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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FZ1000R45KL3B5NPSA1	1.0000	RFQ	8961	Infineon技术	-	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1000R45			1600000 w	标准	A-IHV130	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单个开关													沟渠场停止	4500 v	1000 a	3.05V @ 15V，1KA			5 ma	不	185 NF @ 25 V
IPT014N10N5ATMA1	6.6700	RFQ	5431	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		-		100 v	362a	10V	-	-		-		-	-
IPB011N04NF2SATMA1	3.2400	RFQ	770	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB011		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	43A（ta），201a（tc）（TC）	6V，10V	1.15MOHM @ 100A，10V	3.4V @ 249µA	315 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），375W（tc）
IAUTN06S5N008ATMA1	6.6600	RFQ	7440	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				2,000
IGLR60R190D1E8238XUMA1	-	RFQ	1791年	Infineon技术	Coolgan™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			ganfet（n化岩）			PG-TSON-8-6	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		600 v	12.8A（TC）	-	-	1.6V @ 960µA		-10V	157 PF @ 400 V	-	55.5W（TC）
IAUC120N06S5L015ATMA1	1.2811	RFQ	3054	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-43	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	235a（TJ）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 60a，10v	2.2V @ 94µA	114 NC @ 10 V	±20V	8193 PF @ 30 V	-	167W（TC）
FF300R17KE3HDLA1	333.1650	RFQ	3207	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FF300R17			1450 w	标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	32	单个开关													沟渠场停止	1700 v	404 a	2.45V @ 15V，300A			3 ma	不	27 NF @ 25 V
IPZA60R024P7XKSA1	17.7100	RFQ	6584	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IPZA60		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO247-4-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道		600 v	101A（TC）	10V	24mohm @ 42a，10v	4V @ 2.03mA	164 NC @ 10 V	±20V	7144 PF @ 400 V	-	291W（TC）
F4100R17N3E4BPSA1	217.5700	RFQ	7753	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的	-			F4100				-		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	-													-			-
AIKB50N65DF5ATMA1	6.3600	RFQ	4053	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Aikb50	标准				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			-											npt	650 v	50 a	-	-	-
BSZ063N04LS6ATMA1	1.2400	RFQ	18	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ063		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	（15a）（TA），40a （TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
BSC096N10LS5ATMA1	2.4900	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC096		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		100 v	40a（TC）	4.5V，10V	9.6mohm @ 20a，10v	2.3V @ 36µA	14.6 NC @ 4.5 V	±20V	2100 PF @ 50 V	-	3W（3W），83W（tc）
IPA126N10NM3SXKSA1	1.8500	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™3	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA126		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	39A（TC）	6V，10V	12.6mohm @ 39a，10v	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	33W（TC）
DF80R07W1H5FPB11BPSA1	59.2000	RFQ	30	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF80R07			20兆	标准	Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	2独立													沟渠场停止	650 v	40 a	1.72V @ 15V，20A			12 µA	是的	2 NF @ 25 V
BSZ024N04LS6ATMA1	1.9500	RFQ	93	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ024		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-BSZ024N04LS6ATMA1DKR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	24A（24A），40a （TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），75W（（（ta）
F3L11MR12W2M1B65BOMA1	-	RFQ	9105	Infineon技术	EasyPack™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F3L11MR12			20兆	标准	Ag-Easy2bm-2	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三级逆变器													沟	1200 v	100 a	2.1V @ 15V，100a			40 µA	是的	7.36 NF @ 800 V
IPB60R040CFD7ATMA1	10.5600	RFQ	7749	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB60R040		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	50A（TC）	10V	40mohm @ 24.9a，10V	4.5V @ 1.25mA	108 NC @ 10 V	±20V	4351 PF @ 400 V	-	227W（TC）
AIGB30N65F5ATMA1	3.8600	RFQ	3644	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AIGB30	标准				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			-											npt	650 v	30 a	-	-	-
FF600R12ME4PB72BPSA1	302.5833	RFQ	8316	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R12			20兆	标准	Ag-Econod-5	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	2独立													沟渠场停止	1200 v	600 a	2.1V @ 15V，600A			3 ma	是的	37 NF @ 25 V
IPA65R660CFDXKSA2	1.3395	RFQ	7438	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA65R660		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		700 v	6A（TC）	10V	660MOHM @ 2.1a，10V	4.5V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	615 PF @ 100 V	-	27.8W（TC）
IPA083N10NM5SXKSA1	1.9300	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™5	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA083		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		100 v	50A（TC）	6V，10V	8.3mohm @ 25a，10v	3.8V @ 49µA	40 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 50 V	-	36W（TC）
FF450R07ME4BOSA1	208.7800	RFQ	8785	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF450R07			20兆	标准	Ag-Econod-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立													沟渠场停止	650 v	450 a	1.95V @ 15V，450a			1 MA	是的	27.5 nf @ 25 V
FS25R12W1T7B11BOMA1	45.7000	RFQ	6	Infineon技术	EasyPack™，Trenchstop™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FS25R12			20兆	标准	ag-easy1b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-FS25R12W1T7B11BOMA1-448	Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器													沟渠场停止	1200 v	25 a	1.6V @ 15V，25a			5.6 µA	是的	4.77 NF @ 25 V
F3L200R07W2S5FB11BOMA1	98.4400	RFQ	1128	Infineon技术	EasyPack™，Trenchstop™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F3L200			20兆	标准	Ag-Easy2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三级逆变器													沟渠场停止	650 v	95 a	1.38V @ 15V，100a			1 MA	是的	14.3 NF @ 25 V
FS35R12W1T7B11BOMA1	52.4300	RFQ	12	Infineon技术	EasyPack™，Trenchstop™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FS35R12			20兆	标准	ag-easy1b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-FS35R12W1T7B11BOMA1-448	Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器													沟渠场停止	1200 v	35 a	1.6V @ 15V，35a			7.3 µA	是的	6.62 NF @ 25 V
FP10R12W1T7B3BOMA1	43.5000	RFQ	5105	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP10R12			20兆	三相桥梁整流器	Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器													沟渠场停止	1200 v	10 a	1.6V @ 15V，10A（类型）			4.5 µA	是的	1.89 NF @ 25 V
FR900R12IP4DBPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FR900R12			20兆	标准	AG-PRIME3-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	双制动斩波器													沟渠场停止	1200 v	900 a	2.05V @ 15V，900A			5 ma	是的	54 NF @ 25 V
BSS79C	-	RFQ	9419	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000															40 V	800 MA				10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	250MHz
IMZA65R072M1HXKSA1	12.9500	RFQ	264	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IMZA65		sicfet （碳化硅）			PG-TO247-4-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	28a（TC）	18V	94mohm @ 13.3a，18v	5.7V @ 4mA	22 NC @ 18 V	+23V，-5V	744 PF @ 400 V	-	96W（TC）
IPAN60R125PFD7SXKSA1	2.8800	RFQ	2	Infineon技术	CoolMos™PFD7	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPAN60		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 7.8A，10V	4.5V @ 390µA	36 NC @ 10 V	±20V	1503 PF @ 400 V	-	32W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²