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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STD9N60M2	1.4700	RFQ	9278	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD9			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13864-2	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	5.5A（TC）	10V	780MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±25V	320 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STL100NH3LL	-	RFQ	3180	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL100			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 12.5A，10V	2.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±16V	4450 pf @ 25 V	-	80W（TC）
STD7NM80	3.9600	RFQ	8682	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						800 v	6.5A（TC）	10V	1.05OHM @ 3.25A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	90W（TC）
STFI14N80K5	-	RFQ	7419	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI14N			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						800 v	12A（TC）	10V	445MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	22 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 100 V	-	30W（TC）
Stu2NK100Z	3.3600	RFQ	5444	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu2NK100			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						1000 v	1.85A（TC）	10V	8.5ohm @ 900mA，10v	4.5V @ 50µA	16 NC @ 10 V	±30V	499 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STGB7NB60HDT4	-	RFQ	6138	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB7	标准			80 W	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				480V，7A，10欧姆，15V															100 ns	-	600 v	14 a	56 a	2.8V @ 15V，7a	85µJ（OFF）	42 NC	15NS/75NS
STFW8NNN120K5	4.6847	RFQ	8979	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STFW8			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	300		n通道						1200 v	6A（TC）	10V	2ohm @ 2.5a，10v	5V @ 100µA	13.7 NC @ 10 V	±30V	505 pf @ 100 V	-	48W（TC）
STF16N60M2	2.0400	RFQ	216	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF16			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16013-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	700 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STGW50NC60W	6.9400	RFQ	212	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW50	标准			285 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				390V，40a，10ohm，15V																-	600 v	100 a		2.6V @ 15V，40a	（365µJ）（在560µJ上）	195 NC	52NS/240NS
STB30NF10T4	1.8200	RFQ	6993	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB30			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	35A（TC）	10V	45mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 25 V	-	115W（TC）
STP22NM60N	4.0200	RFQ	962	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP22			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	16A（TC）	10V	220MOHM @ 8A，10V	4V @ 100µA	44 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 50 V	-	125W（TC）
STD10NM60N	2.8300	RFQ	3	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD10			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	540 pf @ 50 V	-	70W（TC）
STF18N60M6	2.5500	RFQ	39	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF18			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-19057	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	13A（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	4.75V @ 250µA	16.8 NC @ 10 V	±25V	650 pf @ 100 V	-	25W（TC）
SD57120	-	RFQ	3972	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	65 v			M252	SD57120		960MHz	ldmos		M252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15			14a		800 MA	120W	14dB											-										28 V
LET20045C	-	RFQ	2507	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	80 V			M243	LET20045		2GHz	ldmos		M243	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			12a		500 MA	54W	13.3db											-										28 V
LET9070CB	-	RFQ	1349	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	80 V			M243	LET9070		945MHz	ldmos		M243	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			12a		400 MA	80W	16dB											-										28 V
STP28N60DM2	3.9000	RFQ	1550	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP28			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16348-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 100 V	-	170W（TC）
2STF1360	0.6200	RFQ	9970	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2STF1360				1.4 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																					60 V	3 a							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 150mA，3a	160 @ 1A，2V	130MHz
ST2310DHI	-	RFQ	7190	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	ISOWATT-218-3	ST2310				55 w	Isowatt-218	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	300																					600 v	12 a							1ma	NPN	3V @ 1.75a，7a	5.5 @ 7A，5V	-
2STN2550	-	RFQ	5221	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	2stn				1.6 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																					50 V	5 a							100NA（ICBO）	PNP	550mv @ 300mA，3a	110 @ 2a，2v	-
STF17NF25	-	RFQ	2399	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF17			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						250 v	17a（TC）	10V	165mohm @ 8.5a，10v	4V @ 250µA	29.5 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 25 V	-	25W（TC）
STF6N60DM2	0.6350	RFQ	9710	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF6			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						600 v	5A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.5A，10V	4.75V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	±25V	274 PF @ 100 V	-	20W（TC）
STP13N60DM2	0.8679	RFQ	7861	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP13			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						600 v	11A（TC）	10V	365MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	730 PF @ 100 V	-	110W（TC）
STP35N65DM2	3.4526	RFQ	3404	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP35			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	32A（TC）	10V	110mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	56.3 NC @ 10 V	±25V	2540 pf @ 100 V	-	250W（TC）
STAC9200	-	RFQ	7860	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	80 V		底盘安装	STAC244B	STAC9200		1.3GHz	ldmos		STAC244B	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	80			1µA			230W	18db											-
STGWA60V60DWFAG	13.3900	RFQ	3282	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA60	标准			375 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGWA60V60DWFAG	Ear99	8541.29.0095	600				400V，60a，4.7Ohm，15V															200 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	240 a	2.3V @ 15V，60a	1.02MJ（在）上，370µJ off）	314 NC	35NS/190NS
STWA67N60M6	9.2000	RFQ	2506	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA67			MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STWA67N60M6	Ear99	8541.29.0095	600		n通道						600 v	52A（TC）	10V	49mohm @ 26a，10v	4.75V @ 250µA	72.5 NC @ 10 V	±25V	3400 PF @ 100 V	-	330W（TC）
STP16NF96L	-	RFQ	1086	Stmicroelectronics	*	管子	积极的											-			到达不受影响	497-STP16NF96L			1
STD80N240K6	5.5600	RFQ	403	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD80			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STD80N240K6TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						800 v	16A（TC）	10V	220MOHM @ 7A，10V	4V @ 100µA	25.9 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 400 V	-	105W（TC）
ST50V10200	145.2000	RFQ	1341	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v		底盘安装	M246	ST50		-	ldmos		M246	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-ST50V10200			60	n通道		1µA			225W	17.5db											-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²