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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
STD80N3LL	0.9500	RFQ	11	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD80		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V	1640 pf @ 25 V	-	75W（TC）
STX690A	-	RFQ	2332	Stmicroelectronics	-	包	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	STX690			900兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500																	30 V	3 a						10µA（ICBO）	NPN	400mv @ 100mA，3a	100 @ 500mA，2V	100MHz
STD95N04	-	RFQ	9651	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD95		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			40 V	80A（TC）	10V	6.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	110W（TC）
STN817A	-	RFQ	5818	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN817			1.6 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																	80 V	1.5 a						1ma	PNP	500mv @ 100mA，1a	30 @ 1a，2v	50MHz
STFI16N65M2	-	RFQ	6298	Stmicroelectronics	*	管子	积极的				STFI16					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1,500
IRF630FP	-	RFQ	4916	Stmicroelectronics	网格叠加™II	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRF6		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	30W（TC）
STL28N60M2	1.8081	RFQ	8127	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				STL28					-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
STS9P2UH7	-	RFQ	4400	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS9P		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			20 v	9A（TC）	1.5V，4.5V	22.5MOHM @ 4.5A，4.5V	1V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±8V	2390 pf @ 16 V	-	2.7W（TC）
STL23NS3LLH7	-	RFQ	7572	Stmicroelectronics	StripFet™H7	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL23		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	92A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 11.5A，10V	2.3V @ 1mA	13.7 NC @ 4.5 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	2.9W（ta），50W（TC）
MJD127T4	0.7900	RFQ	6724	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD127			20 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																	100 v	8 a						10µA	pnp-达灵顿	4V @ 80mA，8a	1000 @ 4A，4V	-
STP4NK50ZD	-	RFQ	7564	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP4N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			500 v	3A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	12 nc @ 10 V	±30V	310 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STS4DNF60L	2.3000	RFQ	11	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS4DNF60		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				60V	4a		55mohm @ 2a，10v	2.5V @ 250µA	15nc @ 4.5V		1030pf @ 25V	逻辑级别门
STGWA20M65DF2	2.0844	RFQ	5489	Stmicroelectronics	m	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA20	标准		166 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			400V，20A，12OHM，15V												166 ns	沟渠场停止	650 v	40 a	80 a	2V @ 15V，20A	（140µJ）（在560µJ上）	63 NC	26NS/108NS
STF24N60M2	2.9500	RFQ	181	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF24		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13577-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1060 pf @ 100 V	-	30W（TC）
STP11NM60FP	-	RFQ	3730	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	11A（TC）	10V	450MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	35W（TC）
STGFW80V60F	6.4300	RFQ	193	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STGFW80	标准		79 w	to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，80a，10ohm，15V													沟渠场停止	600 v	120 a	240 a	2.3V @ 15V，80a	1.8mj（在）上，1MJ（1MJ）	448 NC	60NS/220NS
STL130N6F7	2.2800	RFQ	13	Stmicroelectronics	StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL130		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15910-2	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			60 V	130a（TC）	10V	3.5MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	4.8W（ta），125W（tc）
SD1433	-	RFQ	4293	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	M122	SD1433			58W	M122	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40				7db													16V	2.5a							NPN		10 @ 1A，5V	-	-
ST600K	-	RFQ	1679年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	ST600			12.5 w	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																	120 v	1 a						1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，5V	-
ST1802FH	-	RFQ	2047	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ST1802			40 W	TO-220FH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																	600 v	10 a						1ma	NPN	5V @ 800mA，4a	4 @ 5A，5V	-
STL13NM60N	3.4200	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL13		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			600 v	10A（TC）	10V	385MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	790 pf @ 50 V	-	（3W）（90W（ta）（TC）
STFI13N60M2	3.3200	RFQ	454	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI13N		MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	580 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STB23N80K5	5.2600	RFQ	564	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB23		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			800 v	16A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	5V @ 100µA	33 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STB13NM50N-1	-	RFQ	8113	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB13N		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			500 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	960 pf @ 50 V	-	100W（TC）
STF130N10F3	3.4200	RFQ	3	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF13		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			100 v	46A（TC）	10V	9.6mohm @ 23A，10V	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	3305 PF @ 25 V	-	35W（TC）
BU807	-	RFQ	1433	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BU807			60 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	BU807st	Ear99	8541.29.0095	1,000																	150 v	8 a						100µA	npn-达灵顿	1.5V @ 50mA，5a	-	-
STF20NF20	1.9800	RFQ	1	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF20		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5811-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			200 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	940 pf @ 25 V	-	30W（TC）
STW33N60M2	5.7500	RFQ	1382	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW33		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			600 v	26a（TC）	10V	125MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	45.5 NC @ 10 V	±25V	1781 PF @ 100 V	-	190w（TC）
BD708	-	RFQ	1814年	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD708			75 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																	60 V	12 a						100mA	PNP	1V @ 400mA，4a	15 @ 4A，4V	3MHz
BCP52-16	-	RFQ	5042	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP52			1.4 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																	60 V	1 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	50MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²