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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRFHM8337TRPBF	-	RFQ	5125	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-PQFN （3.3x3.3），Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			30 V	12a（12a）	4.5V，10V	12.4mohm @ 12a，10v	2.35V @ 25µA	8.1 NC @ 4.5 V	±20V	755 pf @ 15 V	-	2.8W（25W），25W（tc）
IGP40N65H5XKSA1	3.3600	RFQ	450	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IGP40N65	标准		255 w	pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，20a，15ohm，15V													-	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	（390µJ）（在120µJ上）	95 NC	22NS/165NS
IKP15N65H5XKSA1	3.2700	RFQ	3463	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IKP15N65	标准		105 w	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，7.5a，39onm，15V												48 ns	-	650 v	30 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	120µJ（在）上，50µJ（50µJ）	38 NC	17ns/160ns
IKP40N65H5XKSA1	4.6200	RFQ	7444	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IKP40N65	标准		255 w	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，20a，15ohm，15V												62 ns	-	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	（390µJ）（在120µJ上）	95 NC	22NS/165NS
IKW40N65H5FKSA1	5.5400	RFQ	2877	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW40N65	标准		255 w	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，20a，15ohm，15V												62 ns	-	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	（390µJ）（在120µJ上）	95 NC	22NS/165NS
AUIRFP4409	-	RFQ	9837	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRFP4409		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518024	Ear99	8541.29.0095	400		n通道			300 v	38A（TC）	10V	69MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5168 PF @ 50 V	-	341W（TC）
AUIRFSL8409	-	RFQ	6004	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-262-3短领先，i²pak			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001516096	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			40 V	195a（TC）	10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	14240 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRGP4266D-EPBF	-	RFQ	4468	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		455 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，75A，10欧姆，15V												170 ns	-	650 v	140 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
IRGP4266DPBF	-	RFQ	9813	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		455 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001542370	Ear99	8541.29.0095	400			400V，75A，10欧姆，15V												170 ns	-	650 v	140 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
IRF3546MTRPBF	-	RFQ	8084	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	41-PowerVFQFN	IRF3546		MOSFET （金属 o化物）	-	41-PQFN（6x8）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	4 n通道				25V	16A（TC），20A （TC）		3.9mohm @ 27a，10v	2.1V @ 35µA	15nc @ 4.5V		1310pf @ 13V	逻辑级别门
IRFH7084TRPBF	2.1200	RFQ	429	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH7084		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			40 V	100A（TC）	10V	1.25MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 150µA	190 NC @ 10 V	±20V	6560 pf @ 25 V	-	156W（TC）
IRFS4321Trl7pp	2.8400	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IRFS4321		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			150 v	86A（TC）	10V	14.7mohm @ 34a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 50 V	-	350W（TC）
IRL6283MTRPBF	-	RFQ	1383	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MD			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道			20 v	38a（TA），211a（tc）	2.5V，4.5V	0.75MOHM @ 50a，10V	1.1V @ 100µA	158 NC @ 4.5 V	±12V	8292 PF @ 10 V	-	2.1W（TA），63W（tc）
IPB65R045C7ATMA1	-	RFQ	7609	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			650 v	46A（TC）	10V	45mohm @ 24.9a，10V	4V @ 1.25mA	93 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	227W（TC）
IPB65R225C7ATMA1	-	RFQ	2290	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			650 v	11A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	63W（TC）
IPP65R045C7XKSA1	14.6900	RFQ	6498	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R045		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			650 v	46A（TC）	10V	45mohm @ 24.9a，10V	4V @ 1.25mA	93 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	227W（TC）
IPW65R045C7FKSA1	15.0100	RFQ	8515	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R045		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			650 v	46A（TC）	10V	45mohm @ 24.9a，10V	4V @ 1.25mA	93 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	227W（TC）
IRFR7446TRPBF	1.3300	RFQ	2	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR7446		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			40 V	56A（TC）	6V，10V	3.9MOHM @ 56A，10V	3.9V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	98W（TC）
IRFB7534PBF	2.5400	RFQ	9	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB7534		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			60 V	195a（TC）	6V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	279 NC @ 10 V	±20V	10034 pf @ 25 V	-	294W（TC）
IRFB7537pbf	2.2100	RFQ	72	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB7537		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			60 V	173a（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 150µA	210 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRFB7540pbf	1.6900	RFQ	459	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB7540		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			60 V	110A（TC）	6V，10V	5.1MOHM @ 65A，10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4555 pf @ 25 V	-	160W（TC）
IRFP7530pbf	3.6100	RFQ	652	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP7530		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001560520	Ear99	8541.29.0095	25		n通道			60 V	195a（TC）	6V，10V	2MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	411 NC @ 10 V	±20V	13703 PF @ 25 V	-	341W（TC）
IRFS7530-7PPBF	-	RFQ	9100	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565236	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			60 V	240a（TC）	6V，10V	1.4MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	354 NC @ 10 V	±20V	12960 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRFS7530pbf	-	RFQ	9253	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			60 V	195a（TC）	6V，10V	2MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	411 NC @ 10 V	±20V	13703 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IRFS7534-7PPBF	-	RFQ	4688	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001557490	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			60 V	240a（TC）	6V，10V	1.95MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	9990 pf @ 25 V	-	290W（TC）
IRFS7534Trl7pp	3.3300	RFQ	845	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IRFS7534		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			60 V	240a（TC）	6V，10V	1.95MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	9990 pf @ 25 V	-	290W（TC）
IRFS7537TRLPBF	2.3100	RFQ	4168	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS7537		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			60 V	173a（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 150µA	210 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRFS7540TRLPBF	2.3200	RFQ	240	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS7540		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			60 V	110A（TC）	6V，10V	5.1MOHM @ 65A，10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4555 pf @ 25 V	-	160W（TC）
SPP04N60C3XKSA1	-	RFQ	3159	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP04N60		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BFP843FH6327XTSA1	0.5200	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP843			125MW	PG-TSFP-4-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000				13.5db〜25dB													2.25V	55mA						NPN	150 @ 15mA，1.8V	-	0.8db〜1.7dB @ 450MHz〜10GHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²