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晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STB120NF10T4	4.7800	RFQ	12	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB120			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						100 v	110A（TC）	10V	10.5MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	233 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	312W（TC）
LET16045C	-	RFQ	6304	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	80 V			M243	LET16045		1.6GHz	ldmos		M243	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	25		9a		400 MA	45W	16dB											-									28 V
STP45N60DM6	7.9600	RFQ	17	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP45			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						600 v	30A（TC）	10V	99mohm @ 15a，10v	4.75V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±25V	1920 PF @ 100 V	-	210W（TC）
STGD6NC60HT4	-	RFQ	9549	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD6	标准			56 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			390V，3A，10欧姆，15V															-	600 v	15 a	21 a	2.5V @ 15V，3A	（在）（68µJ）上的20µJ（OFF）	13.6 NC	12NS/76NS
STD9NM50N	1.5200	RFQ	250	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD9			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						500 v	5A（TC）	10V	790MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	570 pf @ 50 V	-	45W（TC）
STP100N8F6	1.6100	RFQ	41	Stmicroelectronics	StripFet™F6	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP100			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15553-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						80 V	100A（TC）	10V	9mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5955 pf @ 25 V	-	176W（TC）
Stu5N60M2	1.4100	RFQ	831	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu5n60			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道						600 v	3.7A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.85a，10V	4V @ 250µA	4.5 NC @ 10 V	±25V	165 pf @ 100 V	-	45W（TC）
STB40N60M2	6.5000	RFQ	6217	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB40			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						600 v	34A（TC）	10V	88mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STD70NS04ZL	0.7894	RFQ	5255	Stmicroelectronics	SAFEFET™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD70			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						33 V	70A（TC）	5V，10V	10.5MOHM @ 30a，10v	3V @ 1mA	32 NC @ 5 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	110W（TC）
STP210N75F6	4.4100	RFQ	46	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP210			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						75 v	120A（TC）	10V	3.7MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	171 NC @ 10 V	±20V	11800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STH80N10F7-2	-	RFQ	8007	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH80N			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						100 v	80A（TC）	10V	9.5Mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 50 V	-	110W（TC）
STP80NF70	2.3400	RFQ	991	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						68 v	98A（TC）	10V	9.8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 25 V	-	190w（TC）
SD2931-15W	70.7850	RFQ	6725	Stmicroelectronics	*	大部分	积极的					SD2931						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25
STD25NF10LA	2.0800	RFQ	1870年	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD25			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						100 v	25A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 12.5a，10v	2.5V @ 250µA	52 NC @ 5 V	±16V	1710 PF @ 25 V	-	100W（TC）
STL120N4LF6AG	-	RFQ	6907	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL120			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道						40 V	120A（TC）	5V，10V	3.6mohm @ 13a，10v	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	4260 pf @ 25 V	-	96W（TC）
stp3nk80z	1.8700	RFQ	995	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP3NK80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4379-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道						800 v	2.5A（TC）	10V	4.5OHM @ 1.25A，10V	4.5V @ 50µA	19 nc @ 10 V	±30V	485 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STB11NM60FDT4	-	RFQ	9160	Stmicroelectronics	FDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB11			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						600 v	11A（TC）	10V	450MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	900 pf @ 25 V	-	160W（TC）
STP120NH03L	-	RFQ	2346	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP120			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						30 V	60a（TC）	5V，10V	5.5MOHM @ 30a，10V	3V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	4100 PF @ 25 V	-	110W（TC）
STF33N60M6	4.9500	RFQ	1243	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF33			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-18247	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 12.5a，10v	4.75V @ 250µA	33.4 NC @ 10 V	±25V	1515 PF @ 100 V	-	35W（TC）
2STR1160	-	RFQ	9673	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2str				500兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																			60 V	1 a							100NA（ICBO）	NPN	430mv @ 100mA，1a	180 @ 500mA，2V	-
stfiled627	-	RFQ	9884	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	stfiled627			MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						620 v	7A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 50µA	35 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 50 V	-	30W（TC）
STD2NC45-1	1.0900	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD2NC45			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道						450 v	1.5A（TC）	10V	4.5OHM @ 500mA，10V	3.7V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	160 pf @ 25 V	-	30W（TC）
STD5N20LT4	1.1100	RFQ	21	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD5N20			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						200 v	5A（TC）	5V	700mohm @ 2.5a，5v	2.5V @ 50µA	6 NC @ 5 V	±20V	242 PF @ 25 V	-	33W（TC）
Bul98	2.9200	RFQ	85	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul98				110 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																			450 v	12 a							100µA	NPN	1.5V @ 2.4a，12a	15 @ 5A，5V	-
STF8NM50N	1.7900	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF8			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						500 v	5A（TC）	10V	790MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	364 pf @ 50 V	-	20W（TC）
STL58N3LLH5	1.6000	RFQ	6686	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™H5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL58			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道						30 V	64A（TC）	4.5V，10V	9MOHM @ 7.5A，10V	2.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	+22V，-20V	950 pf @ 25 V	-	4.8W（TA），62.5W（tc）
STP20NM50	5.9600	RFQ	4596	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP20			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						500 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	192W（TC）
Stu3N45K3	0.3913	RFQ	8923	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的		-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu3n45			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道						450 v	1.8A（TC）	10V	3.8ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	27W（TC）
STB14NK60ZT4	4.6000	RFQ	7069	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB14			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						600 v	13.5A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	4.5V @ 100µA	75 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	160W（TC）
BD679A	0.9000	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD679				40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																			80 V	4 a							500µA	npn-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²