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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STW20NK50Z	4.7300	RFQ	9609	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW20			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						500 v	17a（TC）	10V	270MOHM @ 8.5A，10V	4.5V @ 100µA	119 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	190w（TC）
STFU11N65M2	1.0630	RFQ	9434	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					STFU11							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				1,000
STGF7H60DF	1.6500	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF7	标准			24 W		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16017-5	Ear99	8541.29.0095	50				400V，7A，47OHM，15V															136 ns	沟渠场停止	600 v	14 a	28 a	1.95V @ 15V，7a	（99µJ）（在），100µJ（100µJ）	46 NC	30NS/160NS
A2P75S12M3-F	82.9000	RFQ	5058	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	A2P75				454.5 w	标准	Acepack™2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17745	Ear99	8541.29.0095	18	三相逆变器																			沟渠场停止	1200 v	75 a		2.3V @ 15V，75a					100 µA	是的	4.7 NF @ 25 V
STP170N8F7	3.3500	RFQ	118	Stmicroelectronics	StripFet™F7	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP170			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						80 V	120A（TC）	10V	3.9mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	8710 PF @ 40 V	-	250W（TC）
STP5N120	-	RFQ	4354	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP5N			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						1200 v	4.7A（TC）	10V	3.5OHM @ 2.3a，10V	5V @ 100µA	55 NC @ 10 V	±30V	120 pf @ 25 V	-	160W（TC）
STL220N3LLH7	-	RFQ	4598	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL220			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	220A（TC）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 25A，10V	2.2V @ 250µA	46 NC @ 4.5 V	±20V	8650 pf @ 25 V	-	113W（TC）
STV160NF03LAT4	-	RFQ	3612	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	Powerso-10裸露的底部垫	STV160			MOSFET （金属 o化物）			10-Powerso	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道						30 V	160a（TC）	5V，10V	3mohm @ 80a，10v	1V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±15V	5350 pf @ 25 V	-	210W（TC）
PD57060STR-E	-	RFQ	8310	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			Powerso-10裸露的底部垫	PD57060		945MHz	ldmos			Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			7a		100 ma	60W	14.3db											-										28 V
STL7LN80K5	2.4800	RFQ	6017	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL7LN80			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16496-2	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						800 v	5A（TC）	10V	1.15OHM @ 2.5A，10V	5V @ 100µA	12 nc @ 10 V	±30V	270 pf @ 100 V	-	42W（TC）
STS10N3LH5	1.3400	RFQ	7200	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS10			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	10A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 5a，10v	1V @ 250µA	4.6 NC @ 5 V	±22V	475 PF @ 25 V	-	2.5W（TC）
STH150N10F7-2	3.8300	RFQ	1919年	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH150			MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	110A（TC）	10V	3.9mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	117 NC @ 10 V	±20V	8115 PF @ 50 V	-	250W（TC）
STGW20NC60V	-	RFQ	600	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW20	标准			200 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				390V，20a，3.3孔，15V																-	600 v	60 a	100 a	2.5V @ 15V，20A	（220µJ）（在330µJ上）	100 NC	31ns/100ns
STL110N4F7AG	0.7285	RFQ	6516	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL110			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	108a（TC）	10V	4MOHM @ 54A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	94W（TC）
ST13003	-	RFQ	6739	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	ST13003				40 W		SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																					400 v	1.5 a							1ma			NPN	1.5V @ 500mA，1.5a	5 @ 1A，2V	-
STFI10LN80K5	-	RFQ	8967	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI10LN			MOSFET （金属 o化物）			I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						800 v	8A（TC）	10V	630MOHM @ 4A，10V	5V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±30V	427 PF @ 100 V	-	20W（TC）
STGBL6NC60DIT4	-	RFQ	9765	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGBL6	标准			56 w		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				390V，3A，10欧姆，15V															23 ns	-	600 v	14 a	18 a	2.9V @ 15V，3A	（32µJ）（在），24µJ（24µJ）中	12 nc	6.7NS/46NS
STW36N60M6	7.3300	RFQ	123	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW36			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17553	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	30A（TC）	10V	99mohm @ 15a，10v	4.75V @ 250µA	44.3 NC @ 10 V	±25V	1960 pf @ 100 V	-	208W（TC）
STD12NM50ND	-	RFQ	1320	Stmicroelectronics	FDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD12			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						500 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	850 pf @ 50 V	-	100W（TC）
STH10N80K5-2AG	4.4100	RFQ	9190	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH10			MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STH10N80K5-2AGTR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						800 v	8A（TC）	10V	680MOHM @ 4A，10V	5V @ 100µA	17.3 NC @ 10 V	±30V	426 pf @ 100 V	-	121W（TC）
STP80NF55L-06	-	RFQ	8249	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP80			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	80A（TC）	5V，10V	6.5MOHM @ 40a，10v	1V @ 250µA	136 NC @ 5 V	±16V	4850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
STGD10HF60KD	2.3600	RFQ	1	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD10	标准			62.5 w		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				400V，5A，10OHM，15V															50 ns	-	600 v	18 a	30 a	2.75V @ 15V，5A	（45µJ）（在105µJ上）	23 NC	9.5NS/87NS
STW200NF03	-	RFQ	8608	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW200			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道						30 V	120A（TC）	10V	2.8mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 25 V	-	350W（TC）
STF12NM50ND	-	RFQ	9454	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF12			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	850 pf @ 50 V	-	25W（TC）
STGP30V60F	3.0300	RFQ	8818	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP30	标准			260 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				400V，30a，10ohm，15V																沟渠场停止	600 v	60 a	120 a	2.3V @ 15V，30a	（383µJ）（在），233µj（（（（（（）	163 NC	45NS/189NS
STBV42G-AP	-	RFQ	6148	Stmicroelectronics	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	STBV42				1 w		TO-92AP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																					400 v	1 a							1ma			NPN	1.5V @ 250mA，750mA	10 @ 400mA，5V	-
STL12N3LLH5	-	RFQ	2	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL12			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	12A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±22V	1500 pf @ 25 V	-	2W（TA），50W（TC）
STD815CP40	-	RFQ	1459	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	STD815				2.6W		8点	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					400V	1.5a							1ma			NPN，PNP	1V @ 50mA，350mA	16 @ 350mA，5V	-
STD25NF10LT4	2.1900	RFQ	2357	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD25			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	25A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 12.5a，10v	2.5V @ 250µA	52 NC @ 5 V	±16V	1710 PF @ 25 V	-	100W（TC）
STFH18N60M2	2.3900	RFQ	352	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFH18			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	46		n通道						600 v	13A（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	±25V	791 PF @ 100 V	-	25W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²