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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STP5N120	-	RFQ	4354	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP5N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					1200 v	4.7A（TC）	10V	3.5OHM @ 2.3a，10V	5V @ 100µA	55 NC @ 10 V	±30V	120 pf @ 25 V	-	160W（TC）
STL220N3LLH7	-	RFQ	4598	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL220			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	220A（TC）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 25A，10V	2.2V @ 250µA	46 NC @ 4.5 V	±20V	8650 pf @ 25 V	-	113W（TC）
STV160NF03LAT4	-	RFQ	3612	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	Powerso-10裸露的底部垫	STV160			MOSFET （金属 o化物）		10-Powerso	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道					30 V	160a（TC）	5V，10V	3mohm @ 80a，10v	1V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±15V	5350 pf @ 25 V	-	210W（TC）
STS10N3LH5	1.3400	RFQ	7200	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS10			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	10A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 5a，10v	1V @ 250µA	4.6 NC @ 5 V	±22V	475 PF @ 25 V	-	2.5W（TC）
STH150N10F7-2	3.8300	RFQ	1919年	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH150			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	110A（TC）	10V	3.9mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	117 NC @ 10 V	±20V	8115 PF @ 50 V	-	250W（TC）
STGW20NC60V	-	RFQ	600	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW20	标准			200 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				390V，20a，3.3孔，15V															-	600 v	60 a	100 a	2.5V @ 15V，20A	（220µJ）（在330µJ上）	100 NC	31ns/100ns
STFI10LN80K5	-	RFQ	8967	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI10LN			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					800 v	8A（TC）	10V	630MOHM @ 4A，10V	5V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±30V	427 PF @ 100 V	-	20W（TC）
STD12NM50ND	-	RFQ	1320	Stmicroelectronics	FDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD12			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					500 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	850 pf @ 50 V	-	100W（TC）
STH10N80K5-2AG	4.4100	RFQ	9190	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH10			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STH10N80K5-2AGTR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					800 v	8A（TC）	10V	680MOHM @ 4A，10V	5V @ 100µA	17.3 NC @ 10 V	±30V	426 pf @ 100 V	-	121W（TC）
STP80NF55L-06	-	RFQ	8249	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	80A（TC）	5V，10V	6.5MOHM @ 40a，10v	1V @ 250µA	136 NC @ 5 V	±16V	4850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
STW200NF03	-	RFQ	8608	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW200			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道					30 V	120A（TC）	10V	2.8mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 25 V	-	350W（TC）
STF12NM50ND	-	RFQ	9454	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF12			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	850 pf @ 50 V	-	25W（TC）
STBV42G-AP	-	RFQ	6148	Stmicroelectronics	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	STBV42				1 w	TO-92AP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																				400 v	1 a							1ma	NPN	1.5V @ 250mA，750mA	10 @ 400mA，5V	-
STL12N3LLH5	-	RFQ	2	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL12			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	12A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±22V	1500 pf @ 25 V	-	2W（TA），50W（TC）
STD25NF10LT4	2.1900	RFQ	2357	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD25			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	25A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 12.5a，10v	2.5V @ 250µA	52 NC @ 5 V	±16V	1710 PF @ 25 V	-	100W（TC）
STFH18N60M2	2.3900	RFQ	352	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFH18			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	46		n通道					600 v	13A（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	±25V	791 PF @ 100 V	-	25W（TC）
STQ1HNK60R-AP	0.6700	RFQ	3	Stmicroelectronics	SuperMesh™	（CT）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	STQ1HNK60			MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					600 v	400mA（TC）	10V	8.5ohm @ 500mA，10v	3.7V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	156 pf @ 25 V	-	3W（TC）
STW7N90K5	3.0700	RFQ	600	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW7N90			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17081	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					900 v	7A（TC）	10V	-	5V @ 100µA		±30V		-	110W（TC）
STGB7NC60HDT4	2.3700	RFQ	9276	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB7	标准			80 W	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				390V，7A，10欧姆，15V														37 ns	-	600 v	25 a	50 a	2.5V @ 15V，7a	95µJ（在）上，115µJ（115µJ）	35 NC	18.5NS/72NS
SGT65R65AL	8.9600	RFQ	1557年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	650 v		表面安装	8-Powervdfn	SGT65		-	甘姆特		PowerFlat™（5x6）HV	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		500NA		5W	-											-										400 v
STF10P6F6	-	RFQ	6010	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF10P			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道					60 V	10A（TC）	10V	160MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	6.4 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 48 V	-	20W（TC）
STP20NK50Z	6.2200	RFQ	4291	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP20			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	17a（TC）	10V	270MOHM @ 8.5A，10V	4.5V @ 100µA	119 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	190w（TC）
bul49dfp	-	RFQ	1458	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Bul49				34 W	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				450 v	5 a							100µA	NPN	1.2V @ 800mA，4a	4 @ 7a，10v	-
STF24N65M2	2.9700	RFQ	271	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF24			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	16A（TC）	10V	230MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1060 pf @ 100 V	-	30W（TC）
STB9NK70ZT4	-	RFQ	1512	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB9N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					700 v	7.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 4A，10V	4.5V @ 100µA	68 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 25 V	-	115W（TC）
STD7N65M6	1.5900	RFQ	9734	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7N65			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					650 v	5A（TC）	10V	990MOHM @ 2.5A，10V	3.75V @ 250µA	6.9 NC @ 10 V	±25V	220 pf @ 100 V	-	60W（TC）
RF5L05500CB4	135.0000	RFQ	4721	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	50 V		底盘安装	LBB	RF5L05500		1.5GHz	ldmos		LBB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L05500CB4			100	n通道		-		2000W	16dB											-
STF7N95K3	4.1700	RFQ	9827	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF7			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					950 v	7.2A（TC）	10V	1.35OHM @ 3.6A，10V	5V @ 100µA	33 NC @ 10 V	±30V	1031 PF @ 100 V	-	35W（TC）
STGW45NC60VD	-	RFQ	9099	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW45	标准			270 w	TO-247长铅	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-9063-5	Ear99	8541.29.0095	30				390V，30a，10ohm，15V														45 ns	-	600 v	90 a	220 a	2.4V @ 15V，30a	（333µJ）（在537µJ上）	126 NC	33ns/178ns
Stu4N52K3	1.3300	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu4n52			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					525 v	2.5A（TC）	10V	2.6ohm @ 1.25a，10V	4.5V @ 50µA	11 NC @ 10 V	±30V	334 pf @ 100 V	-	45W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²