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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
Buz10	-	RFQ	2053	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buz10			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2728-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						50 V	23A（TC）	10V	70mohm @ 14a，10v	4V @ 1mA		±20V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
STB45N50DM2AG	6.6500	RFQ	2228	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™DM2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB45			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16134-2	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						500 v	35A（TC）	10V	84mohm @ 17.5A，10V	5V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
ST9045C	72.5130	RFQ	8191	Stmicroelectronics	-	盒子	积极的	100 v		底盘安装	M243	ST9045		1.5GHz	ldmos		M243	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			9a			63W	18.5db											-
STP52P3LLH6	1.8100	RFQ	4068	Stmicroelectronics	StripFet™H6	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3	STP52			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道						30 V	52A（TC）	4.5V，10V	-	-		-		-	70W（TC）
SD2931-10W	79.6700	RFQ	8	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	125 v			M174	SD2931		175MHz	MOSFET		M174	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		20a		250 MA	150W	15DB											-										50 V
STD6NF10T4	1.1500	RFQ	9	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD6NF10			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	6A（TC）	10V	250MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 25 V	-	30W（TC）
STD3NK80ZT4	1.6500	RFQ	6543	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD3NK80			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						800 v	2.5A（TC）	10V	4.5OHM @ 1.25A，10V	4.5V @ 50µA	19 nc @ 10 V	±30V	485 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STP16N50M2	-	RFQ	2991	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP16N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	13A（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	4V @ 250µA	19.5 NC @ 10 V	±25V	710 PF @ 100 V	-	110W（TC）
2N3904	-	RFQ	1421	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2n39				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500																					40 V	200 ma							-	NPN	200mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	270MHz
STFI26N60M2	3.1800	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI26N			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	20A（TC）	10V	165mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA		±25V		-	30W（TC）
STF10N60DM2	1.8100	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF10			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16959	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	8A（TC）	10V	530MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	529 pf @ 100 V	-	25W（TC）
ST2310DHI	-	RFQ	7190	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	ISOWATT-218-3	ST2310				55 w	Isowatt-218	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	300																					600 v	12 a							1ma	NPN	3V @ 1.75a，7a	5.5 @ 7A，5V	-
STGW20H65FB	2.0653	RFQ	4843	Stmicroelectronics	-	管子	上次购买		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW20	标准			168 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，20a，10ohm，15V																沟渠场停止	650 v	40 a	80 a	2V @ 15V，20A	（77µJ）（在），170µJ（170µJ）中	120 NC	30ns/139ns
STGF14N60D	-	RFQ	5777	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3完整包	STGF14	标准			33 W	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8897-5	Ear99	8541.29.0095	50				390V，7A，10欧姆，15V															37 ns	-	600 v	11 a	50 a	2.1V @ 15V，7a	-		-
BD681	1.0200	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD681				40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					100 v	4 a							500µA	npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
STGD20N40LZ	1.2089	RFQ	9717	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD20	逻辑			125 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				300V，10a，1KOHM，5V																-	390 v	25 a	40 a	1.6V @ 4V，6A	-	24 NC	700NS/4.3µS
STF16N60M2	2.0400	RFQ	216	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF16			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16013-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	700 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STL38N65M5	6.5400	RFQ	7977	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL38			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						650 v	3.5A（TA），22.5a tc）	10V	105MOHM @ 12.5A，10V	5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±25V	3000 pf @ 100 V	-	2.8W（ta），150W（TC）
2STF1360	0.6200	RFQ	9970	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2STF1360				1.4 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																					60 V	3 a							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 150mA，3a	160 @ 1A，2V	130MHz
STF32NM50N	4.9800	RFQ	177	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF32N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	22a（TC）	10V	130mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	62.5 NC @ 10 V	±25V	1973 pf @ 50 V	-	35W（TC）
STP5NK40Z	-	RFQ	8873	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP5N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						400 v	3A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	17 NC @ 10 V	±30V	305 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STD12N50DM2	1.9400	RFQ	1669年	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD12			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						500 v	11A（TC）	10V	350MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	628 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STW80NE06-10	-	RFQ	2744	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw80n			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2790-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						60 V	80A（TC）	10V	10mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	189 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	250W（TC）
STP42N65M5	10.9900	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP42			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	33A（TC）	10V	79MOHM @ 16.5A，10V	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±25V	4650 pf @ 100 V	-	190w（TC）
E-ULQ2003D1	-	RFQ	5676	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ULQ2003				-	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					50V	500mA							-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
STSJ60NH3LL	2.2100	RFQ	3	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STSJ60			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	60a（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 7.5A，10V	1V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±16V	1810 PF @ 25 V	-	（3w（ta），50W（TC）
STP400N4F6	-	RFQ	6480	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP400			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	120A（TC）	10V	1.7MOHM @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	377 NC @ 10 V	±20V	20000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STL12N60M2	1.8100	RFQ	5999	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL12			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						600 v	6.5A（TC）	10V	495MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	538 pf @ 100 V	-	52W（TC）
STGB3NB60FDT4	-	RFQ	8691	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB3	标准			68 w	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				480V，3A，10欧姆，15V															45 ns	-	600 v	6 a	24 a	2.4V @ 15V，3A	125µJ（离）	16 NC	12.5NS/105NS
STGWA80H65DFB	-	RFQ	4317	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA80	标准			469 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，80a，10ohm，15V															85 ns	沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	2V @ 15V，80a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	414 NC	84NS/280NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²