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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻
AUIRFR2905Z	1.6100	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR2905		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518150	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		55 v	42A（TC）	10V	14.5mohm @ 36a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 25 V	-	110W（TC）
AUIRFR4105	-	RFQ	1045	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522204	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		55 v	20A（TC）	10V	45mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRF7702GTRPBF	-	RFQ	2171	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）			8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		12 v	8a（8a）	1.8V，4.5V	14mohm @ 8a，4.5V	1.2V @ 250µA	81 NC @ 4.5 V	±8V	3470 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
IRFS4321TRLPBF	3.8500	RFQ	10	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS4321		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	85A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IRFS3806TRLPBF	1.4100	RFQ	21	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS3806		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	43A（TC）	10V	15.8mohm @ 25a，10v	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W（TC）
IRLR7843CTRPBF	-	RFQ	2871	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000		n通道		30 V	161a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4380 pf @ 15 V	-	140W（TC）
IRF520NSTRLPBF	-	RFQ	2099	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF520		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	9.7a（TC）	10V	200mohm @ 5.7a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
IRFS5620pbf	-	RFQ	2922	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001565120	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	24A（TC）	10V	77.5MOHM @ 15A，10V	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
IRFU2607ZPBF	-	RFQ	1103	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001576352	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		75 v	42A（TC）	10V	22mohm @ 30a，10v	4V @ 50µA	51 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IKD04N60RF	-	RFQ	7108	Infineon技术	Trechstop®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ikd04n	标准		75 w		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			400V，4A，43OHM，15V											34 ns	沟	600 v	8 a	12 a	2.5V @ 15V，4A	110µJ	27 NC	12NS/116NS
BSS126H6906XTSA1	0.7600	RFQ	9	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS126		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		600 v	21ma（ta）	0V，10V	500ohm @ 16mA，10v	1.6V @ 8µA	2.1 NC @ 5 V	±20V	28 PF @ 25 V	耗尽模式	500MW（TA）
IPB100N06S205ATMA4	-	RFQ	8865	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB100		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		55 v	100A（TC）	10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5110 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPD25CN10NGATMA1	1.4700	RFQ	1718年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD25CN10		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	35A（TC）	10V	25mohm @ 35a，10v	4V @ 39µA	31 NC @ 10 V	±20V	2070 pf @ 50 V	-	71W（TC）
IPD65R600E6ATMA1	-	RFQ	9964	Infineon技术	Coolmos™E6	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R600		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
IPP80N06S2H5AKSA2	-	RFQ	5022	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		55 v	80A（TC）	10V	5.5MOHM @ 80A，10V	4V @ 230µA	155 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPI024N06N3GXKSA1	3.2600	RFQ	8269	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI024		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	120A（TC）	10V	2.4MOHM @ 100A，10V	4V @ 196µA	275 NC @ 10 V	±20V	23000 PF @ 30 V	-	250W（TC）
BSM300GA170DN2HOSA1	-	RFQ	6704	Infineon技术	-	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM300			2500 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000100754	Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	1700 v	440 a		3.9V @ 15V，300A				3 ma	不
IRG7CH28UEF	-	RFQ	6851	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	IRG7CH	标准				死	下载		不适用	到达不受影响	SP001549476	过时的	0000.00.0000	1			600V，15A，22OHM，15V												-	1200 v			1.55V @ 15V，2.5a	-	60 NC	35NS/225NS
IRG8CH20K10D	-	RFQ	1429	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRG8CH						下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IRG8CH29K10F	-	RFQ	5377	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	IRG8CH	标准				死	下载		不适用	到达不受影响	SP001536690	过时的	0000.00.0000	1			600V，25a，10ohm，15V												-	1200 v			2V @ 15V，25a	-	160 NC	40NS/245NS
BSS138NH6433XTMA1	0.3900	RFQ	5592	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道		60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 230mA，10V	1.4V @ 26µA	1.4 NC @ 10 V	±20V	41 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
BSS806NEH6327XTSA1	0.4500	RFQ	93	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS806		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	2.3a（ta）	1.8V，2.5V	57MOHM @ 2.3a，2.5V	750mv @ 11µA	1.7 NC @ 2.5 V	±8V	529 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
BSZ034N04LSATMA1	1.4500	RFQ	33	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ034		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	（19a（ta），40a（tc）	4.5V，10V	3.4mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 20 V	-	2.1W（ta），52W（TC）
BSC034N06NSATMA1	1.9000	RFQ	14	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC034		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	100A（TC）	6V，10V	3.4mohm @ 50a，10v	3.3V @ 41µA	41 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），74W（TC）
BSC072N08NS5ATMA1	1.8300	RFQ	53	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC072		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		80 V	74A（TC）	6V，10V	7.2MOHM @ 37A，10V	3.8V @ 36µA	29 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 40 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
IPB180N10S403ATMA1	5.5100	RFQ	343	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB180		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	180a（TC）	10V	3.3MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 180µA	140 NC @ 10 V	±20V	10120 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IPB80P04P4L04ATMA1	-	RFQ	5802	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80P		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		40 V	80A（TC）	4.5V，10V	4.4mohm @ 80a，10v	2.2V @ 250µA	176 NC @ 10 V	±16V	3800 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IPB80P04P4L08ATMA1	-	RFQ	5447	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80P		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		40 V	80A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 80a，10V	2.2V @ 120µA	92 NC @ 10 V	±16V	5430 pf @ 25 V	-	75W（TC）
ipd80r2k8ceatma1	1.2000	RFQ	8457	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R2		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		800 v	1.9A（TC）	10V	2.8ohm @ 1.1a，10v	3.9V @ 120µA	12 nc @ 10 V	±20V	290 pf @ 100 V	-	42W（TC）
IPG16N10S461AATMA1	1.1400	RFQ	1146	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	IPG16N10		MOSFET （金属 o化物）	29W		PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）			100V	16a		61mohm @ 16a，10v	3.5V @ 9µA	7NC @ 10V		490pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²