晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
IRF540ZSTRL	-	询价	4899	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800	N沟道			100V	36A（温度）	10V	26.5毫欧@22A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1770pF@25V	-	92W（温度）
BCW61BE6327HTSA1	0.0529	询价	8915	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCW61			330毫W	PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000															32V	100毫安						20nA（ICBO）	国民党	550mV@1.25mA、50mA	180@2mA，5V	250兆赫
IPD50N03S2L06ATMA1	2.6300	询价	2	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	瞳距50		MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3-11	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道			30V	50A（温度）	4.5V、10V	6.4毫欧@50A，10V	2V@85μA	68nC@10V	±20V	1900pF@25V	-	136W（温度）
SPD07N20GBTMA1	-	询价	1932年	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SPD07N		MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道			200V	7A（温度）	10V	400mOhm@4.5A，10V	4V@1mA	10V时为31.5nC	±20V	530pF@25V	-	40W（温度）
BCP5516H6327XTSA1	0.2968	询价	6485	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BCP55			2W	PG-SOT223-4-10	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000															60V	1A						100nA（ICBO）	NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	100@150mA，2V	100兆赫兹
IRFS4610TRRPBF	-	询价	1037	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001573460	EAR99	8541.29.0095	800	N沟道			100V	73A（温度）	10V	14毫欧@44A，10V	4V@100μA	140nC@10V	±20V	3550pF@50V	-	190W（温度）
IPD60R750E6BTMA1	-	询价	6531	英飞凌科技	CoolMOS™ E6	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD60R		MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道			600伏	5.7A（温度）	10V	750mOhm@2A，10V	3.5V@170μA	17.2nC@10V	±20V	100V时为373pF	-	48W（温度）
IPD60R180P7ATMA1	2.7400	询价	12	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD60R		MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道			600伏	18A（温度）	10V	180毫欧@5.6A，10V	4V@280μA	25nC@10V	±20V	1081 pF @ 400 V	-	72W（温度）
IPB320N20N3GATMA1	3.6100	询价	13	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB320		MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道			200V	34A（温度）	10V	32毫欧@34A，10V	4V@90μA	29nC@10V	±20V	100V时为2350pF	-	136W（温度）
IRFS3004TRL7PP	4.9900	询价	5	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7、D²Pak（6引脚+接片）、TO-263CB	IRFS3004		MOSFET（金属O化物）		D2PAK（7导联）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800	N沟道			40V	240A（温度）	10V	1.25毫欧@195A，10V	4V@250μA	240nC@10V	±20V	9130pF@25V	-	380W（温度）
IRF3711ZCS	-	询价	6394	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF3711ZCS	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道			20V	92A（温度）	4.5V、10V	6毫欧@15A，10V	2.45V@250μA	24nC@4.5V	±20V	2150pF@10V	-	79W（温度）
IRFZ46ZPBF	-	询价	5188	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道			55V	51A（温度）	10V	13.6毫欧@31A，10V	4V@250μA	46nC@10V	±20V	1460pF@25V	-	82W（温度）
SPB20N60S5ATMA1	-	询价	6488	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SPB20N		MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道			600伏	20A（温度）	10V	190毫欧@13A，10V	5.5V@1mA	10V时为103nC	±20V	3000pF@25V	-	208W（温度）
BUZ73AE3046	0.4200	询价	9834	英飞凌科技	SIPMOS®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	500	N沟道			200V	5.5A（温度）	10V	600毫欧@4.5A，10V	4V@1mA		±20V	530pF@25V	-	40W（温度）
IRFS4620PBF	-	询价	4240	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道			200V	24A（温度）	10V	77.5毫欧@15A，10V	5V@100μA	38nC@10V	±20V	1710pF@50V	-	144W（温度）
IPC50R045CPX1SA1	-	询价	6579	英飞凌科技	-	大部分	的积极				IPC50					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP000236099		0000.00.0000	1					-
BSC8899N03MS	0.2700	询价	4	英飞凌科技	OptiMOS®3	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		PG-TDSON-8-6	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1	N沟道			30V	13A（Ta）、45A（Tc）	4.5V、10V	9毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	16nC@10V	±20V	1300pF@15V	-	2.5W（Ta）、28W（Tc）
BFP183WE6327	1.0000	询价	5743	英飞凌科技	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343				450毫W	PG-SOT343-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1			22分贝												12V	65毫安							NPN		70@15mA，8V	8GHz	0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF7488TRPBF	-	询价	8813	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	N沟道			80V	6.3A（塔）	10V	29毫欧@3.8A，10V	4V@250μA	57nC@10V	±20V	1680pF@25V	-	2.5W（塔）
IPA65R190CFDXKSA1	-	询价	3510	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA65R		MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-111	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道			650伏	17.5A（温度）	10V	190毫欧@7.3A，10V	4.5V@730μA	68nC@10V	±20V	1850pF@100V	-	34W（温度）
SMBTA06UPNE6327HTSA1	0.4100	询价	2	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	中小企业技术援助06			330毫W	PG-SC74-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000															80V	500毫安						100纳安	NPN、PNP	250毫伏@10毫安，100毫安	100@100mA，1V	100兆赫兹
AUIRFS3004	-	询价	5909	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AUIRFS3004		MOSFET（金属O化物）		D2PAK-3 (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道			40V	195A（高温）	10V	1.75毫欧@195A，10V	4V@250μA	240nC@10V	±20V	9200pF@25V	-	380W（温度）
IRF6610TR1PBF	-	询价	8486	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 SQ			MOSFET（金属O化物）		DIRECTFET™ SQ	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道			20V	15A（Ta）、66A（Tc）	4.5V、10V	6.8毫欧@15A，10V	2.55V@250μA	17nC@4.5V	±20V	1520pF@10V	-	2.2W（Ta）、42W（Tc）
AUIRFR6215TRL	3.0000	询价	1119	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AUIRFR6215		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道			150伏	13A（温度）	10V	295毫欧@6.6A，10V	4V@250μA	66nC@10V	±20V	860pF@25V	-	110W（温度）
SGB07N120ATMA1	2.7031	询价	6161	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SGB07N	标准		125W	PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		800V，8A，47欧姆，15V												不扩散条约	1200伏	16.5安	27A	3.6V@15V，8A	1毫焦耳	70℃	27纳秒/440纳秒
IRF9520NS	-	询价	6501	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF9520NS	EAR99	8541.29.0095	50	P沟道			100V	6.8A（温度）	10V	480毫欧@4A，10V	4V@250μA	27nC@10V	±20V	350pF@25V	-	3.8W（Ta）、48W（Tc）
BSP135H6433XTMA1	1.5900	询价	22	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BSP135		MOSFET（金属O化物）		SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	N沟道			600伏	120mA（塔）	0V、10V	45欧姆@120mA，10V	1V@94μA	5V时为4.9nC	±20V	146pF@25V	成熟模式	1.8W（塔）
IPP052N06L3GHKSA1	-	询价	9518	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP052M		MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000453616	EAR99	8541.29.0095	500	N沟道			60V	80A（温度）	4.5V、10V	5毫欧@80A，10V	2.2V@58μA	50nC@4.5V	±20V	8400pF@30V	-	115W（温度）
SPP15N65C3XKSA1	1.8100	询价	6	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			650伏	15A（温度）	10V	280毫欧@9.4A，10V	3.9V@675μA	63nC@10V	±20V	1600pF@25V	-	156W（温度）
IRF7701TR	-	询价	8482	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-TSSOP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	SP001575290	EAR99	8541.29.0095	4,000	P沟道			12V	10A（温度）	1.8V、4.5V	11毫欧@10A，4.5V	1.2V@250μA	100nC@4.5V	±8V	5050pF@10V	-	1.5W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²