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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STF8NM50N	1.7900	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF8		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		500 v	5A（TC）	10V	790MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	364 pf @ 50 V	-	20W（TC）
STL58N3LLH5	1.6000	RFQ	6686	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™H5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL58		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30 V	64A（TC）	4.5V，10V	9MOHM @ 7.5A，10V	2.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	+22V，-20V	950 pf @ 25 V	-	4.8W（TA），62.5W（tc）
STP20NM50	5.9600	RFQ	4596	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP20		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		500 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	192W（TC）
Stu3N45K3	0.3913	RFQ	8923	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu3n45		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		450 v	1.8A（TC）	10V	3.8ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	27W（TC）
STB14NK60ZT4	4.6000	RFQ	7069	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB14		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		600 v	13.5A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	4.5V @ 100µA	75 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	160W（TC）
BD679A	0.9000	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD679			40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															80 V	4 a						500µA	npn-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
Stu70r1k3s	0.2771	RFQ	2760	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu70		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-Stu70r1k3s	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		700 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.75a，10V	3.75V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±25V	175 pf @ 100 V	-	77W（TC）
STL22N60DM6	1.6307	RFQ	7806	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL22		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		600 v	13A（TC）	10V	265mohm @ 6.5a，10v	4.75V @ 250µA	20.6 NC @ 10 V	±25V	800 pf @ 100 V	-	102W（TC）
STF5NK65Z	-	RFQ	1151	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				STF5N					-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的		2,000
STB42N60M2-EP	6.4400	RFQ	49	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB42		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		600 v	34A（TC）	10V	87mohm @ 17a，10v	4.75V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±25V	2370 pf @ 100 V	-	250W（TC）
Stu6n60m2	1.4500	RFQ	134	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu6n60		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		600 v	4.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	13.5 NC @ 10 V	±25V	232 PF @ 100 V	-	60W（TC）
STFU26N60M2	1.4941	RFQ	3111	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFU26		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		600 v	20A（TC）	10V	165mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1360 pf @ 100 V	-	30W（TC）
Stu3LN80K5	1.3500	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu3LN80		MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		800 v	2A（TC）	10V	3.25OHM @ 1A，10V	5V @ 100µA	2.63 NC @ 10 V	±30V	102 PF @ 100 V	-	45W（TC）
STGW25M120DF3	7.1900	RFQ	367	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW25	标准		375 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，25a，15欧姆，15V											265 ns	沟渠场停止	1200 v	50 a	100 a	2.3V @ 15V，25a	850µJ（在）上，1.3mj off）	85 NC	28NS/150NS
STF15N60M2-EP	1.9000	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF15		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		600 v	11A（TC）	10V	378MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STP34NM60N	10.0400	RFQ	672	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP34		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10884-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		600 v	29A（TC）	10V	105MOHM @ 14.5A，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±25V	2722 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STW48N60M6	5.1274	RFQ	1770年	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW48		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600	n通道		600 v	39A（TC）	10V	69mohm @ 19.5a，10v	4.75V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2578 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STGWT40HP65FB	3.2900	RFQ	366	Stmicroelectronics	HB	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT40	标准		283 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16972	Ear99	8541.29.0095	30		400V，40a，5ohm，15V											140 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	363µJ（OFF）	210 NC	- /142ns
STL26N60DM6	3.8900	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL26		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		600 v	15A（TC）	10V	215MOHM @ 7.5A，10V	4.75V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±25V	940 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STL30P3LLH6	1.1000	RFQ	1	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL30		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		30 V	30A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 4.5A，10V	1V @ 250µA（250µA）	12 nc @ 4.5 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	75W（TC）
STD7NM80-1	2.5400	RFQ	100	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD7		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		800 v	6.5A（TC）	10V	1.05OHM @ 3.25A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	90W（TC）
SCTWA40N120G2V	15.0645	RFQ	5994	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCTWA40		MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-SCTWA40N120G2V	Ear99	8541.29.0095	600	n通道		1200 v	36a（TC）	18V	100mohm @ 20a，18v	4.9V @ 1mA	61 NC @ 18 V	+18V，-5V	1233 PF @ 800 V	-	278W（TC）
STT2PF60L	-	RFQ	3289	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	stt2p		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		60 V	2A（TC）	4.5V，10V	250MOHM @ 1A，10V	1V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±15V	313 pf @ 25 V	-	1.6W（TC）
STL24N60DM2	3.2500	RFQ	9019	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL24		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		600 v	15A（TC）	10V	220MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1055 pf @ 100 V	-	125W（TC）
STB13N80K5	4.5500	RFQ	4066	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB13		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		800 v	12A（TC）	10V	450MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	29 NC @ 10 V	±30V	870 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STGFW40H65FB	-	RFQ	4066	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STGFW40	标准		62.5 w	TO-3PF-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，40a，5ohm，15V												沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	（498µJ）（在363µJ上）	210 NC	40NS/142NS
STP26NM60ND	-	RFQ	3877	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP26N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		600 v	21a（TC）	10V	175mohm @ 10.5a，10v	5V @ 250µA	54.6 NC @ 10 V	±25V	1817 PF @ 100 V	-	190w（TC）
MD2009DFX	-	RFQ	3900	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	MD2009			58 w	to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30															700 v	10 a						200µA	NPN	2.8V @ 1.4a，5.5a	5 @ 5.5A，5V	-
STD3NM60N	1.2200	RFQ	6013	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD3		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		600 v	3.3A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.65a，10V	4V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±25V	188 pf @ 50 V	-	50W（TC）
STGW35NB60S	-	RFQ	7163	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW35	标准		200 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，20a，100ohm，15V												-	600 v	70 a	250 a	1.7V @ 15V，20A	840µJ（在）上，7.4MJ（）	83 NC	92NS/1.1µS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²