Z	0.9500	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS1NK60		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道					600 v	250mA（tc）	10V	15ohm @ 400mA，10v	4.5V @ 50µA	6.9 NC @ 10 V	±30V	94 pf @ 25 V	-	2W（TC）
BDX33C	1.3000	RFQ	934	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX33			70 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																	100 v	10 a		500µA	npn-达灵顿	2.5V @ 6mA，3a	750 @ 3a，3v	-
STW220NF75	-	RFQ	3806	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW220		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4124-5	Ear99	8541.29.0095	600	n通道					75 v	120A（TC）	10V	4.4mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	430 NC @ 10 V	±20V	12500 PF @ 25 V	-	500W（TC）
STB21NM60N-1	-	RFQ	1868年	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB21N		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5728	Ear99	8541.29.0095	50	n通道					600 v	17a（TC）	10V	220MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±25V	1900 pf @ 50 V	-	140W（TC）
LET9060	-	RFQ	6181	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	80 V			Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	LET9060	960MHz	ldmos		Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		12a	300 MA	60W	17.2db											-			28 V
2STF1525	0.5300	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2STF15			1.4 w	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																	25 v	5 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 40mA，3.5a	150 @ 500mA，2V	120MHz
STF16N65M2	2.5300	RFQ	5089	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF16		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道					650 v	11A（TC）	10V	360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	19.5 NC @ 10 V	±25V	718 PF @ 100 V	-	25W（TC）
2N3439	-	RFQ	5726	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2n34			1 w	到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																	350 v	1 a		20µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	15MHz
STW80NF06	-	RFQ	7755	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw80n		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-3266-5	Ear99	8541.29.0095	600	n通道					60 V	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
STP10NM65N	-	RFQ	2443	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道					650 v	9A（TC）	10V	480MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	850 pf @ 50 V	-	90W（TC）
PD57002-E	-	RFQ	1219	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	65 v			Powerso-10裸露的底部垫	PD57002	960MHz	ldmos		10-Powerso	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		250mA	10 MA	2W	15DB											-			28 V
STP12NM50	4.5000	RFQ	9916	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP12		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道					500 v	12A（TC）	10V	350MOHM @ 6A，10V	5V @ 50µA	39 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	160W（TC）
SD57030-01	66.7900	RFQ	4580	Stmicroelectronics	-	盒子	积极的	65 v			M250	SD57030	945MHz	ldmos		M250	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		4a	50 mA	30W	15DB											-			28 V
STF42N60M2-EP	7.1700	RFQ	4	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF42		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15887-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道					600 v	34A（TC）	10V	87mohm @ 17a，10v	4.75V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±25V	2370 pf @ 100 V	-	40W（TC）
提示142	2.4300	RFQ	2169	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	提示142			125 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																	100 v	10 a		2mA	npn-达灵顿	3V @ 40mA，10a	1000 @ 5A，4V	-
STP75NS04Z	2.1200	RFQ	9837	Stmicroelectronics	网格叠加™III	管子	上次购买		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5981-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道					33 V	80A（TC）	10V	11mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	夹紧	1860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
STF3NK100Z	3.8900	RFQ	6314	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF3NK100		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道					1000 v	2.5A（TC）	10V	6ohm @ 1.25A，10V	4.5V @ 50µA	18 nc @ 10 V	±30V	601 PF @ 25 V	-	25W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²