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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STP55NF06FP	1.6200	RFQ	3474	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP55			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	50A（TC）	10V	18mohm @ 27.5a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	30W（TC）
STD7N65M6	1.5900	RFQ	9734	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7N65			MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						650 v	5A（TC）	10V	990MOHM @ 2.5A，10V	3.75V @ 250µA	6.9 NC @ 10 V	±25V	220 pf @ 100 V	-	60W（TC）
TIP147T	1.9700	RFQ	9718	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP147				90 W		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					100 v	10 a							2mA			pnp-达灵顿	3V @ 40mA，10a	1000 @ 5A，4V	-
2N3772	-	RFQ	3016	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-	底盘安装	TO-204AA，TO-3	2n37				150 w		TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20																					60 V	20 a							10mA			NPN	4V @ 4A，20A	15 @ 10a，4v	200kHz
LET9070FB	-	RFQ	3593	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	80 V			M250	LET9070		945MHz	ldmos			M250	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			1µA		400 MA	70W	16dB											-										28 V
ST1802FH	-	RFQ	2047	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ST1802				40 W		TO-220FH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																					600 v	10 a							1ma			NPN	5V @ 800mA，4a	4 @ 5A，5V	-
STL9N60M2	1.7400	RFQ	1274	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL9			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14970-2	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						600 v	4.8A（TC）	10V	860MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±25V	320 pf @ 100 V	-	48W（TC）
STF14NM65N	-	RFQ	6787	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF14			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±25V	1300 pf @ 50 V	-	30W（TC）
STL7LN80K5	2.4800	RFQ	6017	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL7LN80			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16496-2	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						800 v	5A（TC）	10V	1.15OHM @ 2.5A，10V	5V @ 100µA	12 nc @ 10 V	±30V	270 pf @ 100 V	-	42W（TC）
STGF7H60DF	1.6500	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF7	标准			24 W		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16017-5	Ear99	8541.29.0095	50				400V，7A，47OHM，15V															136 ns	沟渠场停止	600 v	14 a	28 a	1.95V @ 15V，7a	（99µJ）（在），100µJ（100µJ）	46 NC	30NS/160NS
STL220N3LLH7	-	RFQ	4598	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL220			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	220A（TC）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 25A，10V	2.2V @ 250µA	46 NC @ 4.5 V	±20V	8650 pf @ 25 V	-	113W（TC）
PD57060STR-E	-	RFQ	8310	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			Powerso-10裸露的底部垫	PD57060		945MHz	ldmos			Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			7a		100 ma	60W	14.3db											-										28 V
STV160NF03LAT4	-	RFQ	3612	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	Powerso-10裸露的底部垫	STV160			MOSFET （金属 o化物）			10-Powerso	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道						30 V	160a（TC）	5V，10V	3mohm @ 80a，10v	1V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±15V	5350 pf @ 25 V	-	210W（TC）
STGW20NC60V	-	RFQ	600	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW20	标准			200 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				390V，20a，3.3孔，15V																-	600 v	60 a	100 a	2.5V @ 15V，20A	（220µJ）（在330µJ上）	100 NC	31ns/100ns
A2P75S12M3-F	82.9000	RFQ	5058	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	A2P75				454.5 w	标准	Acepack™2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17745	Ear99	8541.29.0095	18	三相逆变器																			沟渠场停止	1200 v	75 a		2.3V @ 15V，75a					100 µA	是的	4.7 NF @ 25 V
STP170N8F7	3.3500	RFQ	118	Stmicroelectronics	StripFet™F7	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP170			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						80 V	120A（TC）	10V	3.9mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	8710 PF @ 40 V	-	250W（TC）
STL110N4F7AG	0.7285	RFQ	6516	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL110			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	108a（TC）	10V	4MOHM @ 54A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	94W（TC）
STS10N3LH5	1.3400	RFQ	7200	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS10			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	10A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 5a，10v	1V @ 250µA	4.6 NC @ 5 V	±22V	475 PF @ 25 V	-	2.5W（TC）
STP5N120	-	RFQ	4354	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP5N			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						1200 v	4.7A（TC）	10V	3.5OHM @ 2.3a，10V	5V @ 100µA	55 NC @ 10 V	±30V	120 pf @ 25 V	-	160W（TC）
STP6NK50Z	-	RFQ	3107	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP6N			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4385-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	5.6A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.8A，10V	4.5V @ 50µA	24.6 NC @ 10 V	±30V	690 pf @ 25 V	-	90W（TC）
STP19NM65N	-	RFQ	9968	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP19N			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	15.5A（TC）	10V	270MOHM @ 7.75a，10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±25V	1900 pf @ 50 V	-	150W（TC）
STW32N65M5	9.6200	RFQ	506	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW32N			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	24A（TC）	10V	119mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±25V	3320 PF @ 100 V	-	150W（TC）
STF7N95K3	4.1700	RFQ	9827	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF7			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						950 v	7.2A（TC）	10V	1.35OHM @ 3.6A，10V	5V @ 100µA	33 NC @ 10 V	±30V	1031 PF @ 100 V	-	35W（TC）
RF5L05500CB4	135.0000	RFQ	4721	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	50 V		底盘安装	LBB	RF5L05500		1.5GHz	ldmos			LBB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L05500CB4			100	n通道		-			2000W	16dB											-
STW35N60DM2	6.7500	RFQ	31	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW35			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	28a（TC）	10V	110mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±25V	2400 PF @ 100 V	-	210W（TC）
ST13003	-	RFQ	6739	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	ST13003				40 W		SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																					400 v	1.5 a							1ma			NPN	1.5V @ 500mA，1.5a	5 @ 1A，2V	-
STW33N60M2	5.7500	RFQ	1382	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW33			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	26a（TC）	10V	125MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	45.5 NC @ 10 V	±25V	1781 PF @ 100 V	-	190w（TC）
STP200NF04	-	RFQ	1513年	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP200			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	120A（TC）	10V	3.7MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	310W（TC）
str2p3llh6	0.5300	RFQ	21	Stmicroelectronics	StripFet™H6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	str2p3			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						30 V	2A（TA）	4.5V，10V	56mohm @ 1A，10V	2.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±20V	639 pf @ 25 V	-	350MW（TC）
STFI10LN80K5	-	RFQ	8967	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI10LN			MOSFET （金属 o化物）			I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						800 v	8A（TC）	10V	630MOHM @ 4A，10V	5V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±30V	427 PF @ 100 V	-	20W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²