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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试
STWA67N60M6	9.2000	RFQ	2506	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA67			MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STWA67N60M6	Ear99	8541.29.0095	600		n通道						600 v	52A（TC）	10V	49mohm @ 26a，10v	4.75V @ 250µA	72.5 NC @ 10 V	±25V	3400 PF @ 100 V	-	330W（TC）
STO67N60M6	7.3000	RFQ	7401	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	Sto67			MOSFET （金属 o化物）		HV）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STO67N60M6TR	Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道						600 v	34A（TC）	10V	54mohm @ 26a，10v	4.75V @ 250µA	72.5 NC @ 10 V	±25V	3400 PF @ 100 V	-	150W（TC）
SCTH100N65G2-7AG	36.5400	RFQ	7524	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	Scth100			sicfet （碳化硅）		H2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	95A（TC）	18V	26mohm @ 50a，18v	5V @ 5mA	162 NC @ 18 V	+22V，-10V	3315 PF @ 520 V	-	360W（TC）
STGWA60V60DWFAG	13.3900	RFQ	3282	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA60	标准			375 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGWA60V60DWFAG	Ear99	8541.29.0095	600				400V，60a，4.7Ohm，15V															200 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	240 a	2.3V @ 15V，60a	1.02MJ（在）上，370µJ off）	314 NC	35NS/190NS
SCTH40N120G2V-7	20.2800	RFQ	6222	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装		SCTH40			sicfet （碳化硅）		H2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-SCTH40N120G2V-7TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						1200 v	36a（TC）	18V	100mohm @ 20a，18v	4.9V @ 1mA	61 NC @ 18 V	+22V，-10V	1233 PF @ 800 V	-	238W（TC）
STP65N150M9	4.0300	RFQ	476	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STP65N150M9	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	20A（TC）	10V	150mohm @ 10a，10v	4.2V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1239 PF @ 400 V	-	140W（TC）
PD55035STR-E	-	RFQ	5819	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V			Powerso-10裸露的底部垫	PD55035		500MHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			7a		200 ma	35W	16.9db											-										12.5 v
STH180N10F3-2	5.5400	RFQ	7922	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH180			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	180a（TC）	10V	4.5mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	114.6 NC @ 10 V	±20V	6665 PF @ 25 V	-	315W（TC）
STL42N65M5	13.8500	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL42			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						650 v	（4a ta），34A （TC）	10V	79MOHM @ 16.5A，10V	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±25V	4650 pf @ 100 V	-	（3W）（TA），208W（tc）
STD13N60M6	1.0565	RFQ	9689	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD13			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STD13N60M6TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	10A（TC）	10V	380MOHM @ 5A，10V	4.75V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	509 pf @ 100 V	-	92W（TC）
STP16NF96L	-	RFQ	1086	Stmicroelectronics	*	管子	积极的											-			到达不受影响	497-STP16NF96L			1
STD80N240K6	5.5600	RFQ	403	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD80			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STD80N240K6TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						800 v	16A（TC）	10V	220MOHM @ 7A，10V	4V @ 100µA	25.9 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 400 V	-	105W（TC）
STL325N4LF8AG	3.1200	RFQ	4546	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					STL325						-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STL325N4LF8AGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000
RF3L05200CB4	163.3500	RFQ	9319	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	90 v		底盘安装	LBB	RF3L05200		1GHz	ldmos		LBB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF3L05200CB4			100	-		1µA			200W	19db											-
ST24180	127.0500	RFQ	3093	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	65 v		表面安装	B2	ST241		2.3GHz〜2.5GHz	ldmos		B2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-ST24180			120	-		1µA			180W	15.3db											-
STL19N3LLH6AG	0.6330	RFQ	8241	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL19			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STL19N3LLH6AG	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	10A（TC）	4.5V，10V	33mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	3.7 NC @ 4.5 V	±20V	321 PF @ 25 V	-	50W（TC）
SCTWA35N65G2V-4	20.2000	RFQ	5270	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCTWA35			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-SCTWA35N65G2V-4	Ear99	8541.29.0095	600		n通道						650 v	45A（TC）	18V，20V	67mohm @ 20a，20v	5V @ 1mA	73 NC @ 20 V	+18V，-5V	1370 pf @ 400 V	-	240W（TC）
STGP20H65DFB2	1.1531	RFQ	4512	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP20	标准			147 w	TO-220	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGP20H65DFB2	Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，20a，10ohm，15V															215 ns	沟渠场停止	650 v	40 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	（265µJ）（在），214µJ（214µJ）中	56 NC	16ns/78.8ns
ST50V10200	145.2000	RFQ	1341	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v		底盘安装	M246	ST50		-	ldmos		M246	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-ST50V10200			60	n通道		1µA			225W	17.5db											-
STWA46N65DM6AG	5.5665	RFQ	6679	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA46			MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STWA46N65DM6AG	Ear99	8541.29.0095	600		n通道						650 v	50A（TC）	10V	63mohm @ 25a，10v	4.75V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±25V	3344 PF @ 100 V	-	391W（TC）
STGWA40H65DHFB2	2.4485	RFQ	2769	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA40	标准			230 w	TO-247长铅	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGWA40H65DHFB2	Ear99	8541.29.0095	600				400V，20A，4.7OHM，15V															111 ns	沟渠场停止	650 v	72 a	120 a	2V @ 15V，40a	（214µJ）（在），220µJ（220µJ）中	153 NC	23ns/77ns
RF5L05750CF2	135.0000	RFQ	1030	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	50 V		表面安装	C2	RF5L05750		1.5GHz	ldmos		C2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L05750CF2			100	n通道		-			2500W	20dB											-
RF4L10700CB4	217.8000	RFQ	9590	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	90 v		底盘安装	D4E	RF4L10700		1GHz	ldmos		D4E	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF4L10700CB4			100	-		1µA		100 ma	700W	15DB											-										40 V
STH60N099DM9-2AG	-	RFQ	2179	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-				497-STH60N099DM9-2AGTR			1
STGWA35IH135DF2	4.7900	RFQ	7898	Stmicroelectronics	*	管子	积极的											-	rohs3符合条件	3（168））		497-STGWA35IH135DF2			30
STB26N60M2	3.2500	RFQ	9506	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB26			MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	20A（TC）	10V	165mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1360 pf @ 100 V	-	169W（TC）
STP13N60DM2	0.8679	RFQ	7861	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP13			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						600 v	11A（TC）	10V	365MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	730 PF @ 100 V	-	110W（TC）
STP35N65DM2	3.4526	RFQ	3404	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP35			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	32A（TC）	10V	110mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	56.3 NC @ 10 V	±25V	2540 pf @ 100 V	-	250W（TC）
Stu6n65m2-s	0.5391	RFQ	7386	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu6n65			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						650 v	4A（TC）	10V	1.35ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	9.8 NC @ 10 V	±25V	226 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STAC9200	-	RFQ	7860	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	80 V		底盘安装	STAC244B	STAC9200		1.3GHz	ldmos		STAC244B	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	80			1µA			230W	18db											-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²