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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STW57N65M5	12.1900	RFQ	498	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW57			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13125-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道						650 v	42A（TC）	10V	63mohm @ 21a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±25V	4200 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STP60N3LH5	-	RFQ	2103	Stmicroelectronics	StripFet™v	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP60N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10713-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						30 V	48A（TC）	5V，10V	8.4MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	8.8 NC @ 5 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	60W（TC）
STD9N60M2	1.4700	RFQ	9278	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD9			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13864-2	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						600 v	5.5A（TC）	10V	780MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±25V	320 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STH175N4F6-6AG	2.0200	RFQ	591	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STH175			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						40 V	120A（TC）	10V	2.4mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	7735 PF @ 20 V	-	150W（TC）
STL100NH3LL	-	RFQ	3180	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL100			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道						30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 12.5A，10V	2.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±16V	4450 pf @ 25 V	-	80W（TC）
STD7NM80	3.9600	RFQ	8682	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						800 v	6.5A（TC）	10V	1.05OHM @ 3.25A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	90W（TC）
STFI14N80K5	-	RFQ	7419	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI14N			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道						800 v	12A（TC）	10V	445MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	22 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 100 V	-	30W（TC）
Stu2NK100Z	3.3600	RFQ	5444	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu2NK100			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道						1000 v	1.85A（TC）	10V	8.5ohm @ 900mA，10v	4.5V @ 50µA	16 NC @ 10 V	±30V	499 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STGB7NB60HDT4	-	RFQ	6138	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STGB7	标准			80 W	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			480V，7A，10欧姆，15V															100 ns	-	600 v	14 a	56 a	2.8V @ 15V，7a	85µJ（OFF）	42 NC	15NS/75NS
STGD7NC60HT4	2.7400	RFQ	9	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD7	标准			70 W	TO-252（D-PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			390V，7A，10欧姆，15V																-	600 v	25 a	50 a	2.5V @ 15V，7a	95µJ（在）上，115µJ（115µJ）	35 NC	18.5NS/72NS
STFW8NNN120K5	4.6847	RFQ	8979	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STFW8			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	300	n通道						1200 v	6A（TC）	10V	2ohm @ 2.5a，10v	5V @ 100µA	13.7 NC @ 10 V	±30V	505 pf @ 100 V	-	48W（TC）
STB80NF55-08-1	-	RFQ	2299	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB80N			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-3516-5	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
STF16N60M2	2.0400	RFQ	216	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF16			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16013-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	700 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STGW50NC60W	6.9400	RFQ	212	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW50	标准			285 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			390V，40a，10ohm，15V																-	600 v	100 a		2.6V @ 15V，40a	（365µJ）（在560µJ上）	195 NC	52NS/240NS
STB30NF10T4	1.8200	RFQ	6993	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB30			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						100 v	35A（TC）	10V	45mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 25 V	-	115W（TC）
STS14N3LLH5	1.5500	RFQ	5	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS14			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						30 V	14A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 7a，10v	1V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±22V	1500 pf @ 25 V	-	2.7W（TC）
BF420-AP	-	RFQ	1171	Stmicroelectronics	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF420				830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																				300 v	500 MA							10NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
STD12NF06LT4	-	RFQ	3108	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD12			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						60 V	12A（TC）	5V，10V	100mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	10 NC @ 5 V	±16V	350 pf @ 25 V	-	42.8W（TC）
STP22NM60N	4.0200	RFQ	962	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP22			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	16A（TC）	10V	220MOHM @ 8A，10V	4V @ 100µA	44 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 50 V	-	125W（TC）
STD10NM60N	2.8300	RFQ	3	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD10			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						600 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	540 pf @ 50 V	-	70W（TC）
STF18N60M6	2.5500	RFQ	39	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF18			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-19057	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	13A（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	4.75V @ 250µA	16.8 NC @ 10 V	±25V	650 pf @ 100 V	-	25W（TC）
SD57120	-	RFQ	3972	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	65 v			M252	SD57120		960MHz	ldmos		M252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15		14a		800 MA	120W	14dB											-										28 V
LET20045C	-	RFQ	2507	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	80 V			M243	LET20045		2GHz	ldmos		M243	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		12a		500 MA	54W	13.3db											-										28 V
LET9070CB	-	RFQ	1349	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	80 V			M243	LET9070		945MHz	ldmos		M243	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		12a		400 MA	80W	16dB											-										28 V
STP28N60DM2	3.9000	RFQ	1550	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP28			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16348-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 100 V	-	170W（TC）
2STF1360	0.6200	RFQ	9970	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2STF1360				1.4 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																				60 V	3 a							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 150mA，3a	160 @ 1A，2V	130MHz
ST2310DHI	-	RFQ	7190	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	ISOWATT-218-3	ST2310				55 w	Isowatt-218	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	300																				600 v	12 a							1ma	NPN	3V @ 1.75a，7a	5.5 @ 7A，5V	-
ULQ2003D1013TR	0.9100	RFQ	36	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ULQ2003				-	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																				50V	500mA							-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
PD84010-E	-	RFQ	9238	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	40 V			Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD84010		870MHz	ldmos		Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		8a		300 MA	2W	16.3db											-										7.5 v
STD13003T4	0.9100	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD13003				20 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																				400 v	1.5 a							-	NPN	3V @ 500mA，1.5a	5 @ 1A，2V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²