晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IPDD60R045CFD7XTMA1	11.6200	询价	7552	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD7	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-PowerSOP模块	IPDD60	MOSFET（金属O化物）		PG-HDSOP-10-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,700		N沟道	600伏	61A（温度）		45毫欧@18A，10V	4.5V@900μA	79nC@10V	±20V	3194 pF @ 400 V	-	379W（温度）
IRFR13N15DTRPBF	-	询价	4096	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	150伏	14A（温度）	10V	180毫欧@8.3A，10V	5.5V@250μA	29nC@10V	±30V	620pF@25V	-	86W（温度）
BSZ063N04LS6ATMA1	1.2400	询价	18	英飞凌科技	OptiMOS™6	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	BSZ063	MOSFET（金属O化物）		PG-TSDSON-8-FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	40V	15A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	6.3毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	9.5nC@10V	±20V	650pF@20V	-	2.5W（Ta）、38W（Tc）
IPD80N06S3-09	-	询价	9664	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD80N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3-11	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	55V	80A（温度）	10V	8.4毫欧@40A，10V	4V@55μA	88nC@10V	±20V	6100pF@25V	-	107W（温度）
IPC90R500C3X1SA1	-	询价	5625	英飞凌科技	-	大部分	过时的				IPC90R				-		1（无限制）	REACH 不出行	SP000469914	过时的	0000.00.0000	1				-
BSP320SL6327	0.2200	询价	2	英飞凌科技	SIPMOS®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA		MOSFET（金属O化物）		PG-SOT223-4-21	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	2.9A（Tj）	10V	120毫欧@2.9A，10V	4V@20μA	12nC@10V	±20V	340pF@25V	-	1.8W（塔）
IRFS7530PBF	-	询价	9253	英飞凌科技	HEXFET®、StrongIRFET™	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	195A（高温）	6V、10V	2mOhm@100A，10V	3.7V@250μA	411nC@10V	±20V	13703pF@25V	-	375W（温度）
IPP12CN10N G	-	询价	5943	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP12C	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	100V	67A（温度）	10V	12.9毫欧@67A，10V	4V@83μA	65nC@10V	±20V	50V时为4320pF	-	125W（温度）
IRFBL3315	-	询价	8515	英飞凌科技	-	管子	过时的		表面贴装	超级D2-Pak		MOSFET（金属O化物）		超级D2-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	150伏	21A（塔）		-	-				-	-
IRFR1010ZPBF	-	询价	7693	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	55V	42A（温度）	10V	7.5毫欧@42A，10V	4V@100μA	95nC@10V	±20V	2840pF@25V	-	140W（温度）
IPD60R2K0C6BTMA1	-	询价	8023	英飞凌科技	CoolMOS™ C6	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD60R	MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	600伏	2.4A（温度）	10V	2欧姆@760mA，10V	3.5V@60μA	6.7nC@10V	±20V	140 pF @ 100 V	-	22.3W（温度）
IRF6797MTRPBF	-	询价	第1554章	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 MX	IRF6797	MOSFET（金属O化物）		DIRECTFET™ MX	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001530232	EAR99	8541.29.0095	4,800		N沟道	25V	36A（Ta）、210A（Tc）	4.5V、10V	1.4毫欧@38A，10V	2.35V@150μA	68nC@4.5V	±20V	5790pF@13V	-	2.8W（Ta）、89W（Tc）
IRFR13N20DPBF	-	询价	8809	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	200V	13A（温度）	10V	235mOhm@8A，10V	5.5V@250μA	38nC@10V	±30V	830pF@25V	-	110W（温度）
IRFH7107TRPBF	-	询价	2052	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）		8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道	75V	14A（Ta）、75A（Tc）	10V	8.5毫欧@45A，10V	4V@100μA	72nC@10V	±20V	3110pF@25V	-	3.6W（Ta）、104W（Tc）
IRF300P227	7.9000	询价	第262章	英飞凌科技	强IRFET™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IRF300	MOSFET（金属O化物）		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道	300伏	50A（温度）	10V	40毫欧@30A，10V	4V@270μA	107nC@10V	±20V	50V时为4893pF	-	313W（温度）
IRF8852TRPBF	-	询价	5013	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	IRF8852	MOSFET（金属O化物）	1W	8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）		25V	7.8A		11.3毫欧@7.8A，10V	2.35V@25μA	9.5nC@4.5V		1151pF@20V	逻辑电平门
SPP11N60CFDHKSA1	-	询价	3908	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP11N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000014533	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	600伏	11A（温度）	10V	440毫欧@7A，10V	5V@500μA	64nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	125W（温度）
IRL40B209	-	询价	7737	英飞凌科技	HEXFET®、StrongIRFET™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRL40B209	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001576458	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	40V	195A（高温）	4.5V、10V	1.25毫欧@100A，10V	2.4V@250μA	270nC@4.5V	±20V	15140pF@25V	-	375W（温度）
IPB50R199CPATMA1	2.0689	询价	6316	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB50R199	MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	550伏	17A（温度）	10V	199毫欧@9.9A，10V	3.5V@660μA	45nC@10V	±20V	1800pF@100V	-	139W（温度）
IRFR3103TRR	-	询价	7563	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	400V	1.7A（塔）	10V	3.6欧姆@1A，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	170pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
IRFB7434GPBF	-	询价	8217	英飞凌科技	HEXFET®、StrongIRFET™	管子	过时的	-	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	40V	195A（高温）	6V、10V	1.6毫欧@100A，10V	3.9V@250μA	324nC@10V	±20V	10820pF@25V	-	-
SI3443DVTR	-	询价	3705	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的		表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6		MOSFET（金属O化物）		Micro6™(TSOP-6)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	4.4A（塔）		65毫欧@4.4A，4.5V	1.5V@250μA	15nC@4.5V		10V时为1079pF	-
BC858BE6327	0.0400	询价	121	英飞凌科技	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			330毫W	PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,460													30V	100毫安	15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	220@2mA，5V	250兆赫
BSC886N03LSGATMA1	-	询价	3127	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC886	MOSFET（金属O化物）		PG-TDSON-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	13A（Ta）、65A（Tc）	4.5V、10V	6毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	26nC@10V	±20V	2100pF@15V	-	2.5W（Ta）、39W（Tc）
IRL3103D1	-	询价	8867	英飞凌科技	FETKY™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRL3103D1	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	30V	64A（温度）	4.5V、10V	14毫欧@34A，10V	1V@250μA	43nC@4.5V	±16V	1900pF@25V	-	2W（Ta）、89W（Tc）
BCR 191T E6327	-	询价	8427	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产		表面贴装	SC-75、SOT-416	BCR 191		250毫W	PG-SC-75	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	50@5mA，5V	200兆赫	22欧姆	22欧姆
BSZ028N04LSATMA1	1.5700	询价	7	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSZ028	MOSFET（金属O化物）		PG-TSDSON-8-FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	40V	21A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	2.8毫欧@20A，10V	-	32nC@10V	±20V	2300pF@20V	-	2.1W（Ta）、63W（Tc）
SPD04N60C3	-	询价	6263	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SPD04N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	600伏	4.5A（温度）	10V	950毫欧@2.8A，10V	3.9V@200μA	25nC@10V	±20V	490pF@25V	-	50W（温度）
IPI037N08N3GXKSA1	-	询价	8042	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI037N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	80V	100A（温度）	6V、10V	3.75毫欧@100A，10V	3.5V@155μA	117nC@10V	±20V	8110pF@40V	-	214W（温度）
IRFR540ZTRRPBF	-	询价	1043	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001557092	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100V	35A（温度）	10V	28.5毫欧@21A，10V	4V@50μA	59nC@10V	±20V	1690pF@25V	-	91W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²