晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IRF7311TRPBF	1.1000	询价	第691章	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF731		MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）			20V	6.6A		29毫欧@6A，4.5V	700mV@250μA	27nC@4.5V		900pF@15V	逻辑电平门
IRGSL6B60KPBF	-	询价	5487	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IRGSL6	标准		90W		TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			400V，5A，100欧姆，15V												不扩散条约	600伏	13A	26A	2.2V@15V，5A	110μJ（开），135μJ（关）	18.2nC	25纳秒/215纳秒
FF2MR12KM1H	-	询价	6393	英飞凌科技	-	托盘	的积极	-	安装结构	模块	FF2MR12				标准	AG-62MM	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	448-FF2MR12KM1H	EAR99	8541.29.0095	1	半桥														沟渠场站	1200伏			-					不
FF600R12ME4PB72BPSA1	302.5833	询价	8316	英飞凌科技	EconoDUAL™ 3	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FF600R12			20毫W	标准	AG-ECONOD-5	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	6	2 独立														沟渠场站	1200伏	600A		2.1V@15V，600A				3毫安	是的	37nF@25V
BSO303SPHXUMA1	-	询价	3035	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			PG-DSO-8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道		30V	7.2A（塔）	4.5V、10V	21毫欧@9.1A，10V	2V@100μA	54nC@10V	±20V	2330pF@25V	-	1.56W（塔）
BSC072N025S G	-	询价	8721	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		25V	15A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	7.2毫欧@40A，10V	2V@30μA	18nC@5V	±20V	15V时为2230pF	-	2.8W（Ta）、60W（Tc）
FS100R12PT4BOSA1	213.6200	询价	5	英飞凌科技	经济包装™4	托盘	的积极	-40℃～150℃	安装结构	模块	FS100R12			500W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	6	天线塔														沟渠场站	1200伏	135 一个		2.15V@15V，100A				1毫安	是的	6.3nF@25V
FZ2400R33HE4BPSA1	2.0000	询价	2	英飞凌科技	IHM-B	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FZ2400			5400000W	标准	AG-IHVB190-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	单开关														沟渠场站	3300伏	2400A		2.65V@15V，2.4kA				5毫安	不	280nF@25V
BSM25GD120DN2E3224BOSA1	-	询价	5986	英飞凌科技	-	托盘	过时的	150°C（太焦）	安装结构	模块	BSM25GD120			200W	标准	模块	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔														-	1200伏	35A		3V@15V，25A				800微安	不	1.65nF@25V
IKQ75N120CS6XKSA1	10.9600	询价	172	英飞凌科技	TrenchStop™	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IKQ75N120	标准		880W		PG-TO247-3-46	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			600V，75A，4欧姆，15V											440纳秒	沟渠场站	1200伏	150A	300A	2.15V@15V，75A	5.15mJ（开），2.95mJ（关）	530nC	34纳秒/300纳秒
IKZA50N65SS5XKSA1	14.9500	询价	第460章	英飞凌科技	TrenchStop™ 5	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	伊克ZA50	标准		274 W		PG-TO247-4-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			400V，50A，9欧姆，15V												沟渠场站	650伏	80A	200A	1.7V@15V，50A	230μJ（开），520μJ（关）	110 纳克	19纳秒/140纳秒
SIPC18N50C3X1SA1	-	询价	1973年	英飞凌科技	-	大部分	的积极				SIPC18						-	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	SP000957004		0000.00.0000	1					-
IRFP4410ZPBF	-	询价	8246	英飞凌科技	HEXFET®	包	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）			TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001566138	EAR99	8541.29.0095	400		N沟道		100伏	97A（温度）	10V	9毫欧@58A，10V	4V@150μA	120nC@10V	±20V	50V时为4820pF	-	230W（温度）
奥尔夫4292	-	询价	3161	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）			I-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001519718	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		250伏	9.3A（温度）	10V	345毫欧@5.6A，10V	5V@50μA	20nC@10V	±20V	705pF@25V	-	100W（温度）
ISC030N10NM6ATMA1	3.4200	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™6	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	ISC030N		MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		100伏	21A（Ta）、179A（Tc）	8V、10V	3mOhm@50A，10V	3.3V@109μA	69nC@10V	±20V	5200pF@50V	-	3W（塔）、208W（TC）
IRGP4790-EPBF	-	询价	4407	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		455W		TO-247AD	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001549734	EAR99	8541.29.0095	25			400V，75A，10欧姆，15V												-	650伏	140A	第225章	2V@15V，75A	2.5mJ（开），2.2mJ（关）	210nC	50纳秒/200纳秒
BCR112WE6327BTSA1	-	询价	1235	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-70、SOT-323	BCR112			250毫W		PG-SOT323	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安						100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	20@5mA，5V	140兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
AUIRF7342Q	-	询价	6069	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRF7342		MOSFET（金属O化物）	2W		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001515748	EAR99	8541.29.0095	95	2 个 P 沟道（双）			55V	3.4A		105mOhm@3.4A，10V	3V@250μA	38nC@10V		690pF@25V	逻辑电平门
FP100R12KT4PB11BPSA1	231.4300	询价	5	英飞凌科技	EconoPIM™ 3	托盘	的积极				FP100R12						-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	6
ISC028N04NM5ATMA1	1.5100	询价	7591	英飞凌科技	OptiMOS™-5	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	ISC028N		MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	24A（Ta）、121A（Tc）	7V、10V	2.8毫欧@50A，10V	3.4V@30μA	38nC@10V	±20V	2700pF@20V	-	3W（Ta）、75W（Tc）
FF600R17KE3B2NOSA1	1.0000	询价	3198	英飞凌科技	-	托盘	不适合新设计	-40℃～125℃	安装结构	模块	FF600R17			4300W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2	2 独立														-	1700伏			2.45V@15V，600A				5毫安	不	54nF@25V
SIGC14T60SNCX1SA2	-	询价	5645	英飞凌科技	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	死	SIGC14	标准				死	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1			400V，15A，21欧姆，15V												不扩散条约	600伏	15A	45A	2.5V@15V，15A	-		31纳秒/261纳秒
IRFR6215CPBF	-	询价	2627	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		P沟道		150伏	13A（温度）		295毫欧@6.6A，10V	4V@250μA	66nC@10V		860pF@25V	-	110W（温度）
FF300R12KT3HOSA1	214.2900	询价	10	英飞凌科技	C	托盘	不适合新设计	-40℃～125℃	安装结构	模块	FF300R12			1450W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	2 独立														沟渠场站	1200伏	480A		2.15V@15V，300A				5毫安	不	21nF@25V
IPB083N10N3GATMA1	1.6900	询价	960	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB083		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100伏	80A（温度）	6V、10V	8.3毫欧@73A，10V	3.5V@75μA	55nC@10V	±20V	50V时为3980pF	-	125W（温度）
FP35R12W2T7BPSA1	67.3800	询价	8795	英飞凌科技	EasyPIM™	托盘	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	FP35R12			20毫W	东部桥式调整器	AG-EASY1B-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔														沟渠场站	1200伏	35A		-				5.8微安	是的	6.62nF@25V
IRG7CH28UEF	-	询价	6851	英飞凌科技	-	大部分	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	死	IRG7CH	标准				死	下载		不适用	REACH 不出行	SP001549476	过时的	0000.00.0000	1			600V，15A，22欧姆，15V												-	1200伏			1.55V@15V，2.5A	-	60℃	35纳秒/225纳秒
FF300R12ME4PB11BPSA1	214.0950	询价	8993	英飞凌科技	EconoDUAL™ 3	托盘	的积极	-40℃～150℃	安装结构	模块	FF300R12			20毫W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	6	半桥														沟渠场站	1200伏	600A		2.1V@15V，300A				3毫安	是的	18.5nF@25V
IRG4RC10KPBF	-	询价	8737	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		标准		38W		D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75			480V，5A，100欧姆，15V												-	600伏	9A	18A	2.62V@15V，5A	160μJ（开），100μJ（关）	19nC	11纳秒/51纳秒
BSL303SPEH6327XTSA1	-	询价	1160	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6			MOSFET（金属O化物）			PG-TSOP6-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	6.3A（塔）	4.5V、10V	33毫欧@6.3A，10V	2V@30μA	10V时为20.9nC	±20V	1401pF@15V	-	2W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²