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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STH410N4F7-2AG	3.6291	RFQ	9778	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH410			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						40 V	200a（TC）	10V	1.1MOHM @ 90A，10V	4.5V @ 250µA	141 NC @ 10 V	±20V	11500 PF @ 25 V	-	365W（TC）
STGW20V60F	3.8700	RFQ	175	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW20	标准			167 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，20A，15V																沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2.2V @ 15V，20A	200µJ（在）上，130µJ（OFF）	116 NC	38NS/149NS
STP5NK65ZFP	-	RFQ	7181	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP5N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						650 v	4.5A（TC）	10V	1.8OHM @ 2.1a，10V	4.5V @ 50µA	35 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 25 V	-	25W（TC）
Str1550	0.5500	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	Str1550				500兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																				500 v	500 MA							10µA（ICBO）	NPN	300mv @ 6mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
STI18NM60N	-	RFQ	5660	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI18N			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	13A（TC）	10V	285mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±25V	1000 pf @ 50 V	-	110W（TC）
PD54008L-E	5.4450	RFQ	9129	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	25 v			8-Powervdfn	PD54008		500MHz	ldmos		PowerFlat™（5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		5a		200 MA	8W	15DB											-										7.5 v
STL287N4F7AG	-	RFQ	8206	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					STL287						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	3,000
STF10NM50N	2.3000	RFQ	792	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF10N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						500 v	7A（TC）	10V	630MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 50 V	-	25W（TC）
BU807	-	RFQ	1433	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BU807				60 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	BU807st	Ear99	8541.29.0095	1,000																				150 v	8 a							100µA	npn-达灵顿	1.5V @ 50mA，5a	-	-
STI360N4F6	-	RFQ	1417	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Deepgate™，StripFet™VI	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI360N			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						40 V	120A（TC）	10V	1.8mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	340 NC @ 10 V	±20V	17930 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STD3NK50Z-1	0.7400	RFQ	4	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD3N			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道						500 v	2.3a（TC）	10V	3.3OHM @ 1.15a，10V	4.5V @ 50µA	15 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STB43N60DM2	3.4205	RFQ	2825	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB43			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						600 v	34A（TC）	10V	93mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 100 V	-	250W（TC）
PD55025S-E	29.6600	RFQ	8338	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	40 V			Powerso-10裸露的底部垫	PD55025		500MHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		7a		200 MA	25W	14.5db											-										12.5 v
STI90N4F3	-	RFQ	3513	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI9			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						40 V	80A（TC）	10V	6.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	110W（TC）
STGW40V60DF	4.2900	RFQ	9469	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW40	标准			283 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13766-5	Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，10ohm，15V															41 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2.3V @ 15V，40a	（456µJ）（在411µJ上）	226 NC	52NS/208NS
S2000AF	-	RFQ	7906	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	S2000				50 W	to-3pf	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																				700 v	8 a							200µA	NPN	5V @ 1A，4.5A	4.5 @ 4.5A，5V	-
STP8NK85Z	-	RFQ	9098	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP8N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						850 v	6.7A（TC）	10V	1.4OHM @ 3.35a，10V	4.5V @ 100µA	60 NC @ 10 V	±30V	1870 pf @ 25 V	-	150W（TC）
STAC0912-250	-	RFQ	3674	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	80 V		底盘安装	STAC265B	STAC0912		960MHz〜1.215GHz	ldmos		STAC265B	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	90		2µA			285W	16.3db											-
Bul1102e	1.5200	RFQ	70	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul1102				70 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				450 v	4 a							100µA	NPN	1.5V @ 400mA，2a	12 @ 2a，5v	-
STW42N65M5	10.9900	RFQ	6867	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW42			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8796-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道						650 v	33A（TC）	10V	79MOHM @ 16.5A，10V	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±25V	4650 pf @ 100 V	-	190w（TC）
SCTW40N120G2VAG	22.2800	RFQ	7256	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCTW40			sicfet （碳化硅）		HIP247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-SCTW40N120G2VAG	Ear99	8541.29.0095	30	n通道						1200 v	33A（TC）	18V	105mohm @ 20a，18v	5V @ 1mA	63 NC @ 18 V	+22V，-10V	1230 PF @ 800 V	-	290W（TC）
2STA1837	-	RFQ	9614	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2STA				20 w	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10864-5	Ear99	8541.29.0075	50																				230 v	1 a							1µA（ICBO）	PNP	1V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	70MHz
STW70N65DM6-4	14.4100	RFQ	4787	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW70			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STW70N65DM6-4	Ear99	8541.29.0095	30	n通道						650 v	68A（TC）	10V	40mohm @ 34a，10v	4.75V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±25V	4900 PF @ 100 V	-	450W（TC）
STI20N60M2-EP	-	RFQ	2557	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STI20			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						600 v	13A（TC）	10V	278mohm @ 6.5a，10v	4.75V @ 250µA	21.7 NC @ 10 V	±25V	787 PF @ 100 V	-	110W（TC）
STD15P6F6AG	1.0300	RFQ	2144	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD15			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道						60 V	10A（TC）	10V	160MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	6.4 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 48 V	-	35W（TC）
STP52N25M5	4.1100	RFQ	551	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP52N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						250 v	28a（TC）	10V	65mohm @ 14a，10v	5V @ 100µA	47 NC @ 10 V	±25V	1770 pf @ 50 V	-	110W（TC）
STL20N6F7	1.4000	RFQ	8948	Stmicroelectronics	StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL20			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道						60 V	100A（TC）	10V	5.4mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	（3W）（78W ta）（TC）
STF23NM50N	5.6200	RFQ	4569	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF23			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						500 v	17a（TC）	10V	190mohm @ 8.5a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±25V	1330 pf @ 50 V	-	30W（TC）
STW15N80K5	5.7000	RFQ	48	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW15			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道						800 v	14A（TC）	10V	375MOHM @ 7A，10V	5V @ 100µA	32 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 100 V	-	190w（TC）
STB80NF03L-04-1	-	RFQ	4450	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-60°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB80N			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						30 V	80A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 40a，10v	1V @ 250µA	110 NC @ 4.5 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²