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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MJD127T4	0.7900	RFQ	6724	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD127				20 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																				100 v	8 a							10µA	pnp-达灵顿	4V @ 80mA，8a	1000 @ 4A，4V	-
STB33N60M6	2.7429	RFQ	1977年	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB33			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STB33N60M6TR	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 12.5a，10v	4.75V @ 250µA	33.4 NC @ 10 V	±25V	1515 PF @ 100 V	-	190w（TC）
STH140N6F7-2	-	RFQ	7834	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH140			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						60 V	80A（TC）	10V	3mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	158W（TC）
STP5NK80ZFP	2.6100	RFQ	8287	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP5NK80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						800 v	4.3A（TC）	10V	2.4OHM @ 2.15a，10V	4.5V @ 100µA	45.5 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	30W（TC）
STI5N52U	-	RFQ	3407	Stmicroelectronics	UltrafastMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	Sti5n			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						525 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	16.9 NC @ 10 V	±30V	529 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STP24NM60N	3.3000	RFQ	700	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP24			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-11229-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	17a（TC）	10V	190MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 50 V	-	125W（TC）
STF11NM60N	-	RFQ	3990	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF11			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	10A（TC）	10V	450MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	850 pf @ 50 V	-	25W（TC）
STGF19NC60KD	2.7200	RFQ	6359	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF19	标准			32 W	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，12a，10ohm，15V															31 ns	-	600 v	16 a	75 a	2.75V @ 15V，12A	165µJ（在）上，255µJ（OFF）	55 NC	30ns/105ns
STD60NF3LLT4	-	RFQ	1844年	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD60N			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						30 V	60a（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 30a，10v	1V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±16V	2210 PF @ 25 V	-	100W（TC）
PD85006-E	-	RFQ	6587	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	40 V			Powerso-10裸露的底部垫	PD85006		870MHz	ldmos		10-Powerso	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		2a		200 ma	6W	17dB											-										13.6 v
STH140N8F7-2	3.2800	RFQ	5646	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH140			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						80 V	90A（TC）	10V	4mohm @ 45a，10v	4.5V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±20V	6340 pf @ 40 V	-	200W（TC）
STO52N60DM6	4.5000	RFQ	4980	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	Sto52			MOSFET （金属 o化物）		HV）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STO52N60DM6	Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道						600 v	45A（TC）	10V	78mohm @ 22.5a，10v	4.75V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±25V	2468 PF @ 100 V	-	305W（TC）
RF5L15120CB4	163.3500	RFQ	3024	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	95 v		底盘安装	LBB	RF5L15120		1.5GHz	ldmos		LBB	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-RF5L15120CB4TR			100		1µA		100 ma	120W	20dB											-										50 V
STD9HN65M2	-	RFQ	6351	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD9H			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						650 v	5.5A（TC）	10V	820MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	11.5 NC @ 10 V	±25V	325 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STP9N80K5	1.4205	RFQ	7504	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP9N80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						800 v	7A（TC）	10V	900MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 100µA	12 nc @ 10 V	±30V	340 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STB11NM80T4	7.9400	RFQ	2228	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB11			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						800 v	11A（TC）	10V	400MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	43.6 NC @ 10 V	±30V	1630 PF @ 25 V	-	150W（TC）
STGWA30N120KD	-	RFQ	2201	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA30	标准			220 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，20a，10ohm，15V															84 ns	-	1200 v	60 a	100 a	3.85V @ 15V，20A	2.4MJ（在）上，4.3MJ（4.3MJ）	105 NC	36NS/251NS
STGW60H65DFB-4	6.3100	RFQ	5167	Stmicroelectronics	HB	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STGW60	标准			375 w	TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			400V，60a，10ohm，15V															60 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	240 a	2V @ 15V，60a	346µJ（在），1.161MJ（（）	306 NC	65NS/261NS
STH400N4F6-6	-	RFQ	5436	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Deepgate™，StripFet™VI	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH400			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						40 V	180a（TC）	10V	1.15MOHM @ 60a，10V	4.5V @ 250µA	404 NC @ 10 V	±20V	20500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STF120NF10	3.9800	RFQ	711	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF12			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						100 v	41A（TC）	10V	10.5MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	233 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STD14NM50NAG	2.0100	RFQ	2419	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD14			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						500 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±25V	816 pf @ 50 V	-	90W
STP6N65M2	1.1900	RFQ	957	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP6N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						650 v	4A（TC）	10V	1.35ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	9.8 NC @ 10 V	±25V	226 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STFI13N80K5	-	RFQ	4352	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI13N			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						800 v	12A（TC）	10V	450MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	29 NC @ 10 V	±30V	870 pf @ 100 V	-	35W（TC）
LET9060STR	-	RFQ	553	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	80 V			Powerso-10rf 暴露的底部垫（连续 2条线）	LET9060		960MHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	600		12a		300 MA	60W	17.2db											-										28 V
STW6N90K5	2.8900	RFQ	8303	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW6N90			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17077	Ear99	8541.29.0095	30	n通道						900 v	6A（TC）	10V	1.1OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA		±30V		-	110W（TC）
STD7N65M2	1.7100	RFQ	73	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7N65			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						650 v	5A（TC）	10V	1.15OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±25V	270 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STL57N65M5	11.4800	RFQ	2950	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL57			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道						650 v	4.3A（TA），22.5a tc）	10V	69mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	4200 PF @ 100 V	-	2.8W（ta），189w（tc）
STF3N62K3	1.0600	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF3N62			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						620 v	2.7A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.4A，10V	4.5V @ 50µA	13 NC @ 10 V	±30V	385 pf @ 25 V	-	20W（TC）
STF18N60M6	2.5500	RFQ	39	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF18			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-19057	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	13A（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	4.75V @ 250µA	16.8 NC @ 10 V	±25V	650 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STL28N60M2	1.8081	RFQ	8127	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					STL28						-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²