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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STL15DN4F5	2.9200	RFQ	1	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™V	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL15		MOSFET （金属 o化物）	60W	PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			40V	60a		9MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	25nc @ 10V		1550pf @ 25V	逻辑级别门
STL128D	1.1900	RFQ	520	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STL128			65 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																400 v	4 a						250µA	NPN	500mv @ 700mA，3.5a	10 @ 2a，5v	-
STD1NK60T4	1.0900	RFQ	4	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD1		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		600 v	1A（TC）	10V	8.5ohm @ 500mA，10v	3.7V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	156 pf @ 25 V	-	30W（TC）
STN93003	0.7100	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN93003			1.6 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																400 v	1.5 a						1ma	PNP	500mv @ 100mA，500mA	16 @ 350mA，5V	-
Bur51	-	RFQ	9369	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	Bur51			350 w	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20																200 v	60 a						1ma	NPN	1.5V @ 5a，50a	20 @ 5A，4V	16MHz
stbv32-ap	-	RFQ	4014	Stmicroelectronics	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	STBV32			1.5 w	TO-92AP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																400 v	1.5 a						1ma	NPN	1.5V @ 500mA，1.5a	5 @ 1A，2V	-
STGW40H65DFB	4.2900	RFQ	7118	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW40	标准		283 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14365	Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，5ohm，15V											62 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	（498µJ）（在363µJ上）	210 NC	40NS/142NS
STN1NK80Z	1.2600	RFQ	6011	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN1NK80		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		800 v	250mA（tc）	10V	16ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	160 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
STGWA60NC60WDR	7.9700	RFQ	436	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA60	标准		340 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			390V，40a，10ohm，15V											42 ns	-	600 v	130 a	250 a	2.6V @ 15V，40a	（743µJ）（在560µJ上）	195 NC	40NS/240NS
STP21NM50N	-	RFQ	9573	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP21N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4820-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	1950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
STD80N3LL	0.9500	RFQ	11	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD80		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V	1640 pf @ 25 V	-	75W（TC）
STGB20NB37Lz	-	RFQ	6857	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB20	标准		200 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			250V，20A，1KOHM，4.5V												-	425 v	40 a	80 a	2V @ 4.5V，20a	11.8MJ（）	51 NC	2.3µs/2µs
Sty145N65M5	45.2700	RFQ	474	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Sty145		MOSFET （金属 o化物）		Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13638-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	138a（TC）	10V	15mohm @ 69a，10v	5V @ 250µA	414 NC @ 10 V	±25V	18500 PF @ 100 V	-	625W（TC）
STP7NB60	-	RFQ	1040	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2761-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	7.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.6A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1625 PF @ 25 V	-	125W（TC）
STS4DNFS30	1.4800	RFQ	1	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS4D		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	4.5A（TC）	5V，10V	55mohm @ 2a，10v	1V @ 250µA	4.7 NC @ 5 V	±20V	330 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TC）
STGDL6NC60DIT4	-	RFQ	4602	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGDL6	标准		50 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			390V，3A，10欧姆，15V											23 ns	-	600 v	13 a	18 a	2.9V @ 15V，3A	（32µJ）（在），24µJ（24µJ）中	12 nc	6.7NS/46NS
STGW35HF60WD	-	RFQ	7389	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW35	标准		200 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10073-5	Ear99	8541.29.0095	30			400V，20a，10ohm，15V											50 ns	-	600 v	60 a	150 a	2.5V @ 15V，20A	（290µJ）（在185µj off）上）	140 NC	30ns/175ns
STB13NM50N	-	RFQ	1069	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB13N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		500 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	960 pf @ 50 V	-	100W（TC）
STF35N60DM2	6.0300	RFQ	280	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF35		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16358-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	28a（TC）	10V	110mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±25V	2400 PF @ 100 V	-	40W（TC）
STF8N65M5	3.0400	RFQ	8	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF8		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	690 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STB23N80K5	5.2600	RFQ	564	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB23		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		800 v	16A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	5V @ 100µA	33 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 100 V	-	190w（TC）
ST631K	-	RFQ	7111	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	ST631			12.5 w	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																120 v	1 a						1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，5V	-
STF130N10F3	3.4200	RFQ	3	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF13		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	46A（TC）	10V	9.6mohm @ 23A，10V	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	3305 PF @ 25 V	-	35W（TC）
STB20N65M5	3.4600	RFQ	865	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB20		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		650 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±25V	1434 PF @ 100 V	-	130W（TC）
STL80N4LLF3	-	RFQ	6077	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL80		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	80A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 10a，10v	1V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±16V	2530 pf @ 25 V	-	80W（TC）
STF20NF20	1.9800	RFQ	1	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF20		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5811-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	940 pf @ 25 V	-	30W（TC）
STW36NM60N	-	RFQ	8285	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw36n		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	497-12369	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	29A（TC）	10V	105MOHM @ 14.5A，10V	4V @ 250µA	83.6 NC @ 10 V	±25V	2722 PF @ 100 V	-	210W（TC）
STP20N95K5	6.6500	RFQ	988	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP20		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12863-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		950 v	17.5A（TC）	10V	330mohm @ 9a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 100 V	-	250W（TC）
STD16NF06LT4	1.2400	RFQ	23	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD16		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	24A（TC）	5V，10V	70mohm @ 8a，10v	1V @ 250µA	7.5 NC @ 5 V	±18V	370 pf @ 25 V	-	40W（TC）
STS10PF30L	-	RFQ	8207	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS10		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	10A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 5a，10v	1V @ 250µA	39 NC @ 4.5 V	±16V	2300 PF @ 25 V	-	2.5W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²